低介電常數(shù)聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-25 06:30
在微電子工業(yè)中,由于高集成度、特征尺寸的減小,導(dǎo)致信號阻容(RC)延遲、信號串?dāng)_和額外功耗的影響日益增大,因而采用具有低介電常數(shù)的層間電介質(zhì)材料以減弱此影響變得日益重要。聚酰亞胺(Polyimide,PI)材料因其優(yōu)異的電氣絕緣性能(介電常數(shù)≈3.04.0,介電損耗≈0.02)、機(jī)械性能和耐高溫性等特點(diǎn)而被廣泛用作柔性介質(zhì)材料。然而,其介電常數(shù)需要進(jìn)一步降低,才能更好地滿足當(dāng)前微電子產(chǎn)業(yè)高集成度的發(fā)展需求。本論文以開發(fā)具有更低介電常數(shù)的PI薄膜為目標(biāo),首先研究了四種由不同結(jié)構(gòu)重復(fù)單元形成的PI薄膜重復(fù)單元結(jié)構(gòu)與其性能之間的關(guān)系,而后選擇上述研究中介電常數(shù)最低的PI體系,通過化學(xué)亞胺化的方式使其完成亞胺化過程,制得N,N’-二甲基甲酰胺(N,N’-Dimethylformamide,DMF)溶劑可溶型PI粉末。隨后將沸石咪唑酯骨架化合物8(Zeolite imidazole framework-8,ZIF-8)納米顆粒引入到DMF溶劑可溶型PI基底中,以進(jìn)一步降低其介電常數(shù)。ZIF-8具有高孔隙率、穩(wěn)定的骨架結(jié)構(gòu)以及良好的有機(jī)相容性和超疏水性,能夠向聚合物中引入納米...
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院)廣東省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
(A)電子位移極化、(B)離子位移極化、(C)偶極子極化和(D)空間電荷極化的示意圖[5]
第1章緒論5圖1.2電介質(zhì)材料的極化響應(yīng)過程與頻率的關(guān)系[9,10]Fig.1.2Polarizationresponseasfunctionoffrequencyfordielectricmaterials[9,10]1.2.3電介質(zhì)材料的表征參數(shù)在電介質(zhì)材料的基本特性參數(shù)中,電容量、介電常數(shù)和介電損耗是表征電介質(zhì)材料介電性能的最基本特征參數(shù)。其中介電常數(shù)和介電損耗最為重要。電容(C)隨著電極板面積(A)和中間介質(zhì)的介電常數(shù)(ε)的增大而增大,隨極板間距(d)減小而增大,電容量的計(jì)算公式如(1-1)所示:C=0...(1-1)其中0為真空介電常數(shù),0=8.85×10-12F·m-1,為電介質(zhì)的相對介電常數(shù)。而在交變電場中,介電常數(shù)常用復(fù)數(shù)形式來表示,如式1-2所示:ε=ε"-ε"...(1-2)式中ε"是復(fù)介電常數(shù)的實(shí)部,ε"是復(fù)介電常數(shù)的虛部。實(shí)部ε"即為通常所說的介電常數(shù),介電常數(shù)是材料的本征性質(zhì),表示材料的電荷儲存能力,不受外界環(huán)境影響;虛部ε"即為通常所說的介電損耗,表示材料在外電場作用下的能量損耗,其主要來源于介質(zhì)材料在外電場作用下的發(fā)熱所造成的能量耗散以及介質(zhì)材料在電場下發(fā)生偶極子轉(zhuǎn)向而產(chǎn)生的松弛損耗。而實(shí)際生活中,常用介電損耗正切值,也即損耗因子tanδ,表征介質(zhì)材料的介電損耗程度,tanδ計(jì)算公式如(1-3)所示:tanδ="′...(1-3)
低介電常數(shù)聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及性能研究61.3聚酰亞胺材料概述1.3.1聚酰亞胺的結(jié)構(gòu)與性能聚酰亞胺(Polyimide,PI)是一類高性能工程聚合物材料,因在其主鏈中含有酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)而得名。根據(jù)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類,PI可以分為脂肪族聚酰亞胺、全芳香族聚酰亞胺和半芳香族聚酰亞胺三類。其中因?yàn)槠湫阅茏顬槌R姷氖欠枷阕寰埘啺,可用通式表示如圖:圖1.3全芳香族聚酰亞胺化學(xué)結(jié)構(gòu)Fig.1.3Chemicalstructureoffullyaromaticpolyimide二胺、二酐分子結(jié)構(gòu)中Ar1、Ar2部分的變化,能夠在較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)聚酰亞胺的性質(zhì)。剛性的酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)和較強(qiáng)的分子間作用力使其具有良好的耐熱性、耐溶劑性、耐輻射、高絕緣和優(yōu)異的力學(xué)性能[11,12]。其性能特征如下表1.1所示:表1.1聚酰亞胺的性能特征統(tǒng)計(jì)Table1.1Propertiesofthepolyimides性能性能指標(biāo)具體特征熱學(xué)性能耐熱性玻璃化轉(zhuǎn)變溫度()一般>250oC,熱分解溫度()一般>500oC熱尺寸穩(wěn)定性較低的熱膨脹系數(shù)(CTE),一般在10-80ppm/oC。聯(lián)苯型PI的CTE可低至1ppm/oC耐低溫性-269oC液氦中不會脆裂力學(xué)性能拉伸強(qiáng)度/楊氏模量均苯型PI拉伸強(qiáng)度>170MPa,聯(lián)苯型拉伸強(qiáng)度≈400MPa;薄膜楊氏模量≈3-4GPa,纖維楊氏模量>200GPa電學(xué)性能介電常數(shù)/介電損耗介電常數(shù)穩(wěn)定,3.0-4.0之間,介電損耗10-3左右。對頻率、溫度穩(wěn)定性好
本文編號:3099211
【文章來源】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院)廣東省
【文章頁數(shù)】:64 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
(A)電子位移極化、(B)離子位移極化、(C)偶極子極化和(D)空間電荷極化的示意圖[5]
第1章緒論5圖1.2電介質(zhì)材料的極化響應(yīng)過程與頻率的關(guān)系[9,10]Fig.1.2Polarizationresponseasfunctionoffrequencyfordielectricmaterials[9,10]1.2.3電介質(zhì)材料的表征參數(shù)在電介質(zhì)材料的基本特性參數(shù)中,電容量、介電常數(shù)和介電損耗是表征電介質(zhì)材料介電性能的最基本特征參數(shù)。其中介電常數(shù)和介電損耗最為重要。電容(C)隨著電極板面積(A)和中間介質(zhì)的介電常數(shù)(ε)的增大而增大,隨極板間距(d)減小而增大,電容量的計(jì)算公式如(1-1)所示:C=0...(1-1)其中0為真空介電常數(shù),0=8.85×10-12F·m-1,為電介質(zhì)的相對介電常數(shù)。而在交變電場中,介電常數(shù)常用復(fù)數(shù)形式來表示,如式1-2所示:ε=ε"-ε"...(1-2)式中ε"是復(fù)介電常數(shù)的實(shí)部,ε"是復(fù)介電常數(shù)的虛部。實(shí)部ε"即為通常所說的介電常數(shù),介電常數(shù)是材料的本征性質(zhì),表示材料的電荷儲存能力,不受外界環(huán)境影響;虛部ε"即為通常所說的介電損耗,表示材料在外電場作用下的能量損耗,其主要來源于介質(zhì)材料在外電場作用下的發(fā)熱所造成的能量耗散以及介質(zhì)材料在電場下發(fā)生偶極子轉(zhuǎn)向而產(chǎn)生的松弛損耗。而實(shí)際生活中,常用介電損耗正切值,也即損耗因子tanδ,表征介質(zhì)材料的介電損耗程度,tanδ計(jì)算公式如(1-3)所示:tanδ="′...(1-3)
低介電常數(shù)聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備及性能研究61.3聚酰亞胺材料概述1.3.1聚酰亞胺的結(jié)構(gòu)與性能聚酰亞胺(Polyimide,PI)是一類高性能工程聚合物材料,因在其主鏈中含有酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)而得名。根據(jù)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類,PI可以分為脂肪族聚酰亞胺、全芳香族聚酰亞胺和半芳香族聚酰亞胺三類。其中因?yàn)槠湫阅茏顬槌R姷氖欠枷阕寰埘啺,可用通式表示如圖:圖1.3全芳香族聚酰亞胺化學(xué)結(jié)構(gòu)Fig.1.3Chemicalstructureoffullyaromaticpolyimide二胺、二酐分子結(jié)構(gòu)中Ar1、Ar2部分的變化,能夠在較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)聚酰亞胺的性質(zhì)。剛性的酰亞胺環(huán)結(jié)構(gòu)和較強(qiáng)的分子間作用力使其具有良好的耐熱性、耐溶劑性、耐輻射、高絕緣和優(yōu)異的力學(xué)性能[11,12]。其性能特征如下表1.1所示:表1.1聚酰亞胺的性能特征統(tǒng)計(jì)Table1.1Propertiesofthepolyimides性能性能指標(biāo)具體特征熱學(xué)性能耐熱性玻璃化轉(zhuǎn)變溫度()一般>250oC,熱分解溫度()一般>500oC熱尺寸穩(wěn)定性較低的熱膨脹系數(shù)(CTE),一般在10-80ppm/oC。聯(lián)苯型PI的CTE可低至1ppm/oC耐低溫性-269oC液氦中不會脆裂力學(xué)性能拉伸強(qiáng)度/楊氏模量均苯型PI拉伸強(qiáng)度>170MPa,聯(lián)苯型拉伸強(qiáng)度≈400MPa;薄膜楊氏模量≈3-4GPa,纖維楊氏模量>200GPa電學(xué)性能介電常數(shù)/介電損耗介電常數(shù)穩(wěn)定,3.0-4.0之間,介電損耗10-3左右。對頻率、溫度穩(wěn)定性好
本文編號:3099211
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