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鈦酸銅鈣顆粒/聚偏氟乙烯復(fù)合材料介電及擊穿特性研究

發(fā)布時(shí)間:2021-03-21 11:17
  聚偏氟乙烯(PVDF)在電氣設(shè)備中的應(yīng)用十分廣泛,可以通過添加高介電常數(shù)陶瓷材料來提高PVDF的性能。鈦酸銅鈣(CCTO)作為一種巨介電常數(shù)的陶瓷材料,可以有效的提高電介質(zhì)的介電性能。但是作為陶瓷顆粒,在添加進(jìn)PVDF之后會(huì)對(duì)電介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)產(chǎn)生負(fù)面影響。為了提高CCTO/PVDF的擊穿性能,對(duì)CCTO進(jìn)行表面多巴胺(Dopa)包覆。分別將不同比例的CCTO和Dopa@CCTO加入PVDF中,制備不同體積分?jǐn)?shù)的CCTO/PVDF與Dopa@CCTO/PVDF。通過掃描電鏡和紅外光譜對(duì)CCTO、Dopa@CCTO、CCTO/PVDF與Dopa@CCTO/PVDF進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。對(duì)CCTO/PVDF和Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合薄膜分別進(jìn)行介電性能測(cè)試,數(shù)據(jù)結(jié)果表明:隨著CCTO與Dopa@CCTO添加量的增加,CCTO/PVDF復(fù)合薄膜和低摻雜濃度的Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合薄膜的相對(duì)介電常數(shù)均有所提高。在PVDF中添加相同比例的CCTO與Dopa@CCTO,Dopa@CCTO/PVDF介質(zhì)損耗因數(shù)都小于CCTO/PVDF。對(duì)所得到的CCTO/PVDF復(fù)合薄膜進(jìn)行擊穿實(shí)驗(yàn),結(jié)果表... 

【文章來源】:哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】:49 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

鈦酸銅鈣顆粒/聚偏氟乙烯復(fù)合材料介電及擊穿特性研究


不同體積分?jǐn)?shù)下Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合材料的掃描電鏡圖形

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
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[3]鈦酸銅鈣/聚四氟乙烯復(fù)合材料制備及介電性能研究[D]. 萬千星.華中科技大學(xué) 2016
[4]尖晶石結(jié)構(gòu)和層狀結(jié)構(gòu)的材料作為中低溫SOFCs陰極性能的研究[D]. 聶小葉.山西師范大學(xué) 2014
[5]納米鈣銅鈦氧顆粒/聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究[D]. 孫嘉.哈爾濱理工大學(xué) 2014
[6]高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜材料及其介電性[D]. 高亮.哈爾濱理工大學(xué) 2013
[7]CaCu3Ti4O12基巨介電陶瓷的制備與介電性能研究[D]. 熊利蓉.陜西師范大學(xué) 2010



本文編號(hào):3092771

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