鈦酸銅鈣顆粒/聚偏氟乙烯復(fù)合材料介電及擊穿特性研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-21 11:17
聚偏氟乙烯(PVDF)在電氣設(shè)備中的應(yīng)用十分廣泛,可以通過添加高介電常數(shù)陶瓷材料來提高PVDF的性能。鈦酸銅鈣(CCTO)作為一種巨介電常數(shù)的陶瓷材料,可以有效的提高電介質(zhì)的介電性能。但是作為陶瓷顆粒,在添加進(jìn)PVDF之后會(huì)對(duì)電介質(zhì)的擊穿場強(qiáng)產(chǎn)生負(fù)面影響。為了提高CCTO/PVDF的擊穿性能,對(duì)CCTO進(jìn)行表面多巴胺(Dopa)包覆。分別將不同比例的CCTO和Dopa@CCTO加入PVDF中,制備不同體積分?jǐn)?shù)的CCTO/PVDF與Dopa@CCTO/PVDF。通過掃描電鏡和紅外光譜對(duì)CCTO、Dopa@CCTO、CCTO/PVDF與Dopa@CCTO/PVDF進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征。對(duì)CCTO/PVDF和Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合薄膜分別進(jìn)行介電性能測(cè)試,數(shù)據(jù)結(jié)果表明:隨著CCTO與Dopa@CCTO添加量的增加,CCTO/PVDF復(fù)合薄膜和低摻雜濃度的Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合薄膜的相對(duì)介電常數(shù)均有所提高。在PVDF中添加相同比例的CCTO與Dopa@CCTO,Dopa@CCTO/PVDF介質(zhì)損耗因數(shù)都小于CCTO/PVDF。對(duì)所得到的CCTO/PVDF復(fù)合薄膜進(jìn)行擊穿實(shí)驗(yàn),結(jié)果表...
【文章來源】:哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省
【文章頁數(shù)】:49 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同體積分?jǐn)?shù)下Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合材料的掃描電鏡圖形
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]三電極開關(guān)系統(tǒng)自擊穿特性微觀分析[J]. 詹艷艷,劉曉明,吳楠. 沈陽理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2018(01)
[2]高介電常數(shù)聚合物基復(fù)合材料的研究進(jìn)展[J]. 劉士強(qiáng),高軍,畢明宇,孫和鑫,唐慧慧. 黑龍江科學(xué). 2014(03)
[3]高密度CaCu3Ti4O12陶瓷的介電性質(zhì)[J]. 郝文濤,張家良,徐攀攀,曹恩思,彭華. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(01)
[4]非鐵電性巨介電材料CaCu3Ti4O12的研究進(jìn)展[J]. 湛海涯,王艷,李蕾蕾,劉宇,崔斌. 寶雞文理學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2012(03)
[5]高性能BaTiO3/PVDF介電復(fù)合材料及其薄膜電容器應(yīng)用[J]. 黨宇,王瑤,鄧元,張燁,張傳玲,李茂. 復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2012(02)
[6]低損耗高介電常數(shù)CCTO陶瓷的制備與性能研究[J]. 邵守福,董凡,張家良. 電子元件與材料. 2010(12)
[7]高介電常數(shù)、低介電損耗的聚合物基復(fù)合材料[J]. 盧鵬薦,王一龍,孫志剛,官建國. 化學(xué)進(jìn)展. 2010(08)
[8]共沉淀法制備CaCu3Ti4O12陶瓷[J]. 楊雁,李盛濤. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2010(08)
[9]非鐵電巨介電壓敏材料CCTO[J]. 羅紹華,武聰,田勇. 化學(xué)進(jìn)展. 2009(Z2)
[10]CaCu3Ti4O12高介電材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J]. 李含,鄒正光,吳一,龍飛. 硅酸鹽通報(bào). 2009(01)
碩士論文
[1]高介電聚偏氟乙烯基復(fù)合材料的研究[D]. 洪瑋.江蘇大學(xué) 2017
[2]多軸鏡組分光平行性與分光效率檢測(cè)技術(shù)研究[D]. 李淼淼.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]鈦酸銅鈣/聚四氟乙烯復(fù)合材料制備及介電性能研究[D]. 萬千星.華中科技大學(xué) 2016
[4]尖晶石結(jié)構(gòu)和層狀結(jié)構(gòu)的材料作為中低溫SOFCs陰極性能的研究[D]. 聶小葉.山西師范大學(xué) 2014
[5]納米鈣銅鈦氧顆粒/聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究[D]. 孫嘉.哈爾濱理工大學(xué) 2014
[6]高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜材料及其介電性[D]. 高亮.哈爾濱理工大學(xué) 2013
[7]CaCu3Ti4O12基巨介電陶瓷的制備與介電性能研究[D]. 熊利蓉.陜西師范大學(xué) 2010
本文編號(hào):3092771
【文章來源】:哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省
【文章頁數(shù)】:49 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不同體積分?jǐn)?shù)下Dopa@CCTO/PVDF復(fù)合材料的掃描電鏡圖形
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]三電極開關(guān)系統(tǒng)自擊穿特性微觀分析[J]. 詹艷艷,劉曉明,吳楠. 沈陽理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2018(01)
[2]高介電常數(shù)聚合物基復(fù)合材料的研究進(jìn)展[J]. 劉士強(qiáng),高軍,畢明宇,孫和鑫,唐慧慧. 黑龍江科學(xué). 2014(03)
[3]高密度CaCu3Ti4O12陶瓷的介電性質(zhì)[J]. 郝文濤,張家良,徐攀攀,曹恩思,彭華. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(01)
[4]非鐵電性巨介電材料CaCu3Ti4O12的研究進(jìn)展[J]. 湛海涯,王艷,李蕾蕾,劉宇,崔斌. 寶雞文理學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2012(03)
[5]高性能BaTiO3/PVDF介電復(fù)合材料及其薄膜電容器應(yīng)用[J]. 黨宇,王瑤,鄧元,張燁,張傳玲,李茂. 復(fù)合材料學(xué)報(bào). 2012(02)
[6]低損耗高介電常數(shù)CCTO陶瓷的制備與性能研究[J]. 邵守福,董凡,張家良. 電子元件與材料. 2010(12)
[7]高介電常數(shù)、低介電損耗的聚合物基復(fù)合材料[J]. 盧鵬薦,王一龍,孫志剛,官建國. 化學(xué)進(jìn)展. 2010(08)
[8]共沉淀法制備CaCu3Ti4O12陶瓷[J]. 楊雁,李盛濤. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2010(08)
[9]非鐵電巨介電壓敏材料CCTO[J]. 羅紹華,武聰,田勇. 化學(xué)進(jìn)展. 2009(Z2)
[10]CaCu3Ti4O12高介電材料的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)[J]. 李含,鄒正光,吳一,龍飛. 硅酸鹽通報(bào). 2009(01)
碩士論文
[1]高介電聚偏氟乙烯基復(fù)合材料的研究[D]. 洪瑋.江蘇大學(xué) 2017
[2]多軸鏡組分光平行性與分光效率檢測(cè)技術(shù)研究[D]. 李淼淼.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2016
[3]鈦酸銅鈣/聚四氟乙烯復(fù)合材料制備及介電性能研究[D]. 萬千星.華中科技大學(xué) 2016
[4]尖晶石結(jié)構(gòu)和層狀結(jié)構(gòu)的材料作為中低溫SOFCs陰極性能的研究[D]. 聶小葉.山西師范大學(xué) 2014
[5]納米鈣銅鈦氧顆粒/聚酰亞胺復(fù)合薄膜介電性能研究[D]. 孫嘉.哈爾濱理工大學(xué) 2014
[6]高介電系數(shù)聚酰亞胺薄膜材料及其介電性[D]. 高亮.哈爾濱理工大學(xué) 2013
[7]CaCu3Ti4O12基巨介電陶瓷的制備與介電性能研究[D]. 熊利蓉.陜西師范大學(xué) 2010
本文編號(hào):3092771
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