目的提高（SiC）_P的吸波性能。方法采用低成本、環(huán)保型的化學(xué)鍍鎳方法對(duì)（SiC）_P表面進(jìn)行修飾,設(shè)計(jì)了氧化、親水、敏化、活化系列增強(qiáng)前處理工藝,確定了（SiC）_P表面修飾的最佳工藝流程。用SEM、EDS、XRD等分別表征了修飾前后（SiC）_P形貌、成分、物相的改變,采用波導(dǎo)法測(cè)定了修飾后碳化硅復(fù)合粉體的介電性能,并以其為吸波劑在鋁板上制備了吸波材料。結(jié)果修飾后,獲得了鍍層連續(xù)、無(wú)光滑（SiC）_P裸露的較高質(zhì)量的碳化硅復(fù)合粉體（簡(jiǎn)寫(xiě)為（Ni/SiC）_P）。（Ni/SiC）_P較原粉（SiC）_P,其形貌、組成、結(jié)構(gòu)發(fā)生了明顯改變,且介電常數(shù)、介電損耗、吸波性能明顯增強(qiáng),其中,介電常數(shù)的實(shí)部增強(qiáng)約為22%,虛部增強(qiáng)約為20%。涂覆1層（Ni/SiC）_P涂料,在17.12 GHz時(shí),RL=-15.47 dB,大于涂敷2層原粉（SiC）_P涂料的吸收效果。涂覆2層（Ni/SiC）

【文章來(lái)源】：表面技術(shù). 2020,49(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 試劑與原料
    1.2 試樣制備
        1.2.1（SiC）P的前處理
        1.2.2（SiC）P的修飾工藝
        1.2.3 表征方法
2 結(jié)果及分析
    2.1 Ni納米晶的沉積及Ni修飾前后（SiC）P的結(jié)構(gòu)表征
        2.1.1 Ni納米晶的沉積
        2.1.2 實(shí)物比較
        2.1.3 形貌及成分
        2.1.4 物相分析
    2.2 修飾前后（SiC）P的性能分析
        2.2.1 涂層制備
        2.2.2（Ni/SiC）P的介電性能
        2.2.3（Ni/SiC）P的吸波性能
        2.2.4（Ni/SiC）P的介電增強(qiáng)機(jī)理分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]鎳基納米（SiC）P化學(xué)復(fù)合鍍層的研究[J]. 宿輝,張兆國(guó),尹志娟.  表面技術(shù). 2010(02)
[2]化學(xué)鍍制備Ni包覆納米SiC核殼顆粒及其介電響應(yīng)[J]. 鄒桂真,曹茂盛,張亮,金海波,宿輝,王正平.  無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2006(04)
[3]SiC顆粒的表面修飾及結(jié)構(gòu)表征[J]. 宿輝,曹茂盛,王正平,鄒桂真.  材料工程. 2005(02)
[4]SiC納米/微米粒子表面修飾、涂覆的研究進(jìn)展[J]. 宿輝,鄒桂真,曹茂盛.  材料工程. 2004(10)



本文編號(hào)：3089702