CdSe作為重要的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,兩種結(jié)構(gòu)的CdSe晶體室溫禁帶寬度分別為1.75 eV和1.9 eV,其可用于光電應(yīng)用等領(lǐng)域,如光電探測(cè)或太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換,具有廣闊的應(yīng)用前景和重要的理論研究?jī)r(jià)值。本論文采用熱壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技術(shù),在單面拋光的單晶Si（211）襯底表面上首先制備了 InAs薄膜材料,而且通過熱處理對(duì)InAs薄膜進(jìn)行優(yōu)化處理,以降低Si與CdSe之間的晶格和熱膨脹失配,最后在InAs表面探究制備了 CdSe薄膜。CdSe/InAs/Si（211）薄膜的結(jié)構(gòu)、成分、表面形貌借助XRD、SEM、AFM等檢測(cè)手段完成分析,光學(xué)和電學(xué)性能分別借助傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜（FT-IR）、紫外可見吸收光譜（UV-vis）及霍爾（Hall）測(cè)試系統(tǒng)等分析測(cè)試手段,研究了襯底溫度、蒸發(fā)源溫、不同的Cd/Se比例對(duì)InAs/Si（211）薄膜以及CdSe/InAs/Si（211）薄膜表面的結(jié)構(gòu)、形貌以及光電性能的影響,實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:1.采用熱壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技術(shù)在單面拋光的單晶Si（211）襯底表面制備了 InAs薄膜,研究了不... 

【文章來源】：昆明理工大學(xué)云南省

【文章頁(yè)數(shù)】：80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

紅外探測(cè)器工作原理圖

圖１．２金剛石型晶胞的晶體結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１．２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｄｉａｍｏｎｄ??

圖１．４?ＣｄＳｅ的晶胞示意圖??Ｆｉｇ．?１．４?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＣｄＳｅ?ｃｅｌｌ??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]真空蒸發(fā)制備Ⅱ-Ⅵ族硒化物薄膜及其性能研究[D]. 張葉.內(nèi)蒙古大學(xué) 2004



本文編號(hào)：3076984