CdSe作為重要的Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,兩種結構的CdSe晶體室溫禁帶寬度分別為1.75 eV和1.9 eV,其可用于光電應用等領域,如光電探測或太陽能轉換,具有廣闊的應用前景和重要的理論研究價值。本論文采用熱壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技術,在單面拋光的單晶Si（211）襯底表面上首先制備了 InAs薄膜材料,而且通過熱處理對InAs薄膜進行優(yōu)化處理,以降低Si與CdSe之間的晶格和熱膨脹失配,最后在InAs表面探究制備了 CdSe薄膜。CdSe/InAs/Si（211）薄膜的結構、成分、表面形貌借助XRD、SEM、AFM等檢測手段完成分析,光學和電學性能分別借助傅里葉轉換紅外光譜（FT-IR）、紫外可見吸收光譜（UV-vis）及霍爾（Hall）測試系統(tǒng)等分析測試手段,研究了襯底溫度、蒸發(fā)源溫、不同的Cd/Se比例對InAs/Si（211）薄膜以及CdSe/InAs/Si（211）薄膜表面的結構、形貌以及光電性能的影響,實驗結果如下:1.采用熱壁外延（Hot Wall Epitaxy,HWE）技術在單面拋光的單晶Si（211）襯底表面制備了 InAs薄膜,研究了不... 

【文章來源】：昆明理工大學云南省

【文章頁數】：80 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

紅外探測器工作原理圖

圖１．２金剛石型晶胞的晶體結構??Ｆｉｇ．?１．２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｄｉａｍｏｎｄ??

圖１．４?ＣｄＳｅ的晶胞示意圖??Ｆｉｇ．?１．４?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ＣｄＳｅ?ｃｅｌｌ??

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3076984