采用六次甲基四胺作為堿源和氟化銨作為晶體生長的形貌調(diào)節(jié)劑,經(jīng)過水熱反應(yīng)和煅燒處理在泡沫鎳表面生長花簇狀ZnCo₂O₄納米片。通過二次水熱反應(yīng)和煅燒處理在花簇狀ZnCo₂O₄納米片表面原位生長細(xì)小的CoMoO₄納米片,得到具有分級核殼納米結(jié)構(gòu)的ZnCo₂O₄@CoMoO₄三維電極。通過X射線衍射、掃描電鏡、BET比表面積對樣品結(jié)構(gòu)、形貌進(jìn)行了表征。電容性能測試結(jié)果表明,ZnCo₂O₄@CoMoO₄三維電極相比較于單獨(dú)的ZnCo₂O₄和CoMoO₄電極具有更高的比電容、倍率特性和循環(huán)穩(wěn)定性。在電流密度為5mA/cm²或50mA/cm²下,面積比電容分別達(dá)到6.05F/cm²或3.72F/cm²。在電流... 

【文章來源】：化工新型材料. 2020,48(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

ZnCo2O4和ZnCo2O4@CoMoO4的XRD譜圖

ZnCo2O4和ZnCo2O4@CoMoO4的

圖4(b）為ZnCo2O4、CoMoO4和ZnCo2O4@CoMoO4電極的交流阻抗（EIS）譜圖，插圖為EIS等效電路圖，Rs為體系電阻，Rct為電荷轉(zhuǎn)移阻抗，Ci為界面雙電層電容，Zw為Warburg阻抗�；贓IS的等效電路，計(jì)算發(fā)現(xiàn)ZnCo2O4@CoMoO4電極的Rs值（0.52Ω）低于ZnCo2O4電極的Rs值（1.32Ω）和CoMoO4電極的Rs值（0.69Ω），說明ZnCo2O4@CoMoO4電極具有更小的內(nèi)部阻抗。另外ZnCo2O4@CoMoO4電極的Rct值（1.57Ω）低于ZnCo2O4電極的Rct值（2.83Ω）和CoMoO4電極的Rct值（2.23Ω），說明ZnCo2O4@CoMoO4電極具有更低的電荷轉(zhuǎn)移阻抗。以上數(shù)據(jù)表明核殼結(jié)構(gòu)的ZnCo2O4@CoMoO4三維電極具有更高的電子/離子傳導(dǎo)率。2.5 超級電容性能分析


本文編號：3076141