層狀金屬硫化物材料具有獨(dú)特的電子、機(jī)械與光學(xué)性質(zhì),因此近年來在基礎(chǔ)研究中獲得了廣泛的關(guān)注并且在不同領(lǐng)域都具有實(shí)際應(yīng)用。例如在光電、超導(dǎo)、鋰離子電池、超級(jí)電容器以及自旋電子學(xué)方面都有重要的應(yīng)用。MoS₂和SnS₂為典型的層狀金屬硫化物材料,但是非磁性的本質(zhì)限制了其在很多領(lǐng)域上的應(yīng)用。摻雜是改變非磁性半導(dǎo)體材料本征性質(zhì)的一種有效的手段。稀土元素,可以通過隨機(jī)取代陽離子進(jìn)入晶格,f層為內(nèi)層,不容易受到晶場的影響,可以有效改變主體材料的光學(xué)、磁學(xué)以及其他物理性質(zhì),可作為理想的摻雜劑。論文以MoS₂和SnS₂為基底,通過摻雜不同濃度的稀土元素,制備出一系列具有磁學(xué)性質(zhì)的層狀材料。研究了摻雜濃度對(duì)樣品磁學(xué)光學(xué)性質(zhì)影響及其規(guī)律,并對(duì)各個(gè)體系的電子結(jié)構(gòu)與磁性來源進(jìn)行了深入研究。本文的主要內(nèi)容包括:1.制備了不同摻雜濃度的MoS₂:Dy納米片。Dy³⁺離子通過替代Mo⁴⁺離子使MoS₂晶格產(chǎn)生畸變使拉曼峰紅移。合成的樣品具有室溫鐵... 

【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：107 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

化學(xué)氣相沉積法

首先通過高能粒子轟擊（濺射沉積）、在高真空中用激）或在爐中加熱（熱蒸發(fā)沉積）的局部加熱方法來蒸發(fā)塊并凝結(jié)在基底上以形成薄層[22-23]。 展示了濺射沉積技術(shù)的機(jī)制。在真空室內(nèi)，正 Ar 離子從相對(duì)于等離子體）并通過碰撞的動(dòng)量傳遞從其表面噴射出分子碎片均勻地沉積在靶上方的基底上并形成薄層。高以直接買到。對(duì)于其他的 LMDs，可以通過將 MX2粉末冷壓備靶[24-25]。LMDs 是半導(dǎo)體，可以使用直流、射頻和脈沖直仔細(xì)控制濺射條件時(shí)，沉積的 MX2層對(duì)基底具有良好的粘度和高均勻度[27]。濺射的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其相對(duì)低的工作溫和沸點(diǎn)，高的工作溫度會(huì)導(dǎo)致沉積層中出現(xiàn)硫缺陷，低溫

LD 沉積在藍(lán)寶石和 GaN 襯底上的少層 MoS2的脈沖（PLD）示意圖的熱蒸發(fā)方法可以沉積具有可控厚度的均勻和大面法是指 LMDs 粉末源在水平石英管式爐（約 900oC）氣氛中蒸發(fā)。產(chǎn)生的 LMD 蒸汽通過氣流（Ar 或者 A置在下游的較冷區(qū)（約 650oC），逐漸冷凝成納米片


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