為探討電暈放電對復(fù)合薄膜絕緣的損傷過程,參照GB/T 22689—2008標(biāo)準(zhǔn),利用掃描電鏡（SEM）、能譜儀（EDS）、紅外光譜儀（FTIR）研究了PI/Al₂O₃薄膜在電暈放電下老化至擊穿的整個過程。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:隨著電暈放電時(shí)間的延長,電暈破壞區(qū)的表面被破壞的越來越嚴(yán)重,表面的有機(jī)物逐漸減少,氧化鋁越來越多,膨松的氧化鋁在表面形成了連續(xù)覆蓋層。電暈老化擊穿后形成的擊穿孔為20μm左右的圓形孔洞,定位擊穿孔的位置發(fā)現(xiàn)擊穿孔并不在電暈放電破壞的區(qū)域內(nèi),而在中心處不易散熱的區(qū)域,這說明電暈老化擊穿并不是傳統(tǒng)的電擊穿和電化學(xué)擊穿引起的,而是由于電暈放電產(chǎn)生的熱量積累引起材料發(fā)生了熱擊穿。 

【文章來源】：高電壓技術(shù). 2016,42(12)北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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本文編號：3058996