介紹了硅納米線在制備技術(shù)方面的最新進(jìn)展,綜述了硅納米線兩種不同的生長(zhǎng)模式（"自上而下"和"自下而上"）,以及在兩種生長(zhǎng)模式下硅納米線的制備方法,即化學(xué)氣相沉積、分子束外延、激光燒蝕、氧化物輔助生長(zhǎng)、溶液法、電子束光刻、納米壓印光刻和金屬輔助化學(xué)刻蝕等,并對(duì)各種方法的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了仔細(xì)敘述,總結(jié)了硅納米線的兩種典型生長(zhǎng)方向（平面和垂直）的研究現(xiàn)狀。最后闡述了近年來硅納米線在電子器件、傳感器件和太陽能電池的應(yīng)用情況,并展望其發(fā)展趨勢(shì),為科研人員進(jìn)一步開拓硅納米線研究提供一定參考。 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(09)北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁

【部分圖文】：

化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)硅納米線

MBE生長(zhǎng)硅納米線

該生長(zhǎng)機(jī)理關(guān)鍵在于系統(tǒng)中發(fā)生了歧化反應(yīng),由SiO很容易歧化得到Si與SiO2,得到的硅納米線是由晶體硅核及一層無定形硅氧化合物組成。目前OAG法的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)物沒有金屬污染,操作簡(jiǎn)單;而缺點(diǎn)是反應(yīng)溫度較高,設(shè)備要求高,不好控制硅納米線生長(zhǎng)。圖4 氧化輔助生長(zhǎng)硅納米線示意圖[21]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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