發(fā)布時間：2021-02-27 04:48

　　隨著人工智能與大數(shù)據(jù)時代的到來,人們對信息的高效收集、高密度存儲、快速處理,變得越來越迫切。高密度存儲需要相應(yīng)的新技術(shù)、新理論、新材料的支撐。新技術(shù)方面的發(fā)展主要有垂直磁記錄技術(shù)（PMR）、疊瓦式存儲技術(shù)（SMR）和微波輔助磁記錄技術(shù)（MAMR）。新理論方面的發(fā)展主要有磁阻（MR）效應(yīng)和巨磁電阻（GMR）效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)。新材料方面的發(fā)展,隨著記錄密度的提高,主要面臨的是超順磁極限,而目前投入生產(chǎn)的Li0相的FePt材料的記錄潛力已經(jīng)發(fā)揮到了極致,要想進(jìn)一步減小記錄位的體積實現(xiàn)更高密度的存儲,必須探尋并且制備磁晶各向異性能和飽和磁化強(qiáng)度更高的新材料,因此bct-FeCo材料成為了研究的熱點。本文主要從熱應(yīng)力和外應(yīng)力對bct-FeCo薄膜的磁性能影響以及制備了[FeCo/Rh]n多層膜結(jié)構(gòu),這三個方面展開研究。第一部分,主要采用磁控濺射的方法,在glass基片和NaCl基片上沉積CrRu（002）/Rh（002）/FeCo（002）/Rh的多層薄膜結(jié)構(gòu),對比研究了熱應(yīng)力對bct-FeCo薄膜的磁性能的影響,主要得到以下結(jié)論:1.CrRu薄膜的濺射參數(shù)為5 mTorr Ar,基片溫度300℃,D... 

【文章來源】：蘭州交通大學(xué)甘肅省

【文章頁數(shù)】：57 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

世界上第一塊硬盤

磁記錄介質(zhì)用四角形變FeCo薄膜的制備及應(yīng)力影響研究-2-這種型號的硬盤體積龐大且容量小，具體詳見相關(guān)報道[4]。但是這在當(dāng)時計算機(jī)存儲設(shè)備匱乏的年代里，不僅推動了計算機(jī)的發(fā)展而且也被用到了銀行、醫(yī)療等領(lǐng)域。在經(jīng)過了一段時間的發(fā)展與應(yīng)用，350RAMAC暴露出了一系列問題，例如體積大、速度慢、容量小的缺點。這已經(jīng)無法滿足要求，因此IBM就提出了一個全新的硬盤結(jié)構(gòu)，這就是眾所周知的溫切斯特盤，其型號被定為IBM3340，其容量和體積也得到了一定的改善，這就是硬盤的最早雛形，其具體結(jié)構(gòu)如圖1.2所示。圖1.2IBM3340硬盤1979年IBM發(fā)明的薄膜磁頭技術(shù)大大降低了磁頭和磁片的距離，加大了數(shù)據(jù)存儲的密度。這可以將硬盤的體積在不改變IBM3340盤基本結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)一步的減小，而其讀寫速度和容量也得到了改善。不久之后IBM就將薄膜磁頭的硬盤應(yīng)用到中型電腦上，而且還取得了比較好的效果，其型號為IBM3370。在第二年，也就是1980年經(jīng)過了短短一年的時間IBM就研制成功了容量高達(dá)GB級的硬盤，IBM3380如圖1.3所示。這款GB級容量的硬盤與我們現(xiàn)在使用的硬盤相比還是太重，大約230kg。圖1.3IBM3380硬盤

磁記錄介質(zhì)用四角形變FeCo薄膜的制備及應(yīng)力影響研究-2-這種型號的硬盤體積龐大且容量小，具體詳見相關(guān)報道[4]。但是這在當(dāng)時計算機(jī)存儲設(shè)備匱乏的年代里，不僅推動了計算機(jī)的發(fā)展而且也被用到了銀行、醫(yī)療等領(lǐng)域。在經(jīng)過了一段時間的發(fā)展與應(yīng)用，350RAMAC暴露出了一系列問題，例如體積大、速度慢、容量小的缺點。這已經(jīng)無法滿足要求，因此IBM就提出了一個全新的硬盤結(jié)構(gòu)，這就是眾所周知的溫切斯特盤，其型號被定為IBM3340，其容量和體積也得到了一定的改善，這就是硬盤的最早雛形，其具體結(jié)構(gòu)如圖1.2所示。圖1.2IBM3340硬盤1979年IBM發(fā)明的薄膜磁頭技術(shù)大大降低了磁頭和磁片的距離，加大了數(shù)據(jù)存儲的密度。這可以將硬盤的體積在不改變IBM3340盤基本結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)一步的減小，而其讀寫速度和容量也得到了改善。不久之后IBM就將薄膜磁頭的硬盤應(yīng)用到中型電腦上，而且還取得了比較好的效果，其型號為IBM3370。在第二年，也就是1980年經(jīng)過了短短一年的時間IBM就研制成功了容量高達(dá)GB級的硬盤，IBM3380如圖1.3所示。這款GB級容量的硬盤與我們現(xiàn)在使用的硬盤相比還是太重，大約230kg。圖1.3IBM3380硬盤

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]14TB大容量,超乎你想象 希捷酷魚Pro 14TB機(jī)械硬盤評測[J]. 楊啟雄.  消費電子. 2019(03)
[2]固態(tài)硬盤vs機(jī)械硬盤的數(shù)據(jù)存儲之爭[J]. 馬建.  計算機(jī)與網(wǎng)絡(luò). 2019(02)
[3]家用PC機(jī)存儲系統(tǒng)的選擇[J]. 王建國.  電腦知識與技術(shù). 2018(22)
[4]淺析計算機(jī)硬盤技術(shù)發(fā)展與優(yōu)化應(yīng)用[J]. 權(quán)少亭,周慧寧,商歡,李超,燕昊,何娜.  電腦知識與技術(shù). 2018(20)
[5]機(jī)械硬盤與固態(tài)硬盤的介紹與市場情況[J]. 左天宇.  中國新通信. 2017(08)
[6]基于磁性材料退磁場理論的研究[J]. 黃迪,田立強(qiáng),張亞萍.  黑龍江科技信息. 2015(33)
[7]半導(dǎo)體外延層晶格失配度的計算[J]. 何菊生,張萌,肖祁陵.  南昌大學(xué)學(xué)報(理科版). 2006(01)
[8]薄膜熱應(yīng)力的研究[J]. 周志烽,范玉殿.  真空科學(xué)與技術(shù). 1996(05)
[9]新型硬盤:體積更小,存儲量更大[J]. 柴振榮.  管理科學(xué)文摘. 1996(01)
[10]以密勒指數(shù)（hkl）標(biāo)志的晶面族面間距公式[J]. 吳英凱.  大學(xué)物理. 1991(10)

博士論文
[1]超高密度磁記錄介質(zhì)用Fe-Pt薄膜的研究[D]. 曹江偉.蘭州大學(xué) 2006

碩士論文
[1]磁性材料退磁場理論的研究[D]. 昝會萍.西安建筑科技大學(xué) 2008



本文編號：3053710