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二維材料α-TiCl 3 和α-TiBr 3 的磁性與結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)的探究

發(fā)布時(shí)間:2021-02-24 10:10
  二維層狀的過(guò)渡金屬鹵化物種類(lèi)繁多并且具有非常有趣的晶體學(xué)和磁性行為。在一些過(guò)渡金屬鹵化物中觀察到由溫度或壓力的變化引起的相變,相變后材料的結(jié)構(gòu)和性能會(huì)發(fā)生變化,材料的結(jié)構(gòu)和磁性的關(guān)聯(lián)也是目前研究的一大熱點(diǎn)。α-TiCl3單晶和α-TiBr3單晶都是典型的范德瓦爾斯晶體,層內(nèi)由Ti3+形成六邊形的蜂巢狀結(jié)構(gòu),層間依靠較弱的范德瓦爾斯力結(jié)合。由于二者都極不穩(wěn)定,所以目前對(duì)它們的研究并不多。之前的報(bào)道已經(jīng)證實(shí)α-TiCl3單晶在220 K附近發(fā)生了由于Ti3+的二聚化引起的結(jié)構(gòu)相變,但α-TiBr3單晶的相變機(jī)理尚在研究。本論文制備了二維層狀的α-TiCl3單晶和α-TiBr3單晶,并利用X射線衍射分析(XRD)和能量色散X射線譜(EDS)確定單晶成分和質(zhì)量,通過(guò)變溫XRD和比熱測(cè)量發(fā)現(xiàn)了α-TiBr3單晶在180 K附近的結(jié)構(gòu)相變,利用磁化率和變溫拉曼光譜探究了α-TiBr3單晶在相變前后材料的結(jié)構(gòu)與磁性的關(guān)聯(lián)。對(duì)α... 

【文章來(lái)源】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】:73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

二維材料α-TiCl 3 和α-TiBr 3 的磁性與結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)的探究


石墨烯的結(jié)構(gòu)與能帶[7]

過(guò)渡金屬,化合物,原子,帶隙


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文-4-金屬原子M為Mo原子或W原子時(shí),形成的化合物均為穩(wěn)定的2H相半導(dǎo)體;而當(dāng)金屬原子M為Nb原子或V原子時(shí),形成的化合物均為具有金屬性的化合物。我們還發(fā)現(xiàn)所有MO2材料都是間接帶隙的半導(dǎo)體,而其他組分的材料則通常是直接帶隙的半導(dǎo)體。圖1-2過(guò)渡金屬硫族化合物典型的1T、2H和3R三種結(jié)構(gòu)[19]圖1-344種過(guò)渡金屬硫族化合物的穩(wěn)定性及半導(dǎo)體性質(zhì)的總結(jié)[15]MoS2是一種典型的TMDs材料,2H相是其在熱力學(xué)上最穩(wěn)定存在結(jié)構(gòu)。MoS2的層狀結(jié)構(gòu)由六邊形組成,在晶格中Mo原子和S原子交替位于六邊形的角上,范德瓦爾斯力將相鄰的兩層結(jié)合在一起形成堆疊結(jié)構(gòu),所以MoS2極易發(fā)生層與層之間的滑移,它也因此而成為固體潤(rùn)滑領(lǐng)域的佼佼者。MoS2與零帶隙石墨烯和絕緣六方氮化硼最不同的顯著特征是塊狀MoS2是具有間接帶隙的半導(dǎo)體,塊體MoS2的帶隙為1.29eV,更令人感興趣的是,隨著MoS2厚

過(guò)渡金屬,半導(dǎo)體,化合物,性質(zhì)


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文-4-金屬原子M為Mo原子或W原子時(shí),形成的化合物均為穩(wěn)定的2H相半導(dǎo)體;而當(dāng)金屬原子M為Nb原子或V原子時(shí),形成的化合物均為具有金屬性的化合物。我們還發(fā)現(xiàn)所有MO2材料都是間接帶隙的半導(dǎo)體,而其他組分的材料則通常是直接帶隙的半導(dǎo)體。圖1-2過(guò)渡金屬硫族化合物典型的1T、2H和3R三種結(jié)構(gòu)[19]圖1-344種過(guò)渡金屬硫族化合物的穩(wěn)定性及半導(dǎo)體性質(zhì)的總結(jié)[15]MoS2是一種典型的TMDs材料,2H相是其在熱力學(xué)上最穩(wěn)定存在結(jié)構(gòu)。MoS2的層狀結(jié)構(gòu)由六邊形組成,在晶格中Mo原子和S原子交替位于六邊形的角上,范德瓦爾斯力將相鄰的兩層結(jié)合在一起形成堆疊結(jié)構(gòu),所以MoS2極易發(fā)生層與層之間的滑移,它也因此而成為固體潤(rùn)滑領(lǐng)域的佼佼者。MoS2與零帶隙石墨烯和絕緣六方氮化硼最不同的顯著特征是塊狀MoS2是具有間接帶隙的半導(dǎo)體,塊體MoS2的帶隙為1.29eV,更令人感興趣的是,隨著MoS2厚

【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]二維鐵磁材料的制備及其自旋器件的研究[D]. 馮超.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2019

碩士論文
[1]二維磁性材料CuCrP2S6的拉曼特性[D]. 易康源.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2019



本文編號(hào):3049214

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