金屬氧化物作為半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于光電催化領(lǐng)域。CuO和Cu20都是p型半導(dǎo)體,CuO的禁帶寬度為1.2eV,Cu2O的禁帶寬度為1.9～2.2eV,都吸收可見(jiàn)光,能作為可見(jiàn)光光催化材料。ZnO是一種n型半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.37 eV。CuO/ZnO或Cu20/ZnO復(fù)合薄膜都顯示出良好的光催化/光電化學(xué)性能。黃銅的主要成分是Cu和Zn,可以在其表面形成CuO、Cu2O和ZnO等氧化物,在制備復(fù)合金屬氧化物半導(dǎo)體方面具有很大的優(yōu)勢(shì)。本論文研究了通過(guò)草酸腐蝕在黃銅基底上制備銅/鋅復(fù)合氧化物薄膜的過(guò)程,考察了腐蝕條件對(duì)薄膜光電性能的影響規(guī)律。利用掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線粉末衍射儀（XRD）、激光拉曼光譜儀（Raman）、透射電子顯微鏡（TEM）和X射線光電子能譜（XPS）等對(duì)薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)和組成進(jìn)行了表征,在0.1 mol·L--溶液中通過(guò)光電流-時(shí)間曲線的方法測(cè)試了樣品的光電化學(xué)性能。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:1、酸種類的影響。經(jīng)濃度為10%的磷酸（1.6mol·L-1）、乙酸（1.7 moL·L-1）和草酸（1.1 mol·L-1）腐蝕處理黃銅片表面,在60 ℃的烘箱中... 

【文章來(lái)源】：浙江師范大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

光電化學(xué)電池原理示意圖

滴酸；（ｂ）鱗酸；（ｃ）乙酸：（ｄ）草酸??３．２．３?ＸＲＤ結(jié)構(gòu)分析??圖３．３所示是在６０°Ｃ下，經(jīng)濃度為１０％的三種不同類型的磷酸、乙酸和草??酸腐蝕制備的樣品的ＸＲＤ圖譜，其中圖３．３（ａ）為未經(jīng)任何處理的黃銅基底的??ＸＲＤ圖譜。所有樣品都在２０為４２．３°、４９．２°、７２．２°、８７．４°和９２．４°處出現(xiàn)五個(gè)強(qiáng)??峰，這五個(gè)強(qiáng)峰分別對(duì)應(yīng)于基底ａ－黃銅相（１１１）、（２００）、（２２０）、（３１１）和（２２２）晶面??１８??

后更有利于光電化學(xué)性能的提高。??３．２．４表面Ｒａｍａｎ分析??圖３．４所示為６０?°Ｃ下，濃度為１０％的三種不同類型的酸制備的樣品的Ｒａｍａｎ??圖譜。未滴加酸直接鍛燒和經(jīng)磷酸腐蝕后形成的氧化膜在９３、１０７、１４８、２１８、??６３５和６５０?ｃｍ—１處都出現(xiàn)了?Ｒａｍａｎ散射峰，而經(jīng)乙酸腐蝕后的氧化膜除了在９３、??１０７、１４８?和?２１８?ｃｍ＿１?處出現(xiàn)?Ｒａｍａｎ?散射峰，在?３０６、３５７、４２０?和?６３５?ｃｉｒｆ１?處也??出現(xiàn)了?Ｒａｍａｎ散射峰。經(jīng)草酸腐蝕制備的樣品薄膜在２９１、３４１、６０３、６２１和１１０８??ｃｎｆ１處出現(xiàn)Ｒａｍａｎ散射峰，與其它樣品的出峰位置有很大差異，表明酸種類對(duì)??樣品表面的Ｒａｍａｎ散射峰有很大的影響。根據(jù)文獻(xiàn)，我們將９３、４２０和６２１?ｃｍ＿１??，?？Ｃｕ２〇?ＶＣｕＯ?？ＺｎＯ??立?Ｍ一?Ｌ??ｔｎ??２００?４００?６００?８００?１０００?１２００?１４００??Ｒａｍａｎ?ｓｈｉｆｔ?（ｃｍ＊１）??Ｆｉｇｕｒｅ?３．４?Ｒａｍａｎ?ｐａｔｔｅｒｎ?ｏｆ?ｏｘｉｄｅ?ｆｉｌｍｓ?ｏｎ?ｔｈｅ?ｂｒａｓｓ?ｇｒｏｗｎ?ｉｎ?ｖａｒｉｏｕｓ?ｔｙｐｅｓ?ｏｆ?ａｃｉｄ?（１０％，?６０?°Ｃ）：??（ａ）?ｈｅａｔｉｎｇ；?（ｂ）?ａｃｅｔｉｃ?ａｃｉｄ；?（ｃ）?ｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ?ａｃｉｄ；?（ｄ）?ｏｘａｌｉｃ?ａｃｉｄ??圖３．４黃銅基底被不同種類酸腐蝕形成的氧化膜的ＸＲＤ圖譜：酸類型（１０％，?６０?°Ｃ）：?（ａ）未??滴酸；（ｂ）乙酸；（ｃ）磷酸；（ｄ）草酸??處的?Ｒａｍａｎ?散射峰歸于?ＺｎＯ［７９’８°］

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Zn摻雜納米TiO2材料制備與光催化性能的研究[J]. 楊在志,傅小明,李向成.  人工晶體學(xué)報(bào). 2017(10)
[2]具有優(yōu)異光電化學(xué)性能的三維p-CuO/n-ZnO異質(zhì)結(jié)光陰極材料（英文）[J]. 武芳麗,曹風(fēng)人,劉瓊,盧豪,李亮.  Science China Materials. 2016(10)
[3]超薄SnO2修飾Cu2O多孔薄膜的可見(jiàn)光光電化學(xué)性能[J]. 羅晶晶,范旭良,馬榮偉,胡浩,牛振江.  電鍍與涂飾. 2015(12)
[4]納米Cu-Zn復(fù)合氧化物自組裝合成及可見(jiàn)光催化性能[J]. 劉鵬,宋偉明.  化學(xué)反應(yīng)工程與工藝. 2015(03)
[5]陽(yáng)極鈍化電位對(duì)黃銅表面鈍化膜半導(dǎo)體性能的影響[J]. 孟新靜,周瓊宇,鐘慶東.  表面技術(shù). 2014(04)
[6]酸性鍍銅法制備黃銅基超疏水表面[J]. 曹凱,張謙,陳福明.  電鍍與涂飾. 2014(04)
[7]Bi2O2CO3/TiO2復(fù)合粉體的制備及其光催化性能研究[J]. 呂霄,唐子龍,翟向樂(lè),羅紹華.  功能材料. 2013(12)
[8]黃銅的成分、性能及典型應(yīng)用[J]. 國(guó)占玲.  黑龍江科技信息. 2012(28)
[9]Ni–P/TiO2/Cu2O復(fù)合膜的制備及其可見(jiàn)光催化活性研究[J]. 云廣平,梁燕萍,吳振森.  電鍍與涂飾. 2011(02)
[10]Cu2O納米陣列的銅陽(yáng)極氧化法制備及其光催化殺菌性能研究[J]. 閆麗麗,王艷,熊良斌,李家麟,枼浩然,王保強(qiáng),余穎.  無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào). 2009(11)



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