在航空發(fā)動(dòng)機(jī)的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證試驗(yàn)中,需要準(zhǔn)確測(cè)量渦輪葉片表面和燃燒室內(nèi)壁等熱端部件的表面溫度及分布,以準(zhǔn)確評(píng)估熱端部件的冷效設(shè)計(jì)和熱障涂層的效果。相較于鎧裝熱電偶絲,薄膜熱電偶具有不破壞測(cè)試部件結(jié)構(gòu)、響應(yīng)時(shí)間短、熱容量小和結(jié)構(gòu)尺寸薄等優(yōu)點(diǎn),因此在熱端部件的表面溫度測(cè)量方面具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。隨著航空發(fā)動(dòng)機(jī)不斷向大推力、大推重比的方向發(fā)展,渦輪葉片表面以及燃燒室內(nèi)壁等部位溫度急劇升高（>1100℃）,常規(guī)的金屬薄膜熱電偶材料體系已經(jīng)無(wú)法滿足應(yīng)用環(huán)境需求,而In₂O₃/ITO寬禁帶半導(dǎo)體型全陶瓷薄膜熱電偶具有耐高溫和抗氧化能力強(qiáng)等特點(diǎn),并且賽貝克系數(shù)較大,因此對(duì)于惡劣環(huán)境下的高溫測(cè)量具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本論文針對(duì)高溫?zé)岫瞬考砻鏈囟葴y(cè)量的應(yīng)用背景,開展了In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備技術(shù)及性能研究,重點(diǎn)研究了氮摻雜和退火處理對(duì)In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶熱電性能的影響。首先,對(duì)射頻濺射In₂O₃薄膜... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：72 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 國(guó)內(nèi)外研究歷史與現(xiàn)狀
    1.3 選題依據(jù)及研究?jī)?nèi)容
        1.3.1 選題依據(jù)
        1.3.2 研究?jī)?nèi)容
2O₃薄膜的制備工藝和性能研究">第二章 In₂O₃薄膜的制備工藝和性能研究
    2.1 薄膜制備方法
    2.2 薄膜表征方法
        2.2.1 臺(tái)階儀
        2.2.2 四探針測(cè)試儀
        2.2.3 掃描電子顯微鏡（SEM）
        2.2.4 X射線衍射（XRD）儀
2O₃薄膜的制備和性能研究">    2.3 In₂O₃薄膜的制備和性能研究
2O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響">        2.3.1 濺射氣壓對(duì)In₂O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響
2O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響">        2.3.2 濺射功率對(duì)In₂O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響
2O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響">        2.3.3 濺射氣氛中含氮比例對(duì)In₂O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響
2O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響">        2.3.4 退火處理對(duì)In₂O₃薄膜微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響
    2.4 本章小結(jié)
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備和性能研究">第三章 陶瓷基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備和性能研究
    3.1 薄膜熱電偶的基本理論
        3.1.1 賽貝克效應(yīng)
        3.1.2 熱電偶回路定律
    3.2 薄膜熱電偶的熱電性能測(cè)試
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備">    3.3 陶瓷基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的影響">    3.4 退火處理對(duì)In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的影響
2O₃/ITO薄膜熱電偶未退火處理時(shí)的性能測(cè)試">        3.4.1 In₂O₃/ITO薄膜熱電偶未退火處理時(shí)的性能測(cè)試
2O₃/ITO薄膜熱電偶性能的影響">        3.4.2 真空/大氣退火處理對(duì)In₂O₃/ITO薄膜熱電偶性能的影響
2O₃/ITO薄膜熱電偶性能的影響">        3.4.3 氮?dú)?大氣退火處理對(duì)In₂O₃/ITO薄膜熱電偶性能的影響
2O₃保護(hù)層對(duì)In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的影響">    3.5 Al₂O₃保護(hù)層對(duì)In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的影響
    3.6 本章小結(jié)
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備和性能研究">第四章 金屬基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備和性能研究
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的結(jié)構(gòu)">    4.1 金屬基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的結(jié)構(gòu)
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備">    4.2 金屬基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶的制備
2O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的研究">    4.3 金屬基In₂O₃/ITO高溫陶瓷薄膜熱電偶性能的研究
    4.4 本章小結(jié)
第五章 結(jié)論與展望
    5.1 結(jié)論
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]陶瓷基Pt/ITO薄膜熱電偶的制備與性能研究[J]. 劉海軍,蔣洪川,吳勐,趙曉輝,蔣書文,張萬(wàn)里.  傳感器與微系統(tǒng). 2015(03)
[2]金屬基Pt/ITO薄膜熱電偶的制備[J]. 趙文雅,蔣洪川,陳寅之,張萬(wàn)里,劉興釗,彭少龍,唐磊.  測(cè)控技術(shù). 2013(04)
[3]熱處理溫度對(duì)氧化銦薄膜特性的影響[J]. 馮圖,陳懷禮,趙慧芳.  傳感器世界. 2012(03)
[4]功能-結(jié)構(gòu)一體化NiCr/NiSi薄膜熱電偶的制備[J]. 王從瑞,蔣洪川,陳寅之,張萬(wàn)里,劉興釗,唐磊,于浩.  測(cè)控技術(shù). 2011(10)
[5]退火氛圍及溫度對(duì)摻鈦氧化銦薄膜光電性能的影響[J]. 顏魯婷,張路寧,周春燕,艾小東,李天翔.  稀有金屬材料與工程. 2011(S2)
[6]濺射薄膜熱電偶在非金屬結(jié)構(gòu)表面瞬態(tài)溫度測(cè)量中的應(yīng)用研究[J]. 郝慶瑞,姜亞軍.  宇航計(jì)測(cè)技術(shù). 2010(02)
[7]溫度測(cè)量技術(shù)現(xiàn)狀和發(fā)展概述[J]. 楊永軍.  計(jì)測(cè)技術(shù). 2009(04)
[8]航空發(fā)動(dòng)機(jī)研制高溫測(cè)量技術(shù)探討[J]. 楊永軍,蔡靜,趙儉.  計(jì)測(cè)技術(shù). 2008(S1)
[9]熱電偶傳感器的教學(xué)探討[J]. 夏敖敖,談增師.  常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報(bào). 2006(01)
[10]磁控濺射法制備NiCr/NiSi薄膜熱電偶溫度傳感器[J]. 賈穎,孫寶元,曾其勇,徐靜.  儀表技術(shù)與傳感器. 2006(02)

博士論文
[1]在鎳基高溫合金上制備薄膜熱電偶及其相關(guān)技術(shù)研究[D]. 陳寅之.電子科技大學(xué) 2014

碩士論文
[1]In2O3/ITO集成薄膜熱電偶的制備及性能研究[D]. 劉海軍.電子科技大學(xué) 2015
[2]氧化銦納米材料結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)的研究[D]. 楊林紅.復(fù)旦大學(xué) 2011
[3]射頻磁控濺射ZnO：Al薄膜及其特性研究[D]. 劉著光.廈門大學(xué) 2008



本文編號(hào)：3028890