隨著電磁屏蔽領(lǐng)域的發(fā)展,傳統(tǒng)的金屬等材料的弊端日現(xiàn),因此急切地需要電磁屏蔽性能優(yōu)異、機(jī)械性能和穩(wěn)定性較好的材料來(lái)滿足電子設(shè)備及人類健康等需求。經(jīng)過(guò)本文的討論,復(fù)合材料將會(huì)成為今后電磁屏蔽材料的發(fā)展趨勢(shì),而質(zhì)輕復(fù)合材料為材料本身帶來(lái)的高性能以及人類使用時(shí)的便捷性成為當(dāng)下的研究方向。本文以質(zhì)輕復(fù)合材料為藍(lán)圖,設(shè)計(jì)了一種高導(dǎo)電、高度多孔的AgNWs/Ti3C2Tx復(fù)合薄膜,并深入研究了該復(fù)合薄膜的電磁屏蔽性能、機(jī)械性能和穩(wěn)定性,探究其主要的屏蔽機(jī)制。論文主要包含以下幾個(gè)方面:（1）首先針對(duì)選材問(wèn)題,研究了不同直徑的AgNWs和不同厚度Ti3C2Tx對(duì)最終制備的薄膜的影響,尤其是電導(dǎo)率的影響。研究發(fā)現(xiàn)直徑較粗的AgNWs所制備的薄膜具備較高的電導(dǎo)率,其中直徑～150 nm的AgNWs（即粗線）制備的薄膜電導(dǎo)率約為12345 S/cm。這主要是由于直徑較大的AgNWs橫截面積越大,對(duì)于單根AgNW的電阻也就越小。同時(shí)剝離之后的Ti3C2Tx（即少層Ti3C2Tx）制備的薄膜具備較高的電導(dǎo)率,大約為1793 S/cm。這主要是由于少層Ti3C2Tx薄膜的電子傳輸時(shí)碰撞幾率降低,電子遷移率提高。因此... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１入射電磁輻射的衰減機(jī)制【４１１

?第１章緒論???（１．４）所示，其中／、＃、Ｃ７分別指頻率、磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率［４６］。當(dāng)樣品的厚度大??于趨膚深度時(shí)吸收的電磁波遠(yuǎn)大于反射的電磁波，這時(shí)則可以忽略多次反射帶??來(lái)的影響，在屏蔽過(guò)程可以當(dāng)做只有反射和吸收兩種情況。將趨膚深度公式??（１．４）帶入至公式（１．３）中則電磁屏蔽效能（見）可以表示為公式（１．５）?［４１，??４７］０??Ｓ＝?．?１?（１．４）??７咖〇■??＇?／?Ｎ］?（＾?〇?７?，?＼??ＳＥ＝?３９．５?＋?１０１ｏｇ?－＾―?＋?－ｆ＝?（１．５）??ＰＯＲＴ?１?８１２??Ａ?ｓｔｉ??ＥＭＩ?Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ??Ｍａｔｅｒｉａｌ??Ｓ２１?ＰＯＲＴ?２??圖１．２雙端口電磁干擾屏蔽材料的散射參數(shù)［４６１。??在實(shí)驗(yàn)中，為了測(cè)得一個(gè)屏蔽材料的電磁屏蔽效能（Ｓ￡）以及反射損耗??（又心）和吸收損耗（＾私），需要通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試出電磁輻射的散射參數(shù)??（Ｓ參數(shù)），如圖１．２所示：知（或知）和此（或＊１），并通過(guò)公式（１．６）、??（１．７）計(jì)算得出電磁波的反射系數(shù)（／？）和透射系數(shù)（ｎ?，由于電磁波總能??量守恒，可以由公式（１．８）得出吸收系數(shù)（ｄ）?［４８】。??Ｒ?＝?ＳＵ２?（１．６）??Ｔ?＝?Ｓ２ｉ２?（１．７）??＾?＝?ｌ－（＾?＋?ｒ）?（１．８）??進(jìn)而通過(guò)各部分效能的公式（１．９）、（１．１０）和（１．１１），并將得到的３＂、??兒／？帶入計(jì)算可得見、見只和５＾丨４８肩。??４??

卜咖?ｗ?－１７?－?Ｉ?？?ＴＯＢｄ??１?ｉ＿ｉｓｒ???；；－－：：：：－－：：：＾：：：：：：：：：：：：：：??－２１?Ｕ￣１￣１￣￣＇￣￣１￣￣１￣￣１￣￣１￣１￣＇￣１￣＇￣Ｉ￣＇￣Ｕ?竇▼▼竇曹?Ｔ?Ｔ?Ｔ?Ｔ?寶彎?Ｔ?▼?Ｔ?Ｔ?▼??８．０?８．５?９．０?９．５?１０?０?１０．５?１１．０?１１．５?１２．０?１２?１３?１４?１５?１６?１？?１８??Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ?（ＧＨｚ）?Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ?（ＧＨｚ）??圖１．３不同的ＰＡＮＩ／Ｓｂ２０３復(fù)合材料在（ａ）?Ｘ波段和（ｂ）?Ｋｕ波段的ＥＭＩ?ＳＥ丨５４】。??碳納米材料因其低密度、高縱橫比和柔韌性而被用作本征導(dǎo)電聚合物材料??中的雜質(zhì)相［５Ｇ］。Ｓａｉｎｉ等人［５６］通過(guò)原位聚合技術(shù)將ＰＡＮＩ涂覆在雙壁碳納米管??（ＤＷＮＴ）上，從而制備了導(dǎo)電通路高度連貫的ＰＡＮＩ／ＤＷＮ丁復(fù)合材料。如圖??Ｋ４所示，ＤＷＮＴ的引入可以有效地將原有松散的ＰＡＮＩ顆粒充分連接，起到??了互連橋的作用并提供了更多的導(dǎo)電通路，從而提升了?ＰＡＮＩ的導(dǎo)電性，這種??復(fù)雜而無(wú)序的填充結(jié)構(gòu)是導(dǎo)致復(fù)合材料空隙減少、密度增大、電導(dǎo)率提升的主??要原因。其中２５％ＭＷＣＮＴ－聚苯胺納米復(fù)合材料（１９．７Ｓ／ｃｍ）具有著高于原??始?ＤＷＮＴ?（１９．１?Ｓ／ｃｍ）和?ＰＡＮＩ?（２．０?Ｓ／ｃｍ）的電導(dǎo)率，并且在?１２．４－１８．０?ＧＨｚ??的頻率范圍內(nèi)獲得了?２７．５至３９．２?ｄＢ的以吸收為主的電磁屏蔽效能。??６??


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