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電磁屏蔽性能優(yōu)異的AgNWs-Ti 3 C 2 T x 復(fù)合薄膜的制備

發(fā)布時間:2021-02-11 06:08
  隨著電磁屏蔽領(lǐng)域的發(fā)展,傳統(tǒng)的金屬等材料的弊端日現(xiàn),因此急切地需要電磁屏蔽性能優(yōu)異、機械性能和穩(wěn)定性較好的材料來滿足電子設(shè)備及人類健康等需求。經(jīng)過本文的討論,復(fù)合材料將會成為今后電磁屏蔽材料的發(fā)展趨勢,而質(zhì)輕復(fù)合材料為材料本身帶來的高性能以及人類使用時的便捷性成為當下的研究方向。本文以質(zhì)輕復(fù)合材料為藍圖,設(shè)計了一種高導(dǎo)電、高度多孔的AgNWs/Ti3C2Tx復(fù)合薄膜,并深入研究了該復(fù)合薄膜的電磁屏蔽性能、機械性能和穩(wěn)定性,探究其主要的屏蔽機制。論文主要包含以下幾個方面:(1)首先針對選材問題,研究了不同直徑的AgNWs和不同厚度Ti3C2Tx對最終制備的薄膜的影響,尤其是電導(dǎo)率的影響。研究發(fā)現(xiàn)直徑較粗的AgNWs所制備的薄膜具備較高的電導(dǎo)率,其中直徑~150 nm的AgNWs(即粗線)制備的薄膜電導(dǎo)率約為12345 S/cm。這主要是由于直徑較大的AgNWs橫截面積越大,對于單根AgNW的電阻也就越小。同時剝離之后的Ti3C2Tx(即少層Ti3C2Tx)制備的薄膜具備較高的電導(dǎo)率,大約為1793 S/cm。這主要是由于少層Ti3C2Tx薄膜的電子傳輸時碰撞幾率降低,電子遷移率提高。因此... 

【文章來源】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:112 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

電磁屏蔽性能優(yōu)異的AgNWs-Ti 3 C 2 T x 復(fù)合薄膜的制備


圖1.1入射電磁輻射的衰減機制【411

雙端口,電磁干擾,材料,參數(shù)


?第1章緒論???(1.4)所示,其中/、#、C7分別指頻率、磁導(dǎo)率和電導(dǎo)率[46]。當樣品的厚度大??于趨膚深度時吸收的電磁波遠大于反射的電磁波,這時則可以忽略多次反射帶??來的影響,在屏蔽過程可以當做只有反射和吸收兩種情況。將趨膚深度公式??(1.4)帶入至公式(1.3)中則電磁屏蔽效能(見)可以表示為公式(1.5)?[41,??47]0??S=?.?1?(1.4)??7咖〇■??'?/?N]?(^?〇?7?,?\??SE=?39.5?+?101og?-^―?+?-f=?(1.5)??PORT?1?812??A?sti??EMI?Shielding??Material??S21?PORT?2??圖1.2雙端口電磁干擾屏蔽材料的散射參數(shù)[461。??在實驗中,為了測得一個屏蔽材料的電磁屏蔽效能(S£)以及反射損耗??(又心)和吸收損耗(^私),需要通過網(wǎng)絡(luò)分析儀測試出電磁輻射的散射參數(shù)??(S參數(shù)),如圖1.2所示:知(或知)和此(或*1),并通過公式(1.6)、??(1.7)計算得出電磁波的反射系數(shù)(/?)和透射系數(shù)(n?,由于電磁波總能??量守恒,可以由公式(1.8)得出吸收系數(shù)(d)?[48】。??R?=?SU2?(1.6)??T?=?S2i2?(1.7)??^?=?l-(^?+?r)?(1.8)??進而通過各部分效能的公式(1.9)、(1.10)和(1.11),并將得到的3"、??兒/?帶入計算可得見、見只和5^丨48肩。??4??

波段,復(fù)合材料


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本文編號:3028654

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