通過第一原理電子結構計算來研究有序多孔納米網(wǎng)的電導特性變化的能帶機理.能帶結構分析結果表明:石墨烯納米網(wǎng)超晶格（3m, 3n）（m和n為整數(shù)）的電子本征態(tài)在布里淵區(qū)中心點發(fā)生四重簡并;碳空位孔洞規(guī)則排列形成的石墨烯納米網(wǎng)具有由簡并態(tài)分裂形成的寬度可調帶隙,無論石墨烯的兩個子晶格是否對等.在具有磁性網(wǎng)孔陣列的石墨烯納米網(wǎng)中,反鐵磁耦合使對稱子晶格的反演對稱性增加了一項量子限制條件,導致能帶結構在K點的二重簡并態(tài)分裂成帶隙.通過控制網(wǎng)孔密度能夠有效調節(jié)石墨烯納米網(wǎng)的帶隙寬度,為實現(xiàn)新一代石墨烯納米電子器件提供了理論依據(jù). 

【文章來源】：物理學報. 2020,69(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：9 頁


本文編號：3018809