發(fā)布時間：2021-01-31 10:24

　　本文以PI及Ti O2/PI材料作為研究對象,利用紫外/可見分光光度計、四探針電阻測量儀來分析氮離子輻照前后的材料性能,利用電子順磁共振、掃描電鏡、拉曼光譜和X射線光電子能譜等表征氮離子輻照前后材料結(jié)構(gòu)演化與損傷缺陷,在此基礎(chǔ)上揭示氮離子輻照聚酰亞胺（PI）和Ti O2/PI材料性能影響規(guī)律,闡明其輻照損傷和性能演化機理。研究結(jié)果表明,氮離子輻照聚酰亞胺引起材料光學(xué)性能和電學(xué)性能的顯著變化,輻照后,聚酰亞胺的顏色逐漸加深,透過率隨著注量的增加而降低;但是當(dāng)?shù)x子注量達到5E15cm-2以上時,材料幾乎不透光,表面變黑并且表現(xiàn)出金屬光澤,反射率升高。同時,電阻率隨著輻照注量的升高而降低,當(dāng)?shù)x子注量達到5E15cm-2以上時,表面電阻顯著降低至103Ω·cm量級,表明材料表面已經(jīng)“金屬化”。相對于100ke V氮離子,150ke V氮離子輻照這種演化傾向更為明顯。對聚酰亞胺的EPR譜和結(jié)構(gòu)表征分析表明,氮離子輻照將快速引起聚酰亞胺中羰基和氨基的降解,材料中氮的含量并沒有因為氮離子的注入而增加,反而會快速降低至約2at.%后基本保持不變,同時材料出現(xiàn)明顯的石墨化傾向。EPR結(jié)果表明,在聚酰... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【圖文】：

離子注入系統(tǒng)示意圖

而等離子體浸沒離子注入只需要把工件放到等離子體中，無論工件的形狀多復(fù)雜，都可以接收到離子，保持了注入的均勻性；同時，它有效地將離子注入技術(shù)和低溫等離子體技術(shù)相結(jié)合，使注入裝置簡單易用，如圖1-2所示。圖 1-2 等離子體浸沒離子注入工作儀器示意圖- 3 -

N+15 3.0×10162.6×10Ar+N+15 3.0×10161.5×10Ar+N+35 9.6×1016B+180 10161.0×10Cu+20 2×10176.9×10C+Si+Ar+1201×1016Ar+ +240 Ar+ + +360 N+30 4.8×10175×10-1Ar+ +700 2×1016- O+2000 6×1014-


本文編號：3010681