納米材料中的電荷分布特性影響著材料的諸多性能,比如電學(xué)性質(zhì),催化活性等,因此對(duì)于我們理解材料微觀結(jié)構(gòu)、缺陷和性能之間的關(guān)系至關(guān)重要。而在實(shí)際情況中,由于材料在使役環(huán)境下其結(jié)構(gòu)與形貌會(huì)發(fā)生不斷地變化,進(jìn)而影響其實(shí)際的性能,所以原位監(jiān)測(cè)納米材料在環(huán)境條件下（氣氛,加熱,偏壓）電荷分布的動(dòng)態(tài)變化對(duì)于我們理解材料與外場(chǎng)之間的耦合機(jī)制格外重要。不過(guò),一直以來(lái)表征小尺寸材料中的電荷分布就是一件困難的事,因此尋找到一種快捷、有效的方法來(lái)獲取納米結(jié)構(gòu)中的電荷分布是非常有必要的�，F(xiàn)有的表征電荷的方法中,有一部分是基于低能電子投影鏡技術(shù)的,這種方法是利用界定菲涅爾條紋的邊界來(lái)計(jì)算電荷密度,但無(wú)法獲得材料的正焦像與結(jié)構(gòu)信息,因此電荷分布的結(jié)果無(wú)法和結(jié)構(gòu)聯(lián)系起來(lái)。更多的方法是基于掃描探針或者離軸的電子全息技術(shù),但是這些方法對(duì)于電荷的成像都是非直接的,也就是說(shuō)對(duì)電荷變化的響應(yīng)速度較慢,因此大大限制了他們的時(shí)間分辨率,無(wú)法對(duì)快速變化的電荷情況做出準(zhǔn)確表征。所以本項(xiàng)工作旨在探索一種快速直觀的,可以直接在更加普適的透射電鏡中使用的,對(duì)電荷及其變化進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察的方法。我們提出了一種允許簡(jiǎn)單和直接地獲取電荷信息的方法,如... 

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【文章頁(yè)數(shù)】：61 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 電子全息術(shù)的基本原理及發(fā)展情況
        1.2.1 離軸電子全息術(shù)
        1.2.2 同軸電子全息術(shù)
    1.3 本文研究意義和內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與測(cè)試方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)試劑和儀器方法
    2.2 基本原理與算法簡(jiǎn)介
        2.2.1 全息像的基本原理
        2.2.2 相位恢復(fù)迭代算法的基本原理與應(yīng)用
        2.2.3 電荷計(jì)算模型
        2.2.4 由相位恢復(fù)電荷的基本原理與算法
        2.2.5 退火法的基本原理與應(yīng)用
        2.2.6 振幅恢復(fù)電荷
第三章 碳化硅納米線中的電荷表征
    3.1 電子波函數(shù)的相位重構(gòu)
    3.2 從相位中提取電勢(shì)及電荷分布信息
    3.3 電荷密度分布準(zhǔn)確性的驗(yàn)證
    3.4 碳化硅-小顆粒體系的電荷分布
    3.5 本章小結(jié)
第四章 電荷分布的原位動(dòng)態(tài)表征
    4.1 高溫下碳化硅納米線中電荷的重新分布
    4.2 高溫下碳化硅納米線尖端電荷的演變
    4.3 不同偏壓下納米線中電荷分布表征
    4.4 本章小結(jié)
第五章 納米線的電導(dǎo)率表征與計(jì)算
    5.1 銀與碳化硅納米線的導(dǎo)電性鑒別
    5.2 碳化硅納米線的電導(dǎo)率計(jì)算
    5.3 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
個(gè)人簡(jiǎn)歷
攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與取得的其他研究成果



本文編號(hào)：3006217