納米材料中的電荷分布特性影響著材料的諸多性能,比如電學性質,催化活性等,因此對于我們理解材料微觀結構、缺陷和性能之間的關系至關重要。而在實際情況中,由于材料在使役環(huán)境下其結構與形貌會發(fā)生不斷地變化,進而影響其實際的性能,所以原位監(jiān)測納米材料在環(huán)境條件下（氣氛,加熱,偏壓）電荷分布的動態(tài)變化對于我們理解材料與外場之間的耦合機制格外重要。不過,一直以來表征小尺寸材料中的電荷分布就是一件困難的事,因此尋找到一種快捷、有效的方法來獲取納米結構中的電荷分布是非常有必要的�，F(xiàn)有的表征電荷的方法中,有一部分是基于低能電子投影鏡技術的,這種方法是利用界定菲涅爾條紋的邊界來計算電荷密度,但無法獲得材料的正焦像與結構信息,因此電荷分布的結果無法和結構聯(lián)系起來。更多的方法是基于掃描探針或者離軸的電子全息技術,但是這些方法對于電荷的成像都是非直接的,也就是說對電荷變化的響應速度較慢,因此大大限制了他們的時間分辨率,無法對快速變化的電荷情況做出準確表征。所以本項工作旨在探索一種快速直觀的,可以直接在更加普適的透射電鏡中使用的,對電荷及其變化進行動態(tài)觀察的方法。我們提出了一種允許簡單和直接地獲取電荷信息的方法,如... 

【文章來源】：浙江大學浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景
    1.2 電子全息術的基本原理及發(fā)展情況
        1.2.1 離軸電子全息術
        1.2.2 同軸電子全息術
    1.3 本文研究意義和內容
第二章 實驗內容與測試方法
    2.1 實驗試劑和儀器方法
    2.2 基本原理與算法簡介
        2.2.1 全息像的基本原理
        2.2.2 相位恢復迭代算法的基本原理與應用
        2.2.3 電荷計算模型
        2.2.4 由相位恢復電荷的基本原理與算法
        2.2.5 退火法的基本原理與應用
        2.2.6 振幅恢復電荷
第三章 碳化硅納米線中的電荷表征
    3.1 電子波函數(shù)的相位重構
    3.2 從相位中提取電勢及電荷分布信息
    3.3 電荷密度分布準確性的驗證
    3.4 碳化硅-小顆粒體系的電荷分布
    3.5 本章小結
第四章 電荷分布的原位動態(tài)表征
    4.1 高溫下碳化硅納米線中電荷的重新分布
    4.2 高溫下碳化硅納米線尖端電荷的演變
    4.3 不同偏壓下納米線中電荷分布表征
    4.4 本章小結
第五章 納米線的電導率表征與計算
    5.1 銀與碳化硅納米線的導電性鑒別
    5.2 碳化硅納米線的電導率計算
    5.3 本章小結
第六章 總結與展望
參考文獻
致謝
個人簡歷
攻讀學位期間發(fā)表的學術論文與取得的其他研究成果



本文編號：3006217