本文采用磁控濺射技術(shù),對(duì)F和Al共摻雜ZnO （FAZO）薄膜進(jìn)行研究,系統(tǒng)地研究了濺射氣壓對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、形貌、光電等特性的影響.實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明:F, Al共摻入并未改變ZnO的生長(zhǎng)方式,所制備的薄膜都呈（002）擇優(yōu)生長(zhǎng);隨著濺射氣壓增加, FAZO薄膜的沉積速率降低,結(jié)晶質(zhì)量惡化,表面形貌由"彈坑狀"逐漸變?yōu)?彈坑狀"與"顆粒狀"并存的形貌特性,表面粗糙度增加.在0.5 Pa時(shí)制備的FAZO薄膜性能最優(yōu),遷移率40.03 cm²/（V·s）,載流子濃度3.92×10²⁰ cm^–3,電阻率最低,為3.98×10^–4 W·cm, 380—1200 nm平均透過率約90%.理論模擬結(jié)果表明:F和Al的共摻雜兼顧了F, Al單獨(dú)摻雜的優(yōu)點(diǎn),克服了以往金屬元素?fù)诫s僅依靠金屬元素軌道提供導(dǎo)電電子的不足,實(shí)現(xiàn)了既增加載流子濃度又減少了摻入原子各軌道間相互作用對(duì)載流子散射的影響.摻入的F 2p電子軌道對(duì)O 2p及Zn 4s電子軌道產(chǎn)生排斥,使它們分別下移,提供導(dǎo)電電子;同時(shí)摻入的Al的3s和3p電子軌道也為導(dǎo)電... 

【文章來源】：物理學(xué)報(bào). 2020,69(19)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：9 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2993706