發(fā)布時(shí)間：2021-01-22 15:38

　　納米材料由于獨(dú)特的量子效應(yīng)在光電領(lǐng)域有著良好的應(yīng)用前景。其中InP納米材料由于具有和CdSe相近的能帶結(jié)構(gòu)、較低的毒性以及可調(diào)諧的覆蓋可見(jiàn)光和近紅外波段的發(fā)光波長(zhǎng)成為最有應(yīng)用前景材料之一。納米材料應(yīng)用主要集中在其光學(xué)性質(zhì)方面,以前的研究主要集中在Cd基納米材料上,對(duì)于InP納米材料的研究很少,這就是本課題研究的出發(fā)點(diǎn)。本課題主要對(duì)ZnS殼層鈍化的InP納米材料的光學(xué)性質(zhì)開(kāi)展了研究工作,系統(tǒng)的研究了InP/ZnS納米材料的光學(xué)性質(zhì)。采用溶劑熱法得到高質(zhì)量的InP/ZnS量子點(diǎn)樣品,并對(duì)制備的樣品進(jìn)行退火處理。通過(guò)變溫與變功率的熒光光譜對(duì)樣品進(jìn)行表征,從而得到退火對(duì)樣品光學(xué)性質(zhì)的準(zhǔn)確影響。為之后以InP/ZnS納米材料為基礎(chǔ)的LED、激光器、探測(cè)器的研究提供了技術(shù)支持。通過(guò)Z-scan技術(shù)研究InP/ZnS量子點(diǎn)的非線性光學(xué)性質(zhì)。為InP/ZnS量子點(diǎn)在非線性光學(xué)器件、光限幅領(lǐng)域的應(yīng)用提供基礎(chǔ)支持。 

【文章來(lái)源】：長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

【文章頁(yè)數(shù)】：55 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

室溫下InP的能帶結(jié)構(gòu)

InP/ZnS變溫PL譜

InP/ZnS帶邊發(fā)光的分峰示意圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2993483