發(fā)布時(shí)間：2021-01-20 13:36

　　非線性光學(xué)（NLO）材料在光通訊、光計(jì)算機(jī)、光存儲(chǔ)等高科技術(shù)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,促使人們?nèi)ラ_發(fā)和設(shè)計(jì)高性能的非線性光學(xué)材料。非線性光學(xué)響應(yīng)的強(qiáng)度主要通過非線性光學(xué)系數(shù)來衡量,因此研究高性能的非線性光學(xué)材料的首要任務(wù)就是提高體系的非線性光學(xué)系數(shù)。本文采用量子化學(xué)方法,對(duì)一些納米結(jié)構(gòu)的非線性光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行理論研究。本文主要內(nèi)容如下:1、研究了多種推、拉電子基團(tuán)端位取代H─（CH═CH）_n─H的電子結(jié)構(gòu),并在LC-BLYP/6-31G（d）水平上計(jì)算了推電子基團(tuán)（─NH₂、─OH、─NHCOH、─CH₃）、拉電子基團(tuán)（─F、─Cl、─C₆H₅、─C≡CH、─CN、─CHO、─NO₂）對(duì)長程共軛烯烴分子結(jié)構(gòu)的非線性光學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明,單獨(dú)推或拉電子基團(tuán)均能有效的增大共軛多烯結(jié)構(gòu)的超極化率（β₀）。β₀從結(jié)構(gòu)H─（CH═CH）₆─H的0.6分別增大到NH₂─（CH═CH）

【文章來源】：煙臺(tái)大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】：83 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

在LC-BLYP水平上NH2─(CH=CH)

27圖 4.1 硼邊緣摻雜 SWCNT 的七個(gè)結(jié)構(gòu)，硼原子取代的一端定義為 DU，另一端為 DLFig. 4.1 Seven structures of boron edge-doped SWCNT are formed by doping boron atom(s) into tpristine SWCNT (5. 0), The mean diameter DUfor the upper side (boron-doped) and DLfor the lowside未摻雜的 SWCNT (5. 0)以及七個(gè)硼邊緣摻雜的 SWCNT 的全實(shí)頻結(jié)構(gòu)見圖 4根據(jù)硼原子數(shù)目 n 和位置，將摻雜結(jié)構(gòu)表示為 1B、2B1、2B2、3B1、3B2、4B、和 5BB 前面的數(shù)字 1 ~ 5 表示硼的取代個(gè)數(shù)，下標(biāo)表示不同位置的取代。B 摻雜端的平直徑表示為 DU，未摻雜端平均直徑表示為 DL。從表 4-2 可以看出，摻雜端平均直徑 DU均大于未摻雜端的 DL，而且均大于

子摻雜取代的超短單壁碳納米管的靜態(tài)第一超極化率的理論研究。這表明硼的邊緣摻雜對(duì) SWCNT 的幾何結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響的邊緣摻雜使得 DU小于 DL，這與硼摻雜結(jié)果正好相反。的關(guān)系見圖 4-2，七個(gè)摻雜結(jié)構(gòu)的能隙大小粗略的隨硼原子結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性隨著摻雜數(shù)目你而增大。

【參考文獻(xiàn)】：
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博士論文
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本文編號(hào)：2989141