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磁納米有序結(jié)構(gòu)陣列薄膜制備及其磁光效應(yīng)

發(fā)布時間:2021-01-20 10:12
  多模磁性納米材料已成為節(jié)能型數(shù)據(jù)存儲和處理技術(shù)的關(guān)鍵材料,同時該材料也是高靈敏度磁光傳感器和磁測量裝置用基礎(chǔ)功能材料。它們在高密度磁光傳感/存儲、非互易器件、激光陀螺、高效遠(yuǎn)程通訊、太陽能利用、自旋電子器件(自旋霍爾和逆自旋霍爾)、寬波隱身材料、多模生物分子探針、磁-光-電-生物信號超快耦合器等領(lǐng)域具有重要甚至不可或缺(如微型磁光隔離器、環(huán)形器)的應(yīng)用。研究發(fā)現(xiàn)單純利用塊體材料或單一磁性材料薄膜已經(jīng)很難達(dá)到顯著增強(qiáng)磁光效應(yīng)、線性以及非線性光學(xué)信號、光磁、自旋和逆自旋霍爾效應(yīng)的目的。因此,近年來對磁光效應(yīng)材料的研究已經(jīng)由磁性塊體和單一的連續(xù)薄膜結(jié)構(gòu)發(fā)展到具有周期性孔、條、圓盤等形狀的陣列以及由鐵磁金屬、貴金屬、半導(dǎo)體層等構(gòu)成的多級復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的顆粒和薄膜上來。研究發(fā)現(xiàn)這類結(jié)構(gòu)可以通過改變結(jié)構(gòu)參數(shù)(柱點(diǎn)孔、盤的半徑、陣列周期、薄膜厚度以及組成等)來實(shí)現(xiàn)單種或多種共振模式的激發(fā),從而實(shí)現(xiàn)磁性材料在外磁場作用下對磁光信號的調(diào)控。盡管人們已經(jīng)從材料、結(jié)構(gòu)、尺寸等各個方面對具有磁光特性的納米結(jié)構(gòu)晶體進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計并且獲得優(yōu)良的磁光特性和光學(xué)特性,然而如何大面積制備結(jié)構(gòu)可控、規(guī)整可識的納米陣列結(jié)構(gòu)并研... 

【文章來源】:北京科技大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:133 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

磁納米有序結(jié)構(gòu)陣列薄膜制備及其磁光效應(yīng)


圖1-2?p偏振光和s偏振光??

偏振光,反射強(qiáng)度,入射波,透射系數(shù)


?El?*e2??Hi?H2??圖1-3?(a)分界面上的s偏振光入射波和(b)?p偏振光入射波,(?>?tt2)??如圖1-3?(a)所示的s偏振的入射波,結(jié)合折射定律,反射系數(shù)可以表??示為??n1cos91?—?n2cosd2?sin^d-i?—?02)?(1?^??Ts?n1cosdl?+?n2cos02?sin{G2?+?^i)??透射系數(shù)為??2n1cos91?2sind2cosd1?(1??ts?HiCosSi?+?n2cosd2?sln{62?+?0i)??如圖卜3?(b)對于p偏振的入射波,反射系數(shù)為??rv^cosh?—?n^cosG〗?tan{Gx?—?d2)??Tp?n2cos91?+?riiCos^?tan(02?+?〇\)??透射系數(shù)??sin261??t?=?l??(1?—?9)??p?sin(d2?+?01)cos(01?-?d2)??4??

磁化方向,入射面,相對位置,磁光克爾效應(yīng)


通過比較兩種不同形式的偏振光的反射系數(shù)和透射系數(shù)我們不難發(fā)現(xiàn),??對于樣品而言,選用不同的偏振光得到的反射率和透射率有很大的差別。如??圖1-4?(a)和(b)所示為用橫向磁光克爾測試系統(tǒng)測得的沉積在帶有鋁基底??的多孔陽極氧化鋁模板上的W/CoFeB/W三明治結(jié)構(gòu)分別在s偏振光和p偏??振光下的反射光強(qiáng)度。從中可以明顯的看出兩種線偏光反射譜線的巨大差異。??■■??圖1-4?(a)樣品在S偏振光下的反射強(qiáng)度以及(b)樣品在p偏振光下的反射強(qiáng)度??同樣,不同形式的偏振光在某些情況下得到的磁光效應(yīng)也有著本質(zhì)的不??同,這里我們將在本文1.2.2節(jié)中進(jìn)行詳細(xì)的闡述。對于磁光效應(yīng)我們主要介??紹最常研究的磁光克爾效應(yīng)和磁光法拉第效應(yīng)。??1.2.1磁光克爾效應(yīng)??在物理領(lǐng)域磁光克爾效應(yīng)(Magneto-optical?Kerr?Effect,?MOKE)或者表??而磁光克爾效應(yīng)(Surface?Magneto-optical?Kerr?Effect,SMOKE)是眾多磁光??效應(yīng)的一種。它描述了線偏振光經(jīng)過與磁化后的物質(zhì)相互作用后反射光偏振??態(tài)(角度和橢偏率)的改變。具體物理過程可以描述為:當(dāng)一束線偏振光入??射到磁性物質(zhì)表面時,由于自旋-軌道耦合效應(yīng),反射光將在原來的偏振方向??的垂直方向上出現(xiàn)新的偏振態(tài),從而變?yōu)橐皇鴻E圓偏振光。橢圓偏振光的長??軸相對于原來入射光的偏振方向會有一定的偏轉(zhuǎn)角度這個角度就叫做磁光克??爾角(60,其中橢圓長短軸的比值叫做橢偏率(<p)。總的磁光克爾效應(yīng)可以??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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碩士論文
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[3]超薄Ag納米薄膜原位納米壓痕力學(xué)性能表征[D]. 薛偉亮.太原理工大學(xué) 2018
[4]貴金屬納米顆粒陣列的雙光子誘導(dǎo)熒光特性研究[D]. 劉司洋.華中科技大學(xué) 2014
[5]氟化類金剛石薄膜血液相容性的研究[D]. 戴永豐.蘇州大學(xué) 2011



本文編號:2988857

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