發(fā)布時間：2021-01-18 09:24

　　采用放電等離子燒結(jié)（SPS）技術(shù)+粉末冶金法來制備低膨脹、低密度、高導(dǎo)熱的Si/Al電子封裝材料。通過測定和對比不同SPS燒結(jié)工藝參數(shù)下的電子封裝材料的性能,分析工藝參數(shù)（燒結(jié)壓力、燒結(jié)溫度、Si含量）對燒結(jié)樣性能（致密度、熱導(dǎo)率、熱膨脹系數(shù)）的影響規(guī)律,探討其影響機制。結(jié)果表明:控制燒結(jié)溫度為550℃,燒結(jié)壓力48MPa,Si含量為50vol%可制備制備低膨脹、低密度、高導(dǎo)熱的Si/Al電子封裝材料,其致密度可達96%,熱導(dǎo)率可達120W/（m·K）,熱膨脹系數(shù)可達11 mm/K。 

【文章來源】：熱加工工藝. 2020,49(06)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗過程及方法
2 實驗結(jié)果和討論
    2.1 致密度的影響因素及分析
        2.1.1 燒結(jié)壓力對致密度的影響
        2.1.2 燒結(jié)溫度對致密度的影響
    2.2 導(dǎo)熱率的影響因素及分析
        2.2.1 燒結(jié)壓力對導(dǎo)熱率的影響
        2.2.2 Si含量對導(dǎo)熱率的影響
    2.3 熱膨脹系數(shù)的影響因素及分析
        2.3.1 燒結(jié)溫度對熱膨脹系數(shù)的影響
        2.3.2 Si含量對材料熱膨脹系數(shù)的影響
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]界面設(shè)計對Sip/Al復(fù)合材料組織和性能的影響[J]. 劉猛,白書欣,李順,趙恂,熊德贛.  材料工程. 2014(08)
[2]噴射成形70Si30Al電子封裝材料致密化處理及組織性能研究[J]. 劉紅偉,張永安,朱寶宏,王鋒,魏衍廣,熊柏青.  稀有金屬. 2007(04)
[3]熱壓法制備Si-Al電子封裝材料及其性能[J]. 馮曦,鄭子樵,李世晨,楊培勇.  稀有金屬. 2005(01)
[4]Si-Al電子封裝材料粉末冶金制備工藝研究[J]. 楊培勇,鄭子樵,蔡楊,李世晨,馮曦.  稀有金屬. 2004(01)



本文編號：2984701