當(dāng)代,二維（2D）納米材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域引起了人們的廣泛關(guān)注,科研人員設(shè)計(jì)研發(fā)了許多新型的半導(dǎo)體材料,如具有插層結(jié)構(gòu)或異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二維納米器件。二維過渡金屬硫族化物（TMDCs）MX₂（M=Mo,W;X=S,Se）由于具有優(yōu)異的半導(dǎo)體特性,其本身的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)也有益于形成范德華力堆疊的復(fù)合結(jié)構(gòu),因此被廣泛關(guān)注。為了研發(fā)一些新的更加有價(jià)值的功能型復(fù)合材料,本文基于密度泛函理論（DFT）和非平衡格林函數(shù)（NEGF）分別探究了一系列插層化合物（PSi）_n/MoS₂,(PSi^mB)_n/MoS₂,和(PSi^mP)_n/MoS₂以及異質(zhì)結(jié)構(gòu)SE/MX₂（M=Mo,W;X=S,Se）的電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì)。第一部分研究未摻雜以及摻雜B,P的聚硅烷（PSi）鏈與MoS₂層組成的插層化合物的電子結(jié)構(gòu)及輸運(yùn)性質(zhì)。通過對(duì)Bulk和Device體系的計(jì)算分析,結(jié)果表明隨著未摻雜P... 

【文章來源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MoS2的三種晶體結(jié)構(gòu)

- 3 -圖 1-2（a）單層 MoS2俯視圖 （b）兩層 MoS2層側(cè)視圖Fig. 1-2 (a) The topview of monolayer MoS2(b) The side view of double double-deck MoS過渡金屬二硫化鉬通過 S-Mo-S 之間的成鍵堆疊而成，其中每個(gè) Mo 在體中是六配位，Mo-S 原子間靠共價(jià)鍵連接，而相鄰的兩層間通過弱的范力相連形成不同構(gòu)型。單層 MoS2結(jié)構(gòu)圖中表現(xiàn)出三層原子（如圖 a）），中間的藍(lán)色代表 Mo 原子，黃色的兩層原子表示 S 原子，通過 z單層 MoS2重疊可得到多層二硫化鉬（見圖 1-2（b）），范德華力的存在多層可以重疊，但層數(shù)不超過五層，層間距為 0.65nm 左右[26-27]。理論計(jì)

圖 1-3 插層化合物的形成過程Fig. 1-3 The formation process of Intercalation CompoundMoS2插層化合物（MoS2-IC）采用人工合成方法，將離子，原子或 MoS2層間構(gòu)成一種新型功能材料，具有誘人的研發(fā)前景。目前，和有機(jī)分子已被成功插層到二硫化鉬層中。例如包含金屬的二硫化物 M/MoS2ICs（M= Li+，Na+，K+，Cs+，Co2+，Mn2+，Ru2+，Ni2+g+）[55]以及有機(jī)分子與二硫化鉬形成的插層化合物 org/MoS2ICs（聚四氟乙烯等）[56,57]都已經(jīng)基于二硫化鉬為主體被合成。其主客體出了新的物理性能，例如，一系列的二胺/MoS2化合物所呈現(xiàn)的導(dǎo)-1S·cm-1[58]。 除了以上的研究，以聚合物聚硅烷為插入物質(zhì)，與二插層化合物的研究還沒有進(jìn)行，結(jié)合聚硅烷所擁有的一些共軛及電所形成的化合物也會(huì)具有美好的應(yīng)用前景，值得探索。 聚硅烷的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)聚硅烷的主鏈?zhǔn)怯?Si-Si 鍵構(gòu)成的，雖然不含有雙鍵，但由于 Si 原 3d 軌道，σ 電子的離域方向是沿著主鏈的，能夠形成大的 σ 超共體系的形成使 d 軌道和 p 軌道之間的能量差值降低，進(jìn)一步利于

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：2982876