在近年來的半導體材料發(fā)展中,Ⅲ族氮化物在其中扮演了重要的角色。其中的GaN已經被廣泛應用,而同族的InN的研究熱潮正在掀起。InN在Ⅲ族氮化物中具有最小的有效電子質量、最大的電子飽和速率、最小的帶隙和最高的電子遷移率等優(yōu)異特性。這些獨特的性質使得InN在太陽能電池、探測器、高頻器件等領域有著廣泛應用前景。Ⅲ族氮化物半導體能形成具有直接帶隙的連續(xù)合金體系,帶隙范圍可從0.7 eV（InN）到6.2 eV（AlN）。在InGaN三元體系中,通過合適的組分控制可以實現0.7～3.4 eV的帶隙可調,由此可以制備出近乎覆蓋整個太陽光譜的太陽能電池。但是由于InN的分解溫度低等限制,使得用傳統技術生長高晶體質量的InN薄膜和富In組分的InGaN薄膜非常難以實現。本文采用PE-ALD生長InN和InGaN薄膜材料。針對InN的生長,本文尋找了生長的ALD窗口,對生長溫度、等離子體功率、生長襯底等都進行了探究。本文首先研究了 ALD生長的溫度窗口;接下來,由于PE-ALD不同于傳統的熱ALD,本文也針對等離子體的功率進行研究,觀察射頻功率對晶體質量的影響;對基本的生長參數進行優(yōu)化之后,本文選擇了幾... 

【文章來源】：南昌大學江西省 211工程院校

【文章頁數】：49 頁

【學位級別】：碩士

【圖文】：

圖４?ＡＬＤ生長Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?４?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

圖５?ＡＬＤ生長Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?５?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

圖６?ＡＬＤ生長Ａ１２０３??Ｆｉｇｕｒｅ?６?ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ＡＩ２Ｏ３?ｂｙ?ＡＬＤ??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]CIGS雙梯度帶隙吸收層的制備及特性[J]. 李強,康振鋒,劉文德,鄭平平,肖玲玲,范悅,薄青瑞,齊彬彬,丁鐵柱.  真空. 2014(01)



本文編號：2977175