氧化亞銅（Cu₂O）薄膜在光電轉(zhuǎn)化和光電化學(xué)轉(zhuǎn)化方面具有良好的應(yīng)用前景,Cu₂O薄膜的導(dǎo)電性調(diào)控和導(dǎo)電機制研究對于提高Cu₂O薄膜的光電轉(zhuǎn)化效率具有重要意義。本工作利用歸中反應(yīng)在pH=5的弱酸性硫酸銅（CuSO₄）溶液中制備了Cu₂O薄膜,通過在溶液中加入不同濃度的硝酸鉀（KNO₃）來調(diào)控Cu₂O薄膜的導(dǎo)電類型,并在分析薄膜生長過程的基礎(chǔ)上研究了KNO₃濃度對Cu₂O薄膜導(dǎo)電類型的調(diào)控機制。此外,本工作利用電化學(xué)阻抗譜技術(shù)和光電流表征技術(shù)分析了Cu₂O薄膜的導(dǎo)電機制。全文主要內(nèi)容及結(jié)果如下:（1）將銅箔置于pH=5的CuSO₄溶液中,通過在溶液中加入不同濃度的KNO₃得到了不同導(dǎo)電類型的Cu₂O薄膜。研究發(fā)現(xiàn),當(dāng)KNO₃濃度≦0.75 mol dm^-3時,Cu<... 

【文章來源】：西北大學(xué)陜西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

光電化學(xué)測試裝置示意圖

第二章 實驗方法和設(shè)備(1) 測試條件電化學(xué)阻抗譜測試均在制備 Cu2O 薄膜的電鍍液中進行以模擬 Cu2O 薄膜生長過程中的電荷傳遞速率變化。干擾信號的振幅為 5 mV，自動選擇靈敏度。工作電極為Cu 電極，對電極為石墨棒，參比電極為 Ag/AgCl (飽和 KCl)電極。電化學(xué)阻抗譜的測試裝置示意圖如圖 2.2 所示。

圖 3.1 在含有不同濃度 KNO3的電鍍液中制備的 Cu2O 薄膜的 XRD 圖。e 3.1 XRD patterns of Cu2O films grown in the plating solutions with diconcentrations of KNO3.以測試固體表面的化學(xué)組成或元素組成、原子價態(tài)等信息，其對 Cu2O 薄膜進行 XPS 測試可以進一步準(zhǔn)確測量 Cu2O 薄膜表由 Cu2O 薄膜的 XPS 全譜圖(圖 3.2 (a))可知，圖中無 N 元素的 398 eV)出現(xiàn)，即 KNO3的加入并不會在 Cu2O 薄膜內(nèi)引入 N 摻 薄膜的 Cu 2p 分區(qū)圖，圖中在結(jié)合能 932.5 eV 和 952.4 eV 處分別對應(yīng)于Cu2O 的 Cu2p3/2和Cu2p1/2的特征峰[70]，且隨著電鍍，Cu 2p 的特征峰位置及強度變化不大，無 Cu2+的峰出現(xiàn)，這不會影響Cu2O 的組成。由于 Cu0和Cu+的結(jié)合能位置相近(相差 Cu 2p 圖結(jié)合能的位置上區(qū)別 Cu+和 Cu[71]。然而，Cu2O 和 Cu 的能峰位分別為 570.0 eV、568.0 eV，相差 2 eV，所以可通過 C

【參考文獻】：
期刊論文
[1]In-situ design and construction of lithium-ion battery electrodes on metal substrates with enhanced performances:A brief review[J]. Weixin Zhang,Yingmeng Zhang,Zeheng Yang,Gongde Chen,Guo Ma,Qiang Wang.  Chinese Journal of Chemical Engineering. 2016(01)



本文編號：2973211