在慣性約束聚變（ICF）實(shí)驗(yàn)中,因激光與等離子體的相互作用（LPI）而產(chǎn)生受激散射會(huì)導(dǎo)致激光能量的損失,因此靶腔材料的選擇顯得尤為重要。研究人員發(fā)現(xiàn)在高Z元素中摻入低Z元素作為靶腔材料可顯著抑制受激布里淵散射,降低激光能量損失。本文以金屬鈰作為高Z元素,氮作為低Z元素,通過(guò)直流磁控濺射法制備氮化鈰（CeN）薄膜。利用掃描電子顯微鏡、白光干涉儀、X射線(xiàn)衍射和俄歇電子能譜等分析方法研究并分析了制備工藝參數(shù)對(duì)CeN薄膜的沉積速率、表面形貌和內(nèi)部的組分結(jié)構(gòu)的影響。初步探索了CeN薄膜的氧化機(jī)理,并研究了Al防護(hù)層對(duì)CeN薄膜的防氧化性的影響。本文的主要內(nèi)容如下:（1）通過(guò)制備工藝的調(diào)控,研究其對(duì)氮化鈰薄膜的影響。1、研究發(fā)現(xiàn),沉積功率對(duì)薄膜的沉積速率和質(zhì)量起到重要的作用�？刂频�?dú)灞?:19和工作氣壓0.25Pa不變,當(dāng)沉積功率為100W和150W時(shí),氮化鈰薄膜具有明顯的（111）擇優(yōu)取向織構(gòu);當(dāng)沉積功率升高到200W和250W時(shí),（111）擇優(yōu)取向織構(gòu)消失,此時(shí)樣品為金屬鈰和氮化鈰的混合物。2、在沉積功率為200W,工作氣壓為0.25Pa時(shí),不同氮?dú)灞葘?duì)氮化鈰薄膜的表面形貌及表面粗糙度的影響較... 

【文章來(lái)源】：西南科技大學(xué)四川省

【文章頁(yè)數(shù)】：56 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

摻低Z元素的SBS光譜變化

西南科技大學(xué)碩士學(xué)位論文4利用物理方法將固體或液體的目標(biāo)材料在真空條件下氣化或電離成分子或離子，使其沉積到目標(biāo)基體上的過(guò)程被稱(chēng)為物理氣相沉積技術(shù)。目前主要的物理氣相沉積方法包括濺射法、離子束沉積法、真空蒸發(fā)法等。（1）濺射法：濺射現(xiàn)象是，在一定的真空條件下，以具有一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊目標(biāo)樣品，使目標(biāo)樣品表面的粒子具有足夠的能量，從而逃逸出樣品表面。濺射法是指以基片為陽(yáng)極，目標(biāo)靶材為陰極，在兩極間通入一定電壓，使充入的惰性工作氣體（Ar）輝光放電，持續(xù)轟擊目標(biāo)靶材，使靶材表面原子或分子沉積到基片上。濺射法主要包括直流濺射法、射頻濺射法和磁控濺射法。磁控濺射法在直流和射頻濺射的基礎(chǔ)上，在靶材背面加入了磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)改變二次電子的運(yùn)動(dòng)軌跡，影響靶材附近的等離子體狀態(tài)[30]。濺射法簡(jiǎn)要原理如圖1-2所示。磁控濺射法因其所需的溫度低，效率高、簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于薄膜的工業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用。圖1-2濺射法簡(jiǎn)要原理示意圖（2）離子束沉積法：在真空條件下，利用氣體放電，部分離化被蒸發(fā)的物質(zhì)，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物質(zhì)或反應(yīng)物沉積到基片上。離子束沉積法具有附著性好、沉積速率高、材料選擇廣泛和成膜密度高等特點(diǎn)。但其缺點(diǎn)也十分明顯，即沉積尺寸受限于離子源尺寸，因此其不能用于大面積沉積薄膜，這一缺陷也限制了其在大規(guī)模生產(chǎn)中的應(yīng)用[31,32]。離子束沉積法的簡(jiǎn)要原理如圖1-3所示[33]。圖1-3離子束沉積法簡(jiǎn)要示意圖（3）真空蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱目標(biāo)靶材，是靶材表面原子形成蒸汽流，從而沉積到基片附近形成薄膜。真空蒸發(fā)法簡(jiǎn)要原理如圖1-4所示[38]。真空蒸發(fā)法具

西南科技大學(xué)碩士學(xué)位論文4利用物理方法將固體或液體的目標(biāo)材料在真空條件下氣化或電離成分子或離子，使其沉積到目標(biāo)基體上的過(guò)程被稱(chēng)為物理氣相沉積技術(shù)。目前主要的物理氣相沉積方法包括濺射法、離子束沉積法、真空蒸發(fā)法等。（1）濺射法：濺射現(xiàn)象是，在一定的真空條件下，以具有一定能量的粒子（離子或中性原子、分子）轟擊目標(biāo)樣品，使目標(biāo)樣品表面的粒子具有足夠的能量，從而逃逸出樣品表面。濺射法是指以基片為陽(yáng)極，目標(biāo)靶材為陰極，在兩極間通入一定電壓，使充入的惰性工作氣體（Ar）輝光放電，持續(xù)轟擊目標(biāo)靶材，使靶材表面原子或分子沉積到基片上。濺射法主要包括直流濺射法、射頻濺射法和磁控濺射法。磁控濺射法在直流和射頻濺射的基礎(chǔ)上，在靶材背面加入了磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)改變二次電子的運(yùn)動(dòng)軌跡，影響靶材附近的等離子體狀態(tài)[30]。濺射法簡(jiǎn)要原理如圖1-2所示。磁控濺射法因其所需的溫度低，效率高、簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于薄膜的工業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用。圖1-2濺射法簡(jiǎn)要原理示意圖（2）離子束沉積法：在真空條件下，利用氣體放電，部分離化被蒸發(fā)的物質(zhì)，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物質(zhì)或反應(yīng)物沉積到基片上。離子束沉積法具有附著性好、沉積速率高、材料選擇廣泛和成膜密度高等特點(diǎn)。但其缺點(diǎn)也十分明顯，即沉積尺寸受限于離子源尺寸，因此其不能用于大面積沉積薄膜，這一缺陷也限制了其在大規(guī)模生產(chǎn)中的應(yīng)用[31,32]。離子束沉積法的簡(jiǎn)要原理如圖1-3所示[33]。圖1-3離子束沉積法簡(jiǎn)要示意圖（3）真空蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱目標(biāo)靶材，是靶材表面原子形成蒸汽流，從而沉積到基片附近形成薄膜。真空蒸發(fā)法簡(jiǎn)要原理如圖1-4所示[38]。真空蒸發(fā)法具

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[3]金屬鈾表面氮化層抗氧化機(jī)理的XPS/AES研究[D]. 羅立力.中國(guó)工程物理研究院 2012
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本文編號(hào)：2972330