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SiO 2 /Si襯底上Au納米顆粒制備的研究

發(fā)布時(shí)間:2021-01-08 17:52
  采用射頻磁控濺射結(jié)合快速熱退火的方法在SiO2/Si襯底上制備Au納米顆粒,研究了濺射條件、退火溫度對(duì)Au納米顆粒的尺寸及其分布的影響.結(jié)果表明,對(duì)于濺射后呈現(xiàn)分立且尺寸較小的Au納米顆粒樣品,其具有較好的熱穩(wěn)定性,而對(duì)于濺射后Au近似成膜的樣品,Au顆粒隨著退火溫度的升高先減小后增大再減小,認(rèn)為這是由于退火過(guò)程中存在著應(yīng)力釋放與表面能最小化2種競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制共同作用的結(jié)果;通過(guò)降低濺射功率,最終制備得到高密度(1.1×1012 cm-2)、小尺寸(<5nm)的Au納米顆粒,并有望在金屬納米晶半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中得到應(yīng)用. 

【文章來(lái)源】:廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016,55(06)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:7 頁(yè)

【部分圖文】:

SiO 2 /Si襯底上Au納米顆粒制備的研究


圖1不同濺射時(shí)間樣品表面SEM圖Fig.1SEMgraphsofsampleswithdifferentsputteringtime

覆蓋率,快速熱退火,樣品,納米顆粒


廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)2016年http:∥jxmu.xmu.edu.cn真空度約為8×10-5Pa.在室溫下當(dāng)射頻濺射功率為80W,濺射轉(zhuǎn)速為20r/min時(shí),分別濺射沉積6,12,18,24,30和48s的Au膜,得到不同濺射時(shí)間的Au/SiO2/p-Si樣品;再將樣品放入快速熱退火爐中,在N2環(huán)境中分別進(jìn)行不同溫度(400~800℃)60s的快速熱退火(rapidthermalannealing,RTA)處理,研究退火溫度對(duì)納米顆粒的影響.此外,還在較低的濺射功率40W下制備了濺射時(shí)間為12s的Au樣品,并對(duì)其進(jìn)行RTA處理.本研究利用掃描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope,SEM,Hitachi-S4800)對(duì)樣品的表面形貌進(jìn)行了測(cè)試和表征.2結(jié)果與討論2.1不同濺射時(shí)間對(duì)Au薄膜形貌的影響濺射時(shí)間是影響Au納米顆粒形貌的一個(gè)重要因素.如圖1所示為80W射頻功率下沉積不同時(shí)間Au后樣品的表面SEM圖.通過(guò)ImageJ圖像分析軟件對(duì)SEM圖進(jìn)行分析,計(jì)算得到Au的覆蓋率(Au覆蓋的面積占總面積的比例)以及Au顆粒數(shù)密度隨濺射時(shí)間的變化關(guān)系,如圖2所示.從圖1(a)和(b)可見,當(dāng)沉積時(shí)間從6s增加到12s時(shí),Au保持分立的顆粒狀,覆蓋率由19%快速增加到37%,與此同時(shí),顆粒數(shù)密度由2.8×1011cm-2增加到6.2×1011cm-2,兩者均增加了1倍

示意圖,納米顆粒,示意圖


第6期許怡紅等:SiO2/Si襯底上Au納米顆粒制備的研究http:∥jxmu.xmu.edu.cn圖3Au納米顆粒形成示意圖Fig.3SchematicoftheformationofAunanoparticle加,Au島之間可通過(guò)團(tuán)聚或球形化來(lái)減小系統(tǒng)的表面能[4-5].縱向百分比是指每種尺寸的顆粒數(shù)占總顆粒的百分比,下同.圖4濺射時(shí)間為12s樣品退火前后Au尺寸分布圖及其相應(yīng)的SEM圖Fig.4ThesizedistributionandSEMgraphsofthesamplewith12ssputteringtime上述不同濺射時(shí)間樣品的表面呈現(xiàn)2種形貌類型,即分立的Au納米顆粒和半連續(xù)薄膜.分別取Au顆粒分立且顆粒數(shù)密度最大的12s樣品及呈現(xiàn)半連續(xù)薄膜形貌的48s樣品進(jìn)行不同溫度(400~800℃)60s快速熱退火處理,對(duì)樣品退火后的表面形貌進(jìn)行了測(cè)試,并對(duì)Au顆粒的尺寸分布、平均尺寸(D)和顆粒數(shù)密度進(jìn)行統(tǒng)計(jì)計(jì)算.圖4所示為濺射12s的樣品退火前后的Au顆粒尺寸半高寬(HFWHM),插圖為相應(yīng)的SEM圖.樣品退火前,Au納米的顆粒數(shù)密度為6.2×1011cm-2,經(jīng)過(guò)400,600和800℃退火后分別為5.8×1011,5.9×1011及5.7×1011cm-2,變化較。送,Au納米顆粒退火前的平均尺寸為8.26nm,經(jīng)400,600,800℃退火后分別為8.34,8.32,8.36nm,也未發(fā)生明顯的改變,

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]不同襯底上Au納米顆粒制備及其光學(xué)特性[J]. 張會(huì)均,黃凱,高娜,康俊勇.  廈門大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2013(03)



本文編號(hào):2965036

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