本文采用磁控濺射（PVD）和脈沖激光沉積法（PLD）制備出ITO/Ag/ITO（IAI）和ITO/Ag/AZO（IAA）光學(xué)和電學(xué)性能較好的金屬基復(fù)合透明導(dǎo)電膜.進(jìn)而,采用濺射硒化法制備銅銦鎵硒（CIGS）太陽(yáng)電池,采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）制備非晶硅（a-Si:H）太陽(yáng)電池,并將復(fù)合透明導(dǎo)電膜應(yīng)用于銅銦鎵硒和非晶硅太陽(yáng)電池.使用單一四元陶瓷靶的射頻磁控濺射制備銅銦鎵硒薄膜,然后進(jìn)行退火處理.靶材由Cu₂Se,Ga₂Se₃和In₂Se₃粉末制成,比例為Cu:In:Ga:Se=20:17.5:7.5:55at%.通過(guò)采用梯度濺射法,即選用前120分鐘的恒定45 W和最后30分鐘的45⁵0 W的梯度功率.該膜具有貧Cu光滑表面并顯示出較好的化學(xué)計(jì)量比.在硒化之后,測(cè)量Cu/（In+Ga）比率約為0.80-0.95,Ga/（In+Ga）比率約為0.20-0.30.在CIGS薄膜太陽(yáng)電池中采用ITO/Ag/AZO夾層結(jié)構(gòu)作為復(fù)合透明導(dǎo)電膜,通過(guò)脈... 

【文章來(lái)源】：內(nèi)蒙古大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：53 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

四腔室團(tuán)簇式PECVD沉積系統(tǒng)設(shè)備

圖 3.1 調(diào)整 SP-Cu 樣品的濺射功率作為時(shí)間的函數(shù)Figure 3.1 Adjusting sputtering power of SP-Cu samples as a function o晶體結(jié)晶相是溫度的函數(shù)，同樣對(duì)于 CIGS 吸收層來(lái)說(shuō)退火 CIGS 太陽(yáng)電池工藝中最重要的步驟. 硒化過(guò)程中因?yàn)榻饘傥?

所以必須進(jìn)行補(bǔ)硒，最常用的硒化氫氣體，但是硒化氫非常昂貴，而且因?yàn)楦叨拘院捅ㄐ远容^危險(xiǎn)，這里我們采用固態(tài)硒粉為硒源將其取代. 對(duì)于退火處理，在裝備有石英管作為反應(yīng)室的爐子中進(jìn)行快速熱處理(RTP). 退火系統(tǒng)如圖3.2所示. 將沉積的CIGS前體膜和石墨盒中的100 mg Se粉末放入反應(yīng)室并使用Ar作為載氣.硒源位于離自制的石墨盒中倒置在距預(yù)制層薄膜約 100 mm 處. Ar 在整個(gè)退火過(guò)程中穿過(guò)管并排入裝滿水的燒杯中. 將樣品加熱至550 ℃保持 200 秒，并在此溫度下保持 30 分鐘. 最后，將樣品自然冷卻.圖 3.2 硒化爐示意圖Figure 3.2 Schematic diagram of the selenization furnace

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]柔性ITO薄膜表面無(wú)敏化法選擇性化學(xué)鍍鎳研究[J]. 王俊偉,夏偉,郭虎,王濤,謝信湘,何建平.  電子元件與材料. 2016(01)
[2]制備工藝對(duì)ITO薄膜的電阻率及沉積速率的影響[J]. 趙文雅,蔣洪川,陳寅之,張萬(wàn)里,彭少龍.  電子元件與材料. 2012(08)
[3]等離子體處理對(duì)ITO表面化學(xué)鍍銅的影響[J]. 張官理,樊兆雯,張?jiān)缕?  電子器件. 2011(04)

博士論文
[1]新型Ag-ITO復(fù)合薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)及光電性質(zhì)表征[D]. 蔡琪.安徽大學(xué) 2007

碩士論文
[1]磁控濺射法制備ITO薄膜及其光電性能研究[D]. 高鵬飛.北京交通大學(xué) 2014



本文編號(hào)：2964545