鈣鈦礦氧化物外延薄膜的微觀結構調(diào)控與同步輻射表征
發(fā)布時間:2021-01-06 01:20
強關聯(lián)材料中由于自旋、軌道、電荷與晶格的強相互關聯(lián)作用而表現(xiàn)出多種奇異的物理特性。因此,研究強關聯(lián)材料的晶體結構對于理解這類物性的起源具有重要的科學意義。鈣鈦礦結構的強關聯(lián)材料,不僅晶格可以畸變,內(nèi)部八面體的扭轉(zhuǎn)也會造成晶體對稱性的改變,從而誘導出不同的物性。鎳酸鹽材料體系是強關聯(lián)鈣鈦礦氧化物的典型,鎳酸鹽所具有的金屬絕緣體轉(zhuǎn)變(MIT)特性以及其中的物理機制一直是科學研究的熱點。然而,鎳酸鹽中不僅基礎的MIT物理機制仍沒有統(tǒng)一定論,而且對該類材料的物性調(diào)控研究及可能的電子器件研發(fā)也很欠缺,因此仍需要投入更多的研究資源。針對目前的研究欠缺和信息時代對新型電子器件的迫切需求,我們從結構與物性的耦合關聯(lián)角度出發(fā),以NdNiO3(NNO)作為典型代表,利用離子液體施加門電壓的方法(ILG,其電場效應比傳統(tǒng)場效應管高一個量級以上)對NNO的MIT調(diào)控機制展開研究;此外,我們研究了Ni06八面體旋轉(zhuǎn)對MIT的影響。基于同步輻射表征技術的優(yōu)勢,我們研究發(fā)現(xiàn)ILG的門電壓具有窗口效應,即:在負的門電壓作用下,NNO薄膜的晶體結構沒有變化,TMI隨著負壓升高往低溫移動;再者,我們...
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2常見氧化物材料的MIT溫度分布[5]
?(I.])??對于0.9?<t<l的材料一般會穩(wěn)定為立方相,部分會弛豫到三方相。當t<??0.9,晶體傾向于呈現(xiàn)三方相或者正交相結構,如圖1.3?(b)。對于t>l的鈣鈦??礦結構一般會是鐵電相或非穩(wěn)定態(tài),如果t繼續(xù)增大,就會變成六角的多晶型結??構?梢,大部分偏離理想鈣鈦礦結構的晶格畸變都與A位陽離子的位移和??B06八面體的旋轉(zhuǎn)關系密切。圖1.3?(e)為由八面體傾斜導致立方相變成三方??相的情況。B06八面體旋轉(zhuǎn)情況,Glazer很早就進行了系統(tǒng)的研宄[16,?17]。如??圖1.3?(c)所示,B06八面體旋轉(zhuǎn)可以分解成繞著相互垂直的X、7和2軸的旋??轉(zhuǎn)來簡單描述,相應的旋轉(zhuǎn)角標記為(X、P和Y。此外,通常鈣鈦礦化合物的畸??變度也可以用加權平均的B-0-B夾角e表示,如圖1.3?(f)所示。由于具有特??殊的結構,為了方便表述,通常會選用贗立方來表示鈣鈦礦結構。贗立方晶格??和正交晶格間的關系示意圖如圖1.3?(b)所示。??(a)?(b)?(c)??<B-0-B>??(d)?(e)?(f)??圖1.3鈣鈦礦AB03的結構示意圖。(a)立方相;(b)正交相
?250??T(K)??圖1.6NdNi03薄膜生長在NdGa03單晶襯底上,厚度不同所對應的電阻?溫度變化曲線。插??圖為實驗所用的不同厚度樣品對應的TMI變化趨勢[47]。??Catalan認為壓應變的條件下Ni-O鍵比Re-0鍵長更容易被壓縮,加上在靜??壓力下報道的Tmi往低溫方向移動[43],所以,其認為在壓應力下ReNi03的Tmi??8??
【參考文獻】:
博士論文
[1]VO2外延薄膜的制備和相變機理研究[D]. 楊蒙蒙.中國科學技術大學 2015
本文編號:2959652
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2常見氧化物材料的MIT溫度分布[5]
?(I.])??對于0.9?<t<l的材料一般會穩(wěn)定為立方相,部分會弛豫到三方相。當t<??0.9,晶體傾向于呈現(xiàn)三方相或者正交相結構,如圖1.3?(b)。對于t>l的鈣鈦??礦結構一般會是鐵電相或非穩(wěn)定態(tài),如果t繼續(xù)增大,就會變成六角的多晶型結??構?梢,大部分偏離理想鈣鈦礦結構的晶格畸變都與A位陽離子的位移和??B06八面體的旋轉(zhuǎn)關系密切。圖1.3?(e)為由八面體傾斜導致立方相變成三方??相的情況。B06八面體旋轉(zhuǎn)情況,Glazer很早就進行了系統(tǒng)的研宄[16,?17]。如??圖1.3?(c)所示,B06八面體旋轉(zhuǎn)可以分解成繞著相互垂直的X、7和2軸的旋??轉(zhuǎn)來簡單描述,相應的旋轉(zhuǎn)角標記為(X、P和Y。此外,通常鈣鈦礦化合物的畸??變度也可以用加權平均的B-0-B夾角e表示,如圖1.3?(f)所示。由于具有特??殊的結構,為了方便表述,通常會選用贗立方來表示鈣鈦礦結構。贗立方晶格??和正交晶格間的關系示意圖如圖1.3?(b)所示。??(a)?(b)?(c)??<B-0-B>??(d)?(e)?(f)??圖1.3鈣鈦礦AB03的結構示意圖。(a)立方相;(b)正交相
?250??T(K)??圖1.6NdNi03薄膜生長在NdGa03單晶襯底上,厚度不同所對應的電阻?溫度變化曲線。插??圖為實驗所用的不同厚度樣品對應的TMI變化趨勢[47]。??Catalan認為壓應變的條件下Ni-O鍵比Re-0鍵長更容易被壓縮,加上在靜??壓力下報道的Tmi往低溫方向移動[43],所以,其認為在壓應力下ReNi03的Tmi??8??
【參考文獻】:
博士論文
[1]VO2外延薄膜的制備和相變機理研究[D]. 楊蒙蒙.中國科學技術大學 2015
本文編號:2959652
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