SiC納米線是典型的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料。除了SiC本身高熔點(diǎn)、高硬度、良好的熱穩(wěn)定性、優(yōu)異的力學(xué)性能和高溫性能外,SiC納米線還能夠在高頻、高功率和強(qiáng)輻射等極端環(huán)境被應(yīng)用。優(yōu)異的物理化學(xué)性能及特殊的納米結(jié)構(gòu)使SiC納米線在場(chǎng)發(fā)射陰極材料領(lǐng)域占據(jù)不可替代的位置。然而,SiC納米線的場(chǎng)發(fā)射性能并不能滿足其作為場(chǎng)發(fā)射陰極材料的使用需求。因此,本課題組以提高SiC納米線的場(chǎng)發(fā)射性能為目的,對(duì)SiC納米線分別進(jìn)行Al、Al/N共摻雜研究,以期獲得具有優(yōu)異場(chǎng)發(fā)射性能的Al摻雜SiC納米線和Al/N共摻雜SiC納米線,使SiC納米線能夠滿足場(chǎng)發(fā)射對(duì)陰極材料的要求。通過(guò)理論計(jì)算對(duì)Al、Al/N共摻提高SiC場(chǎng)發(fā)射的機(jī)理進(jìn)行系統(tǒng)深入的研究。主要研內(nèi)容如下:（1）以聚碳硅烷為C源和Si源,Si粉為輔助Si源,硝酸鋁為Al源,硝酸鎳為催化劑,采用一步化學(xué)氣相沉積法制備了原位Al摻雜SiC納米線。研究了反應(yīng)溫度、原料配比及保溫時(shí)間三個(gè)工藝參數(shù)對(duì)原位Al摻雜SiC納米線的形貌及場(chǎng)發(fā)射性能的影響規(guī)律,優(yōu)選制備工藝參數(shù),并采用SEM、TEM等測(cè)試手段對(duì)制備產(chǎn)物進(jìn)行表征。結(jié)果表明,Al摻雜SiC納米線的優(yōu)選制備工... 

【文章來(lái)源】：青島科技大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】：94 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SiC原子排列圖：(a)Si-C正四面體，(b)Si-C雙原子層組成的交替Si面和C面

能及其應(yīng)用 具有密度低、強(qiáng)度大、形變低和反射高的特點(diǎn)，所以 SiC用于人們對(duì)太空的觀察，例如，在眾所周知的 NASA 望遠(yuǎn) 制成的反光鏡。材料概述材料種類是指幾何尺寸在納米量級(jí)（1~100nm）的超細(xì)顆粒材料，原子（或原子團(tuán)簇）的交接或者過(guò)度區(qū)，遠(yuǎn)大于原子（或所說(shuō)的微粉。納米材料在材料科學(xué)領(lǐng)域中占據(jù)十分重要的學(xué)性質(zhì)和光電性能等方面顯示出的特性讓無(wú)數(shù)材料領(lǐng)域的由于納米材料表現(xiàn)出的優(yōu)異性能并為人們認(rèn)識(shí)固體材料提納米材料被譽(yù)為“21 世紀(jì)最有前途的材料”。

圖 1-2 場(chǎng)致Fig.1-2 The diagram of tunn圖 1-2 中用曲線表示場(chǎng)發(fā)射電子電子本征能量，各曲線代表了電子在從圖中可以看出，當(dāng)外部電場(chǎng)為增強(qiáng)，隧穿勢(shì)壘發(fā)生彎曲，當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到子本征能量的線相切并且低于本征能足電子從材料表面逸出的條件，這也1.4.2 場(chǎng)發(fā)射的理論研究對(duì)于場(chǎng)發(fā)射的理論研究，不僅僅

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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