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不同增強(qiáng)相含量的鈦基復(fù)合材料離子拋光成形對比

發(fā)布時(shí)間:2020-12-31 16:17
  針對不同增強(qiáng)相含量的鈦基復(fù)合材料,利用離子拋光方法對比了不同增強(qiáng)相含量的拋光形貌、拋光成形參數(shù)和拋光表面粗糙度的影響。發(fā)現(xiàn)增強(qiáng)相含量越多,離子拋光成形參數(shù)越大。為了量化成形參數(shù)的變化規(guī)律,以增強(qiáng)相含量和拋光時(shí)間為自變量;貧w分析,預(yù)測了拋光成形參數(shù)的表達(dá)式。此外,利用粗糙度的測量結(jié)果作為評價(jià)離子拋光的表面成形質(zhì)量。研究表明,增強(qiáng)相含量影響了離子轟擊材料表面的物理濺射和原子流動;增強(qiáng)相含量越多,表面粗糙度越大。 

【文章來源】:實(shí)驗(yàn)室研究與探索. 2020年04期 北大核心

【文章頁數(shù)】:4 頁

【部分圖文】:

不同增強(qiáng)相含量的鈦基復(fù)合材料離子拋光成形對比


不同增強(qiáng)相含量的離子拋光形態(tài)對比圖(×100)

成形,離子,參數(shù),鈦基


為了進(jìn)一步量化對比分析拋光成形特點(diǎn),利用Image J軟件對顯微鏡下拍攝的拋光成形參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì),通過像素點(diǎn)和標(biāo)尺距離之間的轉(zhuǎn)換統(tǒng)計(jì)計(jì)算實(shí)際的拋光寬度、拋光深度和拋光面積。不同增強(qiáng)相含量對鈦基復(fù)合材料離子拋光成形參數(shù)的影響如圖2所示。其中圖2(a)為不同增強(qiáng)相含量對拋光寬度的影響,圖2(b)為不同增強(qiáng)相含量對拋光深度的影響,圖2(c)為不同增強(qiáng)相含量對拋光面積的影響。可以看出,隨著增強(qiáng)相含量的增大,相同拋光時(shí)間的離子拋光成形參數(shù)是逐漸增大的。這是由于隨著增強(qiáng)相含量的增多,鈦基復(fù)合材料的微裂紋缺陷增多,使得離子轟擊材料表面更為容易,從而使得拋光成形參數(shù)增大。如圖3所示為不同增強(qiáng)相含量的拋光形態(tài),其中圖3(a)為增強(qiáng)相含量為1%時(shí)的拋光形態(tài),圖3(b)為增強(qiáng)相含量為3%時(shí)的拋光形態(tài),圖3(c)為增強(qiáng)相含量為5%時(shí)的拋光形態(tài)?梢钥吹皆鰪(qiáng)相含量為3%和5%時(shí)拋光表面均出現(xiàn)了不同程度的微裂紋缺陷。圖3 不同增強(qiáng)相含量鈦基復(fù)合材料的表面微裂紋缺陷

鈦基,成形,離子,微裂紋


不同增強(qiáng)相含量鈦基復(fù)合材料的表面微裂紋缺陷

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[3]離子束截面拋光-電子探針儀分析在SiCp/Al復(fù)合材料相結(jié)構(gòu)研究中的應(yīng)用[J]. 胡瑩,張瀾庭.  理化檢驗(yàn)(物理分冊). 2017(02)
[4]等離子拋光技術(shù)的原理及應(yīng)用[J]. 于吉鯤.  機(jī)械工程師. 2016(05)
[5]不鍍膜頁巖樣品的氬離子拋光/掃描電鏡分析方法研究[J]. 王亮,章雄冬,劉玉霞.  電子顯微學(xué)報(bào). 2015(01)
[6]拋光技術(shù)的現(xiàn)狀[J]. 趙興科,王中,鄭玉峰,趙連城.  表面技術(shù). 2000(02)
[7]離子束拋光硅片納米級微觀形貌的原子力顯微鏡研究[J]. 褚家如,黃文浩,洪義麟,付紹軍.  電子顯微學(xué)報(bào). 1995(01)

碩士論文
[1]TC4鈦合金離子拋光工藝及機(jī)理研究[D]. 畢永琛.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2018



本文編號:2949928

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