以水熱法合成的ZnO納米棒花為載體,將C₃N₄定量負載在其表面,制備C₃N₄/ZnO復合材料.由于C₃N₄與ZnO的能級匹配,可有效促進其光生電荷的分離,降低光生電荷復合率,顯著提高載流子濃度,使其光電流明顯增加.C₃N₄與ZnO質量比為2%的樣品（2%C₃N₄/ZnO）性能最佳,其光電流在370 nm處可達120μA,為純ZnO的2.4倍.在室溫可見光下,2%C₃N₄/ZnO樣品對HCHO的光電氣敏響應值可達122%,比純ZnO高4倍左右.結果表明,適量C₃N₄的負載有效延長了光生電荷的壽命,使ZnO材料在可見光區(qū)對HCHO氣體表現(xiàn)出高效的光電氣敏性能. 

【文章來源】：河南師范大學學報(自然科學版). 2020年02期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 樣品的制備
    1.2 樣品的表征
    1.3 氣敏元件的制備及測試系統(tǒng)
2 實驗結果與討論
    2.1 樣品的組成、結構和形貌表征
    2.2 樣品的光學性能
    2.3 樣品的光電性能測試
    2.4 樣品的光電氣敏性能測試
3 結 論



本文編號：2944607