CdTe作為直接帶隙材料,具有高吸收系數(shù),禁帶寬度約為1.46 eV,正好位于理想的太陽電池的能隙范圍,僅1μm就能吸收90%以上的可見光,理論效率高達(dá)28%。本文主要進(jìn)行了磁控濺射法制備吸收層CdTe薄膜的研究工作。首先,采用了磁控濺射法制備CdTe薄膜,分析了襯底溫度、濺射時(shí)間、濺射功率以及氬氣壓強(qiáng)對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)特性、光學(xué)特性以及表面形貌的影響。然后將磁控濺射法得出的較優(yōu)的實(shí)驗(yàn)參數(shù)運(yùn)用到電池的制備當(dāng)中,具體結(jié)論如下:1、通過對(duì)磁控濺射法制備的CdTe薄膜分析后,得到當(dāng)襯底溫度為300℃、濺射功率為100 W、氬氣壓強(qiáng)為1.4 Pa時(shí),呈現(xiàn)較好的結(jié)晶性,在可見光范圍內(nèi)有較好的吸收性能,且晶粒尺寸較大。此時(shí),CdTe薄膜各項(xiàng)性能處于較優(yōu)狀態(tài);2、將性能較優(yōu)的CdTe薄膜的實(shí)驗(yàn)參數(shù)應(yīng)用至電池的制備當(dāng)中。分別制備了背電極為Au和Cu/Au的碲化鎘電池。經(jīng)過對(duì)薄膜厚度、熱處理工藝、結(jié)晶質(zhì)量以及背電極處理工藝上不斷改善和優(yōu)化的基礎(chǔ)上,最終制備了光電轉(zhuǎn)換效率為4.18%的CdTe薄膜電池,電池的參數(shù)為:開路電壓為561 mV,短路電流密度為14.98 mA/cm~2,填充因子為49.7%。本實(shí)驗(yàn)采... 

【文章來源】：暨南大學(xué)廣東省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

超純水制備系統(tǒng)

圖2-9臺(tái)階儀

X射線衍射儀

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[3]紫外可見分光光度計(jì)及其應(yīng)用[J]. 吳文銘.  生命科學(xué)儀器. 2009(04)
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博士論文
[1]CdTe薄膜電池器件制備及相關(guān)材料研究[D]. 呂斌.南京大學(xué) 2012

碩士論文
[1]磁控濺射制備ZnO薄膜的研究[D]. 史君黛.暨南大學(xué) 2011
[2]CdS薄膜及其太陽能電池的制備和性質(zhì)研究[D]. 常笑薇.北京交通大學(xué) 2007



本文編號(hào)：2944115