電場(chǎng)極化調(diào)控聚(3-己基噻吩)薄膜潤(rùn)濕性
發(fā)布時(shí)間:2020-12-27 12:19
本文首次采用電場(chǎng)極化技術(shù)精確控制共軛聚合物P3HT薄膜表面的潤(rùn)濕性,通過(guò)調(diào)節(jié)極化條件,成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)P3HT薄膜表面潤(rùn)濕性的精確控制,薄膜表面水接觸角可以實(shí)現(xiàn)從疏水性到親水性的轉(zhuǎn)變.通過(guò)光譜學(xué)、形貌學(xué)及接觸角等表征手段,詳細(xì)研究了電場(chǎng)極化作用下共軛聚合物分子取向聚集形態(tài)及作用機(jī)理.該工作不但擴(kuò)展了共軛聚合物薄膜材料的應(yīng)用范圍,也為分子形態(tài)學(xué)的研究奠定了基礎(chǔ).
【文章來(lái)源】:分子科學(xué)學(xué)報(bào). 2020年03期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
電場(chǎng)極化裝置示意圖
不同強(qiáng)度電場(chǎng)極化處理后的P3HT薄膜水接觸角測(cè)試結(jié)果如圖2a所示,可以看出P3HT薄膜在經(jīng)過(guò)不同電場(chǎng)強(qiáng)度處理后,表面濕潤(rùn)性發(fā)生了明顯變化.另外,從圖2b P3HT薄膜水接觸角與極化電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系曲線可以看出,隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加,P3HT薄膜表面水接觸角逐漸降低,并且可以通過(guò)改變電場(chǎng)大小實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜表面濕潤(rùn)性精確調(diào)控.在電場(chǎng)強(qiáng)度0~7 kV·cm-1范圍內(nèi),水接觸角從105.9°變?yōu)?5.6°,實(shí)現(xiàn)了P3HT薄膜濕潤(rùn)性從疏水性到親水性的轉(zhuǎn)變.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度高于7 kV·cm-1時(shí),電壓會(huì)擊穿薄膜造成薄膜損壞.不同強(qiáng)度電場(chǎng)處理后P3HT薄膜表面水接觸角的變化可能歸因于薄膜表面及內(nèi)部的P3HT分子在活化狀態(tài)(玻璃轉(zhuǎn)變溫度)下受到電場(chǎng)力的作用而發(fā)生了分子取向的變化,從而影響了薄膜的濕潤(rùn)性.為了驗(yàn)證這一機(jī)理,我們進(jìn)行了進(jìn)一步表征和測(cè)試.2.2 紫外-可見吸收光譜分析
不同強(qiáng)度電場(chǎng)極化后P3HT薄膜的紫外-可見吸收光譜如圖3a所示,可以清楚觀察到所有的薄膜在562和610 nm 的位置出現(xiàn)了吸收峰,分別對(duì)應(yīng)P3HT 分子π-π鏈內(nèi)躍遷和堆疊的強(qiáng)度[22-23].此外,可以看出隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加,P3HT分子的π-π鏈內(nèi)躍遷和堆積強(qiáng)度逐漸減小.產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因是由于當(dāng)P3HT在玻璃轉(zhuǎn)化溫度(約130 ℃)下,噻吩環(huán)上帶負(fù)電荷的S原子與電場(chǎng)的正極之間的靜電相互作用,使得主鏈上的S原子朝向正極方向旋轉(zhuǎn),同時(shí)一些烷基側(cè)鏈朝向基底方向拉伸,導(dǎo)致膜中π-π堆積強(qiáng)度降低;當(dāng)溫度降為室溫而電場(chǎng)作用不變,分子的取向被凍結(jié),其過(guò)程示意圖如圖3b所示.由于膜表面烷基側(cè)鏈取向朝向膜內(nèi)偏轉(zhuǎn),表面烷基側(cè)鏈減少,因此導(dǎo)致薄膜表面親水性增加,與接觸角的測(cè)試結(jié)果一致.2.3 XRD分析
本文編號(hào):2941721
【文章來(lái)源】:分子科學(xué)學(xué)報(bào). 2020年03期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)
【部分圖文】:
電場(chǎng)極化裝置示意圖
不同強(qiáng)度電場(chǎng)極化處理后的P3HT薄膜水接觸角測(cè)試結(jié)果如圖2a所示,可以看出P3HT薄膜在經(jīng)過(guò)不同電場(chǎng)強(qiáng)度處理后,表面濕潤(rùn)性發(fā)生了明顯變化.另外,從圖2b P3HT薄膜水接觸角與極化電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系曲線可以看出,隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加,P3HT薄膜表面水接觸角逐漸降低,并且可以通過(guò)改變電場(chǎng)大小實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜表面濕潤(rùn)性精確調(diào)控.在電場(chǎng)強(qiáng)度0~7 kV·cm-1范圍內(nèi),水接觸角從105.9°變?yōu)?5.6°,實(shí)現(xiàn)了P3HT薄膜濕潤(rùn)性從疏水性到親水性的轉(zhuǎn)變.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度高于7 kV·cm-1時(shí),電壓會(huì)擊穿薄膜造成薄膜損壞.不同強(qiáng)度電場(chǎng)處理后P3HT薄膜表面水接觸角的變化可能歸因于薄膜表面及內(nèi)部的P3HT分子在活化狀態(tài)(玻璃轉(zhuǎn)變溫度)下受到電場(chǎng)力的作用而發(fā)生了分子取向的變化,從而影響了薄膜的濕潤(rùn)性.為了驗(yàn)證這一機(jī)理,我們進(jìn)行了進(jìn)一步表征和測(cè)試.2.2 紫外-可見吸收光譜分析
不同強(qiáng)度電場(chǎng)極化后P3HT薄膜的紫外-可見吸收光譜如圖3a所示,可以清楚觀察到所有的薄膜在562和610 nm 的位置出現(xiàn)了吸收峰,分別對(duì)應(yīng)P3HT 分子π-π鏈內(nèi)躍遷和堆疊的強(qiáng)度[22-23].此外,可以看出隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增加,P3HT分子的π-π鏈內(nèi)躍遷和堆積強(qiáng)度逐漸減小.產(chǎn)生這一現(xiàn)象的原因是由于當(dāng)P3HT在玻璃轉(zhuǎn)化溫度(約130 ℃)下,噻吩環(huán)上帶負(fù)電荷的S原子與電場(chǎng)的正極之間的靜電相互作用,使得主鏈上的S原子朝向正極方向旋轉(zhuǎn),同時(shí)一些烷基側(cè)鏈朝向基底方向拉伸,導(dǎo)致膜中π-π堆積強(qiáng)度降低;當(dāng)溫度降為室溫而電場(chǎng)作用不變,分子的取向被凍結(jié),其過(guò)程示意圖如圖3b所示.由于膜表面烷基側(cè)鏈取向朝向膜內(nèi)偏轉(zhuǎn),表面烷基側(cè)鏈減少,因此導(dǎo)致薄膜表面親水性增加,與接觸角的測(cè)試結(jié)果一致.2.3 XRD分析
本文編號(hào):2941721
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