薄膜晶體管因?yàn)槠浜?jiǎn)單的結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的性能,被廣泛的應(yīng)用于平板顯示技術(shù)之中。氧化物半導(dǎo)體因?yàn)榻艹龅奈锢硇阅鼙灰暈槠桨屣@示中最具應(yīng)用潛力的半導(dǎo)體材料。隨著集成電路集成度的不斷提高,薄膜晶體管的尺寸不斷變小,尋找高介電常數(shù)材料替代傳統(tǒng)二氧化硅介電材料,通過(guò)增加薄膜晶體管絕緣層介電常數(shù)取代減小絕緣層厚度的方式來(lái)增加絕緣層單位面積電容,可以達(dá)到抑制漏電流目的,又可以滿足薄膜晶體管等比例縮小的要求,是增加集成電路集成度非常有效的方式。現(xiàn)在平板技術(shù)高的制造成本以及繁雜的制備工序仍然是待需解決的問(wèn)題,開(kāi)發(fā)出可低成本大面積生產(chǎn)高性能薄膜晶體管的制備技術(shù)仍然是現(xiàn)時(shí)之需,溶液制備技術(shù)（溶膠凝膠技術(shù)及噴墨打印技術(shù)）因?yàn)榭傻统杀敬竺娣e生產(chǎn)高性能薄膜晶體管被視為可供未來(lái)選擇的前景生產(chǎn)技術(shù)。本論文通過(guò)溶液方法制備了高介電常數(shù)氧化鐿薄膜,詳盡地研究了不同后續(xù)退火條件對(duì)氧化鐿薄膜相關(guān)物理及電學(xué)參數(shù)的影響,并基于氧化鐿介電薄膜制備了氧化銦薄膜晶體管,對(duì)其性能進(jìn)行研究討論。性能最為優(yōu)異的氧化銦/氧化鐿薄膜晶體管操作電壓低至3 V,載流子飽和區(qū)場(chǎng)效應(yīng)遷移率為4.98 cm²V^-1s<... 

【文章來(lái)源】：青島大學(xué)山東省

【文章頁(yè)數(shù)】：69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

（a）液晶顯示器的電路陣列圖（b）單個(gè)液晶顯示電路原理圖

圖 1.2 (a) 維信諾制備的可全屏卷曲柔性 AMOLED 顯示屏 (b) AMOLED 單個(gè)顯單元電路原理圖。該單元的顯示效果會(huì)一直保持，直到下一次掃描及數(shù)據(jù)信號(hào)的到來(lái)。在整個(gè)顯示過(guò)程中不僅需要起到開(kāi)關(guān)作用的 TFT，還需要具有驅(qū)動(dòng) OLED 能力的 TFT，因?yàn)?OLED 是電流驅(qū)動(dòng)型的電子器件，所以對(duì)于驅(qū)動(dòng) TFT 來(lái)說(shuō)，要求載流子的遷移率不能太低，低電子遷移率的非晶硅已經(jīng)不能滿足這種要求，雖然低溫多晶硅可以滿足這一要求，但是其在大面積生產(chǎn)時(shí)均勻性太差，會(huì)嚴(yán)重影響顯示效果，也只能用于小尺寸AMOLED 的制備。相比之下，非晶氧化物半導(dǎo)體（典型的為銦鎵鋅氧 IGZO）由于不低的電子遷移率，良好的可見(jiàn)光及空氣中穩(wěn)定性，薄膜材料的可彎曲性，低的制備成本和成熟的制備工藝，成為生產(chǎn) AMOLED 尤其是大尺寸 AMOLED 所需 TFT半導(dǎo)體層的不二之選，被視為用于顯示最具前景的的TFT半導(dǎo)體材料。同時(shí)驅(qū)動(dòng)TFT的穩(wěn)定性（即閾值電壓的漂移程度）直接決定了 OLED 顯示灰度值的準(zhǔn)確性，也就決定了 AMOLED 的顯示效果，所以制備出穩(wěn)定性良好高遷移率的驅(qū)動(dòng) TFT 尤為關(guān)鍵[12]。由于 AMOLED 巨大的應(yīng)用及市場(chǎng)前景，國(guó)內(nèi)制備 AMOLED 的廠商近幾年也呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，如京東方、維信諾、華星光電、天馬等幾家廠商生產(chǎn)制備技術(shù)已

第二章 薄膜場(chǎng)效應(yīng)管（TFT）的物理結(jié)構(gòu)及工作原理第二章 薄膜場(chǎng)效應(yīng)管（TFT）的物理結(jié)構(gòu)及工作原理1 TFT 的物理結(jié)構(gòu)TFT 由半導(dǎo)體層，絕緣介電層，柵電極，源漏電極四部分組成，根據(jù)柵電極可將 TFT 分為底柵和頂柵兩種類型，根據(jù)源漏電極位置又可將 TFT 分為頂接接觸兩種類型，如圖 2.1 所示。TFT 在實(shí)際生產(chǎn)制備中可結(jié)合材料制備工藝及要求來(lái)選擇所需要的器件結(jié)構(gòu)。其中底柵頂接觸結(jié)構(gòu)制備簡(jiǎn)單，易形成良好的體絕緣層界面，本論文中實(shí)驗(yàn)均采用此種 TFT 結(jié)構(gòu)形式。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]AMOLED制備關(guān)鍵技術(shù)研究[J]. 呂琳,汪建華,熊禮威.  現(xiàn)代顯示. 2013(06)



本文編號(hào)：2936684