高溫下C/SiC復(fù)合材料彎曲斷裂性能實(shí)時(shí)測(cè)試和微觀結(jié)構(gòu)表征分析
發(fā)布時(shí)間:2020-12-24 10:39
采用先驅(qū)體浸漬裂解法制備三維編織的C/SiC復(fù)合材料,利用自主研發(fā)的高溫散斑制作技術(shù)和改進(jìn)的三維變形光學(xué)測(cè)試系統(tǒng),基于數(shù)字圖像相關(guān)技術(shù)測(cè)試原理,在高溫小尺度下實(shí)時(shí)表征分析C/SiC復(fù)合材料的力學(xué)性能。運(yùn)用X射線衍射和掃描電子顯微鏡測(cè)試分析了材料高溫氧化情況、顯微組織結(jié)構(gòu)及裂紋擴(kuò)展情況。研究表明:溫度對(duì)C/SiC復(fù)合材料的性能有很大的影響。隨著溫度的升高,材料由脆性斷裂逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)轫g性斷裂;材料的斷裂韌性由7.98±0.12MPa·m1/2減小到2.76±0.11MPa·m1/2,斷裂強(qiáng)度從251.40±2.71MPa減小到86.94±1.82MPa。本文為掌握C/SiC復(fù)合材料的高溫失效機(jī)理提供了一種有效的實(shí)驗(yàn)測(cè)試技術(shù)和方法。
【文章來源】:實(shí)驗(yàn)力學(xué). 2016年02期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【文章目錄】:
0引言
1實(shí)驗(yàn)
1.1 C/SiC復(fù)合材料樣品的制備
1.2高溫散斑制備
1.3高溫單邊切口梁三點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn)
1.4斷口分析與X射線測(cè)試
2結(jié)果與討論
2.1 C/SiC復(fù)合材料高溫?cái)嗔褟?qiáng)度和斷裂韌性測(cè)試分析
2.2 SEM與XRD測(cè)試分析
3結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于帶通濾波成像的高溫?cái)?shù)字圖像相關(guān)方法[J]. 潘兵,吳大方. 光學(xué)學(xué)報(bào). 2011(02)
[2]1200℃高溫?zé)岘h(huán)境下全場(chǎng)變形的非接觸光學(xué)測(cè)量方法研究[J]. 潘兵,吳大方,高鎮(zhèn)同,王岳武. 強(qiáng)度與環(huán)境. 2011(01)
本文編號(hào):2935507
【文章來源】:實(shí)驗(yàn)力學(xué). 2016年02期 北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:10 頁(yè)
【文章目錄】:
0引言
1實(shí)驗(yàn)
1.1 C/SiC復(fù)合材料樣品的制備
1.2高溫散斑制備
1.3高溫單邊切口梁三點(diǎn)彎曲實(shí)驗(yàn)
1.4斷口分析與X射線測(cè)試
2結(jié)果與討論
2.1 C/SiC復(fù)合材料高溫?cái)嗔褟?qiáng)度和斷裂韌性測(cè)試分析
2.2 SEM與XRD測(cè)試分析
3結(jié)論
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于帶通濾波成像的高溫?cái)?shù)字圖像相關(guān)方法[J]. 潘兵,吳大方. 光學(xué)學(xué)報(bào). 2011(02)
[2]1200℃高溫?zé)岘h(huán)境下全場(chǎng)變形的非接觸光學(xué)測(cè)量方法研究[J]. 潘兵,吳大方,高鎮(zhèn)同,王岳武. 強(qiáng)度與環(huán)境. 2011(01)
本文編號(hào):2935507
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