發(fā)布時間：2020-12-23 12:50

　　低電壓球差校正掃描透射電子顯微學(xué)和電子能量損失譜（STEM-EELS）由于能夠有效地避免撞擊位移損傷（knock-on damage）和提高電子束與樣品的非彈性散射截面,從而在低維納米催化劑的結(jié)構(gòu)表征方面具有廣闊的應(yīng)用前景。作者以最近在CrNi氧化物和Ni-N-C單原子催化劑上的工作為例,展示利用低電壓STEM-EELS表征不同元素不同化合價態(tài)在空間上的分布以及在單原子敏感度下進(jìn)行化學(xué)鍵合的分析。這些基于低加速電壓下的STEM-EELS結(jié)果為理解納米催化劑的構(gòu)效關(guān)系提供了更全面的認(rèn)識以及為材料設(shè)計提供了進(jìn)一步指導(dǎo)。 

【文章來源】：電子顯微學(xué)報. 2020年05期 北大核心

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

常規(guī)背底扣除后積分的方法處理CrNN的STEM-EELS結(jié)果。

利用MLLS擬合法對CrNN中的EELS信號進(jìn)行處理。

Ni-N-C催化劑的STEM-EELS表征。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]石墨烯的低電壓掃描透射電子顯微學(xué)成像研究[J]. 周武.  電子顯微學(xué)報. 2018(05)



本文編號：2933747