碳包覆鎳納米膠囊/石蠟復合材料電磁波吸收機制
發(fā)布時間:2020-12-17 21:30
利用直流電弧等離子體法在甲烷氣氛中制備碳包覆磁性鎳納米膠囊(Carbon-coated Ni nanocapsules,Ni(C)NCs),將它作為電磁波吸收劑,按照質(zhì)量比10%、20%、30%和40%與有機石蠟基體復合,在0.118GHz范圍內(nèi)測定其復介電常數(shù)和復磁導率,并對其電磁波響應(yīng)特性及吸收機制進行了研究。研究結(jié)果表明,Ni(C)納米膠囊具有明顯的極化損耗特征,其介電常數(shù)在低頻范圍內(nèi)隨頻率提高而急劇衰減,而磁導率具有寬化的多重共振峰;隨著Ni(C)納米膠囊添加量的增加,其介電常數(shù)逐漸增加,其復磁導率實部和虛部分別在0.18GHz、0.110GHz出現(xiàn)增加,而在818GHz和1018GHz范圍內(nèi)出現(xiàn)實部減小和虛部平緩變化的特征。根據(jù)極化、渦流以及反射損耗的理論分析,發(fā)現(xiàn)Ni(C)納米膠囊以介電損耗為主,并對相關(guān)機制進行了探討。
【文章來源】:材料導報. 2016年12期 北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
圖5不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0值隨頻率的變化曲線
說吸收劑包圍了電磁波的所有通道時,若吸波體能滿足阻抗匹配條件,則將會實現(xiàn)電磁波的有效吸收。根據(jù)傳輸線理論:Zin=Z0μrε槡rtanhj(2πfdc)μr槡ε[]r(7)RL=20lgZin-Z0Zin+Z0(8)當材料的厚度d與頻率f確定時,輸入阻抗和反射損耗只與材料的復介電常數(shù)和復磁導率有關(guān)。利用已測得的電磁參數(shù)可計算含不同質(zhì)量分數(shù)Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料板在不同厚度下的輸入阻抗及反射損耗值。圖7是厚度為4mm時不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的反射損耗及輸入阻抗隨頻率變化曲線。在0.1~3GHz范圍內(nèi),所有樣品的輸入阻抗均超過8000Ω,因此未在阻抗圖中繪出。從計算結(jié)果可以看出,反射損耗隨著納米膠囊添加量的增加而增加。當Ni(C)納米膠囊質(zhì)量分數(shù)為40%時,最小反射損耗可達-18.8dB,有效吸收帶寬為3.4GHz(RL≤-10dB)。因此,當復合材料輸入阻抗接近空間波阻抗時,可減少電磁波在材料表面的反射,使電磁波更好地進入材料內(nèi)部并被納米膠囊吸收。圖7不同質(zhì)量分數(shù)的Ni(C)納米膠囊石蠟復合材料的計算反射損耗與輸入阻抗(d=4mm)Fig.7ThecalculatedreflectionlossesandinputimpedancesversusfrequencyfortheNi(C)nanocapsules/paraffincompositeswithdifferentNi(C)contents(d=4mm)4結(jié)論通過直流電弧等離子體法在甲
,核殼結(jié)構(gòu)本身不會隨含量變化而發(fā)生改變,因此該交點是由于核殼結(jié)構(gòu)引起的。圖4中還發(fā)現(xiàn)磁導率實部和虛部在10GHz以上頻段基本保持為常數(shù),可能是由于高頻處出現(xiàn)渦流損耗所導致。對于渦流損耗,根據(jù)Maxwell方程可以推導出,當納米膠囊的直徑d小于趨膚深度時,渦流損耗可以表示為:f-1(μ′)-2μ″=23πμ0d2σ=C0(5)式中:f為電磁波的頻率。若復合材料中只存在渦流損耗時,C0應(yīng)是一個與頻率變化無關(guān)的常數(shù)[23]。圖5為不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0隨頻率變化圖。由圖5可以看出,C0隨著納米膠囊添加量的增加而變化,在1.5~6.0GHz和6.0~10.0GHz范圍內(nèi)出現(xiàn)2個峰,說明在此頻率范圍內(nèi)存在多種損耗機制,且渦流損耗不是主導因素。但在10.0~18.0GHz范圍內(nèi),4種樣品的C0值均接近于相同的常數(shù),說明在高頻范圍內(nèi)存在渦流損耗,抑制了磁導率的變化,且與吸收劑含量無關(guān)。因此可認為10GHz以上頻段復合材料磁導率實部和虛部保持為常數(shù)是由于存在渦流損耗所致。圖5不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0值隨頻率的變化曲線Fig.5C0versusfrequencyfortheNi(C)nanocapsules/paraffincompositeswithdifferentNi(C)contents從圖4中還可以發(fā)現(xiàn),隨著納米膠囊填充量的增加,復合材料復磁導率的實部和虛部都在一定頻率范圍內(nèi)增加,這是由于基體石蠟只起到承載和粘結(jié)的作用,復
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Magnetic Properties of Ni Nanoparticles and Ni(C) Nanocapsules[J]. Z.J.Li, G.H.Wen, F.W.Wang, J.L.Yu, X.L.Dong, X.X.Zhang and Z.D.Zhang1)Shenyang National Laboratory for Materials Science and International Centre for Materials Physics, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China2)Depa. Journal of Materials Science & Technology. 2002(02)
博士論文
[1]電磁屏蔽用吸收反射一體化復合材料的研究[D]. 徐銘.中國建筑材料科學研究總院 2011
碩士論文
[1]Fe基環(huán)氧樹脂納米復合材料制備及電磁吸波性能[D]. 謝昌江.大連理工大學 2013
本文編號:2922750
【文章來源】:材料導報. 2016年12期 北大核心
【文章頁數(shù)】:6 頁
【部分圖文】:
圖5不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0值隨頻率的變化曲線
說吸收劑包圍了電磁波的所有通道時,若吸波體能滿足阻抗匹配條件,則將會實現(xiàn)電磁波的有效吸收。根據(jù)傳輸線理論:Zin=Z0μrε槡rtanhj(2πfdc)μr槡ε[]r(7)RL=20lgZin-Z0Zin+Z0(8)當材料的厚度d與頻率f確定時,輸入阻抗和反射損耗只與材料的復介電常數(shù)和復磁導率有關(guān)。利用已測得的電磁參數(shù)可計算含不同質(zhì)量分數(shù)Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料板在不同厚度下的輸入阻抗及反射損耗值。圖7是厚度為4mm時不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的反射損耗及輸入阻抗隨頻率變化曲線。在0.1~3GHz范圍內(nèi),所有樣品的輸入阻抗均超過8000Ω,因此未在阻抗圖中繪出。從計算結(jié)果可以看出,反射損耗隨著納米膠囊添加量的增加而增加。當Ni(C)納米膠囊質(zhì)量分數(shù)為40%時,最小反射損耗可達-18.8dB,有效吸收帶寬為3.4GHz(RL≤-10dB)。因此,當復合材料輸入阻抗接近空間波阻抗時,可減少電磁波在材料表面的反射,使電磁波更好地進入材料內(nèi)部并被納米膠囊吸收。圖7不同質(zhì)量分數(shù)的Ni(C)納米膠囊石蠟復合材料的計算反射損耗與輸入阻抗(d=4mm)Fig.7ThecalculatedreflectionlossesandinputimpedancesversusfrequencyfortheNi(C)nanocapsules/paraffincompositeswithdifferentNi(C)contents(d=4mm)4結(jié)論通過直流電弧等離子體法在甲
,核殼結(jié)構(gòu)本身不會隨含量變化而發(fā)生改變,因此該交點是由于核殼結(jié)構(gòu)引起的。圖4中還發(fā)現(xiàn)磁導率實部和虛部在10GHz以上頻段基本保持為常數(shù),可能是由于高頻處出現(xiàn)渦流損耗所導致。對于渦流損耗,根據(jù)Maxwell方程可以推導出,當納米膠囊的直徑d小于趨膚深度時,渦流損耗可以表示為:f-1(μ′)-2μ″=23πμ0d2σ=C0(5)式中:f為電磁波的頻率。若復合材料中只存在渦流損耗時,C0應(yīng)是一個與頻率變化無關(guān)的常數(shù)[23]。圖5為不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0隨頻率變化圖。由圖5可以看出,C0隨著納米膠囊添加量的增加而變化,在1.5~6.0GHz和6.0~10.0GHz范圍內(nèi)出現(xiàn)2個峰,說明在此頻率范圍內(nèi)存在多種損耗機制,且渦流損耗不是主導因素。但在10.0~18.0GHz范圍內(nèi),4種樣品的C0值均接近于相同的常數(shù),說明在高頻范圍內(nèi)存在渦流損耗,抑制了磁導率的變化,且與吸收劑含量無關(guān)。因此可認為10GHz以上頻段復合材料磁導率實部和虛部保持為常數(shù)是由于存在渦流損耗所致。圖5不同含量Ni(C)納米膠囊/石蠟復合材料的C0值隨頻率的變化曲線Fig.5C0versusfrequencyfortheNi(C)nanocapsules/paraffincompositeswithdifferentNi(C)contents從圖4中還可以發(fā)現(xiàn),隨著納米膠囊填充量的增加,復合材料復磁導率的實部和虛部都在一定頻率范圍內(nèi)增加,這是由于基體石蠟只起到承載和粘結(jié)的作用,復
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Magnetic Properties of Ni Nanoparticles and Ni(C) Nanocapsules[J]. Z.J.Li, G.H.Wen, F.W.Wang, J.L.Yu, X.L.Dong, X.X.Zhang and Z.D.Zhang1)Shenyang National Laboratory for Materials Science and International Centre for Materials Physics, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China2)Depa. Journal of Materials Science & Technology. 2002(02)
博士論文
[1]電磁屏蔽用吸收反射一體化復合材料的研究[D]. 徐銘.中國建筑材料科學研究總院 2011
碩士論文
[1]Fe基環(huán)氧樹脂納米復合材料制備及電磁吸波性能[D]. 謝昌江.大連理工大學 2013
本文編號:2922750
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