隨著信息化社會(huì)的不斷推進(jìn)和發(fā)展,21世紀(jì)在顯示領(lǐng)域已經(jīng)成為平板顯示的時(shí)代,而絕大多數(shù)的平板顯示器都是有源矩陣液晶顯示器（AMLCD）。AMLCD的核心元件是薄膜晶體管（Thin Film Transistor,TFT）,它對顯示器件的性能起著至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)的非晶硅TFT遷移率低、光敏性強(qiáng),多晶硅TFT制備工藝復(fù)雜、成本高、均勻性差等因素,限制了它們在更廣闊的領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用。將金屬氧化物半導(dǎo)體引入到TFT中,不僅能大幅度提高遷移率,還能有效降低成本,實(shí)現(xiàn)大面積的制備與應(yīng)用。然而,采用傳統(tǒng)的二氧化硅（SiO₂）作為TFT的介電層,由于其較小的介電常數(shù),很難降低SiO₂基的TFT的操作電壓。為解決這一問題,需要研究新型高?介電材料替代SiO₂作為介電層,制備高性能、低操作電壓薄膜晶體管。本文首先介紹了TFT的發(fā)展歷史,描述了TFT的工作原理、應(yīng)用和制備。第一部分研究了高?介電層氧化鍶（SrO）薄膜,通過簡單、低成本的溶膠凝膠法制備出高質(zhì)量介電薄膜,并系統(tǒng)地研究不同退火溫度下（400,500,600和700 ^o

【文章來源】：青島大學(xué)山東省

【文章頁數(shù)】：52 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
引言
第一章 緒論
    1.1 薄膜晶體管的研究背景及意義
    1.2 薄膜晶體管的應(yīng)用
        1.2.1 薄膜晶體管在LCD中的應(yīng)用
        1.2.2 薄膜晶體管在OLED中的應(yīng)用
        1.2.3 薄膜晶體管在傳感器中的應(yīng)用
    1.3 本文主要研究內(nèi)容和章節(jié)安排
第二章 薄膜晶體管的制備和研究
    2.1 TFT的結(jié)構(gòu)和工作原理
        2.1.1 TFT基本結(jié)構(gòu)
        2.1.2 TFT的工作原理
    2.2 TFT的主要性能參數(shù)
    2.3 TFT的制備方法
        2.3.1 濺射法
        2.3.2 脈沖激光沉積
        2.3.3 熱蒸發(fā)
        2.3.4 溶膠凝膠法
        2.3.5 TFT制備原材料
    2.4 薄膜的測試與表征
        2.4.1 紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）
        2.4.2 X射線衍射（XRD）
        2.4.3 原子力顯微鏡（AFM）
        2.4.4 X射線光電子能譜（XPS）
第三章 基于高κ氧化鍶介電層的氧化銦薄膜晶體管
    3.1 高介電常數(shù)材料
2材料存在問題">        3.1.1 傳統(tǒng)SiO₂材料存在問題
        3.1.2 高介電常數(shù)材料概述
        3.1.3 SrO材料介紹
x薄膜的制備">        3.1.4 SrO_x薄膜的制備
        3.1.5 薄膜的性能測試及分析
2O₃/SrO_x）薄膜晶體管的制備、表征和應(yīng)用">    3.2 氧化銦/氧化鍶（In₂O₃/SrO_x）薄膜晶體管的制備、表征和應(yīng)用
2O₃材料概述">        3.2.1 In₂O₃材料概述
2O₃薄膜及In₂O₃/SrO_xTFT的制備">        3.2.2 In₂O₃薄膜及In₂O₃/SrO_xTFT的制備
2O₃/SrO_xTFT電學(xué)性能表征">        3.2.3 In₂O₃/SrO_xTFT電學(xué)性能表征
2O₃/SrO_xTFT的應(yīng)用-反相器">        3.2.4 In₂O₃/SrO_xTFT的應(yīng)用-反相器
    3.3 本章小結(jié)
2O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂薄膜晶體管制備與研究">第四章 基于Al₂O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂薄膜晶體管制備與研究
    4.1 金屬氧化物TFT存在問題
2O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的制備與表征">    4.2 基于Al₂O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的制備與表征
2O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的制備">        4.2.1 基于Al₂O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的制備
2O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的表征">        4.2.2 基于Al₂O₃鈍化層的In₂O₃/ZrO₂TFT的表征
    4.3 本章小結(jié)
第五章 工作總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀學(xué)位期間的研究成果與項(xiàng)目
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于ZnO活性層薄膜晶體管的研究進(jìn)展[J]. 許洪華,陳躍寧,袁廣才.  沈陽師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(01)
[2]ZnO基薄膜晶體管的研究[J]. 程松華,曾祥斌.  液晶與顯示. 2006(05)
[3]TFT-OLED驅(qū)動(dòng)電路的研究[J]. 張志偉,荊海,鄺俊峰,蔡克?,郜峰利,朱長春.  液晶與顯示. 2004(06)

碩士論文
[1]氧化物薄膜晶體管的制造及其電學(xué)性能研究[D]. 王雄.浙江大學(xué) 2011



本文編號(hào)：2918644