電化學沉積Co/CdSe多層異質結納米線及性能的研究
發(fā)布時間:2020-12-14 16:39
多層異質結納米線表現出優(yōu)異的性能,在磁性、催化、生物醫(yī)療、電子設備等應用領域越來越受到重視。在本次論文,我們采用AAO模板輔助電化學沉積的方法,通過循環(huán)伏安法探索CdSe沉積機理后,在0.2 mol/L CdSO4、1 mmol/L SeO2、0.25 mol/L稀硫酸和0.25 mol/L Na2SO4的混合溶液中,-0.65 V下恒電位沉積,得到的納米線中Cd和Se的化學計量比接近1:1,在1 mol/L CoSO4和40 g/L硼酸混合溶液中,-1.1 V下恒電位沉積得到Co納米線;最后采用雙槽法沉積得到了一系列的不同分節(jié)長度的Co/CdSe多層異質結納米線,并分別通過SEM、EDS、XRD、UV-Vis、Raman和PL來表征納米線。將單組分的CdSe、Co和Co/CdSe多層異質結納米線進行形貌和結構分析。SEM表征發(fā)現納米線高度有序平行排列,直徑與模板孔道直徑相當,約200 nm,多層納米線呈現明暗交替生長;XRD結構表征發(fā)現,單組分CdSe納米線為立方閃鋅礦結構,多層納米線中CdSe結構不變,而多層納米線中Co的結構與單組分Co納米線相比,由六方晶型轉變?yōu)槊嫘牧⒎浇Y構。將...
【文章來源】:深圳大學廣東省
【文章頁數】:70 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 納米材料簡介
1.2.1 納米材料的概念
1.2.2 納米材料的分類[8]
1.2.3 納米材料的性能
1.3 一維納米材料
1.3.1 納米線
1.3.2 一維異質結納米材料
1.3.3 一維異質結納米線特性及應用
1.4 CdSe納米材料
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半導體簡介
1.4.2 CdSe納米材料
1.4.3 CdSe納米線的制備方法
1.4.4 CdSe納米材料的潛在應用
1.5 磁性納米材料
1.5.1 多層異質結磁性納米線
1.6 一維納米結構的光學耦合
1.7 AAO模板輔助電化學沉積多層納米線
1.7.1 AAO模板的特點
1.7.2 電化學沉積制備多層納米線
1.8 課題研究意義、主要內容及創(chuàng)新點
第2章 實驗方法
2.1 實驗原料與儀器設備
2.1.1 實驗原料
2.1.2 實驗儀器設備
2.2 電化學沉積法制備納米材料
2.2.1 電化學沉積裝置圖
2.2.2 工作電極的制備
2.2.3 電化學沉積方法介紹
2.3 多層納米線的制備方法
2.4 納米線的形貌表征與性能測試
2.4.1 納米線的形貌分析
2.4.2 納米線成分分析
2.4.3 納米線結構分析
2.4.4 紫外-可見吸收光譜分析
2.4.5 光致發(fā)光光譜分析
2.4.6 拉曼光譜分析
第3章 電化學沉積CdSe納米線及其表征
3.1 引言
3.2 AAO模板的表征
3.2.1 AAO模板的形貌表征
3.2.2 AAO模板的結構表征
3.3 電化學沉積CdSe納米線
3.3.1 CdSe沉積機理研究
3.3.2 CdSe納米線沉積電位的選擇
3.3.3 CdSe納米線的沉積
3.4 CdSe納米線表征
3.4.1 CdSe納米線的形貌表征
3.4.2 CdSe納米線的成分分析
3.4.3 CdSe納米線的結構分析
3.5 CdSe納米線的光學性質
3.5.1 CdSe納米線的紫外-可見光譜分析
3.5.2 CdSe納米線的拉曼光譜分析
3.5.3 CdSe納米線的光致發(fā)光光譜分析
3.5.4 小結
第4章 Co/CdSe多層納米線的制備及耦合效應的研究
4.1 引言
4.2 Co單質納米線的制備及表征
4.2.1 Co單質納米線的制備
4.2.2 Co納米線的形貌分析
4.2.3 Co納米線的結構分析
4.3 電化學沉積Co/CdSe多層納米線
4.4 Co/CdSe多層納米線的表征
4.4.1 Co/CdSe多層納米線的形貌表征
4.4.2 Co/CdSe多層納米線的成分分析
4.4.3 Co/CdSe多層納米線的結構分析
4.5 Co/CdSe多層納米線的光學性質
4.5.1 Co/CdSe多層納米線的紫外-可見光譜分析
4.5.2 Co/CdSe多層納米線的拉曼光譜分析
4.5.3 Co/CdSe多層納米線的光致發(fā)光光譜分析
4.5.4 小結
第5章 結論
參考文獻
致謝
本文編號:2916673
【文章來源】:深圳大學廣東省
【文章頁數】:70 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 納米材料簡介
1.2.1 納米材料的概念
1.2.2 納米材料的分類[8]
1.2.3 納米材料的性能
1.3 一維納米材料
1.3.1 納米線
1.3.2 一維異質結納米材料
1.3.3 一維異質結納米線特性及應用
1.4 CdSe納米材料
1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半導體簡介
1.4.2 CdSe納米材料
1.4.3 CdSe納米線的制備方法
1.4.4 CdSe納米材料的潛在應用
1.5 磁性納米材料
1.5.1 多層異質結磁性納米線
1.6 一維納米結構的光學耦合
1.7 AAO模板輔助電化學沉積多層納米線
1.7.1 AAO模板的特點
1.7.2 電化學沉積制備多層納米線
1.8 課題研究意義、主要內容及創(chuàng)新點
第2章 實驗方法
2.1 實驗原料與儀器設備
2.1.1 實驗原料
2.1.2 實驗儀器設備
2.2 電化學沉積法制備納米材料
2.2.1 電化學沉積裝置圖
2.2.2 工作電極的制備
2.2.3 電化學沉積方法介紹
2.3 多層納米線的制備方法
2.4 納米線的形貌表征與性能測試
2.4.1 納米線的形貌分析
2.4.2 納米線成分分析
2.4.3 納米線結構分析
2.4.4 紫外-可見吸收光譜分析
2.4.5 光致發(fā)光光譜分析
2.4.6 拉曼光譜分析
第3章 電化學沉積CdSe納米線及其表征
3.1 引言
3.2 AAO模板的表征
3.2.1 AAO模板的形貌表征
3.2.2 AAO模板的結構表征
3.3 電化學沉積CdSe納米線
3.3.1 CdSe沉積機理研究
3.3.2 CdSe納米線沉積電位的選擇
3.3.3 CdSe納米線的沉積
3.4 CdSe納米線表征
3.4.1 CdSe納米線的形貌表征
3.4.2 CdSe納米線的成分分析
3.4.3 CdSe納米線的結構分析
3.5 CdSe納米線的光學性質
3.5.1 CdSe納米線的紫外-可見光譜分析
3.5.2 CdSe納米線的拉曼光譜分析
3.5.3 CdSe納米線的光致發(fā)光光譜分析
3.5.4 小結
第4章 Co/CdSe多層納米線的制備及耦合效應的研究
4.1 引言
4.2 Co單質納米線的制備及表征
4.2.1 Co單質納米線的制備
4.2.2 Co納米線的形貌分析
4.2.3 Co納米線的結構分析
4.3 電化學沉積Co/CdSe多層納米線
4.4 Co/CdSe多層納米線的表征
4.4.1 Co/CdSe多層納米線的形貌表征
4.4.2 Co/CdSe多層納米線的成分分析
4.4.3 Co/CdSe多層納米線的結構分析
4.5 Co/CdSe多層納米線的光學性質
4.5.1 Co/CdSe多層納米線的紫外-可見光譜分析
4.5.2 Co/CdSe多層納米線的拉曼光譜分析
4.5.3 Co/CdSe多層納米線的光致發(fā)光光譜分析
4.5.4 小結
第5章 結論
參考文獻
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本文編號:2916673
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