多層異質(zhì)結(jié)納米線表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,在磁性、催化、生物醫(yī)療、電子設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越受到重視。在本次論文,我們采用AAO模板輔助電化學(xué)沉積的方法,通過(guò)循環(huán)伏安法探索CdSe沉積機(jī)理后,在0.2 mol/L CdSO4、1 mmol/L SeO2、0.25 mol/L稀硫酸和0.25 mol/L Na2SO4的混合溶液中,-0.65 V下恒電位沉積,得到的納米線中Cd和Se的化學(xué)計(jì)量比接近1:1,在1 mol/L CoSO4和40 g/L硼酸混合溶液中,-1.1 V下恒電位沉積得到Co納米線;最后采用雙槽法沉積得到了一系列的不同分節(jié)長(zhǎng)度的Co/CdSe多層異質(zhì)結(jié)納米線,并分別通過(guò)SEM、EDS、XRD、UV-Vis、Raman和PL來(lái)表征納米線。將單組分的CdSe、Co和Co/CdSe多層異質(zhì)結(jié)納米線進(jìn)行形貌和結(jié)構(gòu)分析。SEM表征發(fā)現(xiàn)納米線高度有序平行排列,直徑與模板孔道直徑相當(dāng),約200 nm,多層納米線呈現(xiàn)明暗交替生長(zhǎng);XRD結(jié)構(gòu)表征發(fā)現(xiàn),單組分CdSe納米線為立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),多層納米線中CdSe結(jié)構(gòu)不變,而多層納米線中Co的結(jié)構(gòu)與單組分Co納米線相比,由六方晶型轉(zhuǎn)變?yōu)槊嫘牧⒎浇Y(jié)構(gòu)。將... 

【文章來(lái)源】：深圳大學(xué)廣東省

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 納米材料簡(jiǎn)介
        1.2.1 納米材料的概念
        1.2.2 納米材料的分類[8]
        1.2.3 納米材料的性能
    1.3 一維納米材料
        1.3.1 納米線
        1.3.2 一維異質(zhì)結(jié)納米材料
        1.3.3 一維異質(zhì)結(jié)納米線特性及應(yīng)用
    1.4 CdSe納米材料
        1.4.1 Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體簡(jiǎn)介
        1.4.2 CdSe納米材料
        1.4.3 CdSe納米線的制備方法
        1.4.4 CdSe納米材料的潛在應(yīng)用
    1.5 磁性納米材料
        1.5.1 多層異質(zhì)結(jié)磁性納米線
    1.6 一維納米結(jié)構(gòu)的光學(xué)耦合
    1.7 AAO模板輔助電化學(xué)沉積多層納米線
        1.7.1 AAO模板的特點(diǎn)
        1.7.2 電化學(xué)沉積制備多層納米線
    1.8 課題研究意義、主要內(nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
第2章 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料與儀器設(shè)備
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備
    2.2 電化學(xué)沉積法制備納米材料
        2.2.1 電化學(xué)沉積裝置圖
        2.2.2 工作電極的制備
        2.2.3 電化學(xué)沉積方法介紹
    2.3 多層納米線的制備方法
    2.4 納米線的形貌表征與性能測(cè)試
        2.4.1 納米線的形貌分析
        2.4.2 納米線成分分析
        2.4.3 納米線結(jié)構(gòu)分析
        2.4.4 紫外-可見(jiàn)吸收光譜分析
        2.4.5 光致發(fā)光光譜分析
        2.4.6 拉曼光譜分析
第3章 電化學(xué)沉積CdSe納米線及其表征
    3.1 引言
    3.2 AAO模板的表征
        3.2.1 AAO模板的形貌表征
        3.2.2 AAO模板的結(jié)構(gòu)表征
    3.3 電化學(xué)沉積CdSe納米線
        3.3.1 CdSe沉積機(jī)理研究
        3.3.2 CdSe納米線沉積電位的選擇
        3.3.3 CdSe納米線的沉積
    3.4 CdSe納米線表征
        3.4.1 CdSe納米線的形貌表征
        3.4.2 CdSe納米線的成分分析
        3.4.3 CdSe納米線的結(jié)構(gòu)分析
    3.5 CdSe納米線的光學(xué)性質(zhì)
        3.5.1 CdSe納米線的紫外-可見(jiàn)光譜分析
        3.5.2 CdSe納米線的拉曼光譜分析
        3.5.3 CdSe納米線的光致發(fā)光光譜分析
        3.5.4 小結(jié)
第4章 Co/CdSe多層納米線的制備及耦合效應(yīng)的研究
    4.1 引言
    4.2 Co單質(zhì)納米線的制備及表征
        4.2.1 Co單質(zhì)納米線的制備
        4.2.2 Co納米線的形貌分析
        4.2.3 Co納米線的結(jié)構(gòu)分析
    4.3 電化學(xué)沉積Co/CdSe多層納米線
    4.4 Co/CdSe多層納米線的表征
        4.4.1 Co/CdSe多層納米線的形貌表征
        4.4.2 Co/CdSe多層納米線的成分分析
        4.4.3 Co/CdSe多層納米線的結(jié)構(gòu)分析
    4.5 Co/CdSe多層納米線的光學(xué)性質(zhì)
        4.5.1 Co/CdSe多層納米線的紫外-可見(jiàn)光譜分析
        4.5.2 Co/CdSe多層納米線的拉曼光譜分析
        4.5.3 Co/CdSe多層納米線的光致發(fā)光光譜分析
        4.5.4 小結(jié)
第5章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號(hào)：2916673