近幾年,二維類石墨烯材料由于其典型的二維結構和優(yōu)異的光、電、力學等性質吸引了國際上科學工作者的廣泛關注。本文在調研了類石墨烯結構的基礎之上,運用第一性原理并結合非平衡格林函數方法,探討硼、硅二個近鄰碳的元素的納米結構及其穩(wěn)定性,計算了幾種典型硼/硅基納米結構的電子結構及其器件的輸運性質和物理機制。本文的研究內容主要包括以下幾方面:首先,研究了二維硼硅化合物結構及其性質�；诓煌瑵舛鹊亩S硼硅化合物:B₅Si,B₂Si,BSi,BSi₂,BSi₃以及BSi₄,討論了硼硅化合物的電子結構性質,且與單元素形成的物質作了比較,即硼單層結構和硅烯。同時討論了偏壓在0到1V間的負微分電阻現象。其次,研究了金屬Ti、Cu摻雜的BSi二維結構及其氣敏特性。二維材料的比表面積比較大,且和氣體之間的電子轉移能力比較好,常被選為氣體傳感器的候選材料。本文選取了之字型方向的BSi片層,作為氣體傳感器吸附的基底材料。摻雜了稀有金屬Ti以及常見金屬Cu,觀察了吸附氣體分子H₂,N

【文章來源】：南京郵電大學江蘇省

【文章頁數】：65 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

之字型方向下不同濃度硼硅片層的鍵長、對稱性以及結合能

BSi-Cu吸附不同氣體后的結構


本文編號：2915640