以高純超細CdTe粉體為原料,采用真空熱壓法,對工藝進行正交化實驗設計,優(yōu)化工藝參數,得到制備高致密度,晶粒度均勻CdTe靶材的工藝制度。以燒結溫度、保溫時間、燒結壓力為因素,設計L9(3~4)正交實驗表,對正交化實驗數據結果進行極差和方差分析,確定了制備工藝參數對靶材致密度的影響程度:保溫時間的改變對靶材致密度影響顯著,其方差檢驗統(tǒng)計量F值達到86.25,靶材的致密度隨保溫時間的增加而增加,但超過一定時間后,會出現反致密化現象;燒結溫度具有一定的影響;而燒結壓力對其影響較小,其F值僅為2.5。正交化實驗分析建議給出了CdTe靶材最佳制備工藝條件為:燒結溫度580℃、保溫時間60 min、燒結壓力33 MPa。X射線衍射儀(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM)和阿基米德排水法的檢測結果表明:采用最優(yōu)工藝制備得到了高質量的CdTe靶材,其相結構相比原料粉體不發(fā)生改變,靶材的晶粒度均勻,致密度達到99.4%。 

【文章來源】：稀有金屬. 2020年02期 北大核心

【文章頁數】：5 頁

【部分圖文】：

保溫時間對CdTe靶材致密度的影響

圖3給出了CdTe原料粉體與最優(yōu)工藝下制備的CdTe靶材的XRD譜線的對比, 二者譜線基本相同, 僅在衍射峰高和峰寬上有一些差異。 這表明最優(yōu)工藝條件下制備的CdTe靶材不存在物相結構上的變化, 在真空熱壓燒結過程中沒有引入大的雜質。 而峰高和峰寬上的差異可能是由于真空熱壓燒結過程中有位錯等缺陷產生的原因[15]。 圖4給出了CdTe原料粉體的顯微形貌與最優(yōu)工藝下制備的CdTe靶材的斷面形貌。 CdTe原料粉體比較細, 在大量細小粉體中夾雜著一些粗大的粉體顆粒, 最優(yōu)工藝條件下制備的CdTe靶材致密度非常好, 靶材斷面形貌中氣孔分布率非常少, 且氣孔細小, 晶粒尺寸比較均勻, 在大量細小的晶粒中夾雜著個別比較大的晶粒, 這在一定程度上是受燒結原料粉體顆粒均勻度影響造成的, 但CdTe整體靶材晶粒度比較均勻, 符合靶材晶粒均勻度的要求。3 結 論

【參考文獻】：
期刊論文
[1]高純致密氧化鎂陶瓷的常壓和真空燒結[J]. 陳淼琴,何金江,張玉利,丁照崇,賀昕.  稀有金屬. 2018(04)
[2]CdTe薄膜的射頻磁控濺射制備及表征[J]. 王波,張靜全,王生浩,馮良桓,雷智,武莉莉,李衛(wèi),黎兵,曾廣根.  四川師范大學學報(自然科學版). 2011(03)
[3]科技論文中正交試驗結果分析方法的使用[J]. 郝拉娣,張嫻,劉琳.  編輯學報. 2007(05)



本文編號：2914547