以高純超細(xì)CdTe粉體為原料,采用真空熱壓法,對(duì)工藝進(jìn)行正交化實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì),優(yōu)化工藝參數(shù),得到制備高致密度,晶粒度均勻CdTe靶材的工藝制度。以燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間、燒結(jié)壓力為因素,設(shè)計(jì)L9(3~4)正交實(shí)驗(yàn)表,對(duì)正交化實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果進(jìn)行極差和方差分析,確定了制備工藝參數(shù)對(duì)靶材致密度的影響程度:保溫時(shí)間的改變對(duì)靶材致密度影響顯著,其方差檢驗(yàn)統(tǒng)計(jì)量F值達(dá)到86.25,靶材的致密度隨保溫時(shí)間的增加而增加,但超過(guò)一定時(shí)間后,會(huì)出現(xiàn)反致密化現(xiàn)象;燒結(jié)溫度具有一定的影響;而燒結(jié)壓力對(duì)其影響較小,其F值僅為2.5。正交化實(shí)驗(yàn)分析建議給出了CdTe靶材最佳制備工藝條件為:燒結(jié)溫度580℃、保溫時(shí)間60 min、燒結(jié)壓力33 MPa。X射線(xiàn)衍射儀(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM)和阿基米德排水法的檢測(cè)結(jié)果表明:采用最優(yōu)工藝制備得到了高質(zhì)量的CdTe靶材,其相結(jié)構(gòu)相比原料粉體不發(fā)生改變,靶材的晶粒度均勻,致密度達(dá)到99.4%。 

【文章來(lái)源】：稀有金屬. 2020年02期 北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

保溫時(shí)間對(duì)CdTe靶材致密度的影響

圖3給出了CdTe原料粉體與最優(yōu)工藝下制備的CdTe靶材的XRD譜線(xiàn)的對(duì)比, 二者譜線(xiàn)基本相同, 僅在衍射峰高和峰寬上有一些差異。 這表明最優(yōu)工藝條件下制備的CdTe靶材不存在物相結(jié)構(gòu)上的變化, 在真空熱壓燒結(jié)過(guò)程中沒(méi)有引入大的雜質(zhì)。 而峰高和峰寬上的差異可能是由于真空熱壓燒結(jié)過(guò)程中有位錯(cuò)等缺陷產(chǎn)生的原因[15]。 圖4給出了CdTe原料粉體的顯微形貌與最優(yōu)工藝下制備的CdTe靶材的斷面形貌。 CdTe原料粉體比較細(xì), 在大量細(xì)小粉體中夾雜著一些粗大的粉體顆粒, 最優(yōu)工藝條件下制備的CdTe靶材致密度非常好, 靶材斷面形貌中氣孔分布率非常少, 且氣孔細(xì)小, 晶粒尺寸比較均勻, 在大量細(xì)小的晶粒中夾雜著個(gè)別比較大的晶粒, 這在一定程度上是受燒結(jié)原料粉體顆粒均勻度影響造成的, 但CdTe整體靶材晶粒度比較均勻, 符合靶材晶粒均勻度的要求。3 結(jié) 論

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高純致密氧化鎂陶瓷的常壓和真空燒結(jié)[J]. 陳淼琴,何金江,張玉利,丁照崇,賀昕.  稀有金屬. 2018(04)
[2]CdTe薄膜的射頻磁控濺射制備及表征[J]. 王波,張靜全,王生浩,馮良桓,雷智,武莉莉,李衛(wèi),黎兵,曾廣根.  四川師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2011(03)
[3]科技論文中正交試驗(yàn)結(jié)果分析方法的使用[J]. 郝拉娣,張嫻,劉琳.  編輯學(xué)報(bào). 2007(05)



本文編號(hào)：2914547