吸收型錳鋅鐵氧體/二氧化硅電磁屏蔽復(fù)合材料的性能研究
發(fā)布時(shí)間:2020-12-12 17:05
通過靜電吸附的方法制備了Mn0.6Zn0.4Fe2O4/SiO2(MZFO/SiO2)復(fù)合粉體,并使用放電等離子燒結(jié)(SPS)方式將其燒結(jié)成MZFO/SiO2復(fù)合材料,表征了復(fù)合材料的形貌、結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電性和磁性,通過電磁參數(shù)分析了復(fù)合材料的電磁屏蔽性能.900℃和1 000℃燒結(jié)的MZFO/SiO2復(fù)合材料(厚度2.0 mm)在Ku波段的平均電磁波總屏蔽效能分別達(dá)到22.30 d B和22.40 d B.高的介電損耗使1 000℃燒結(jié)的MZFO/SiO2復(fù)合材料表現(xiàn)出了最好的屏蔽性能;而高的飽和磁化強(qiáng)度、矯頑力和電導(dǎo)率也使900℃燒結(jié)的MZFO/SiO2復(fù)合材料表現(xiàn)出了良好的屏蔽性能.復(fù)合材料的吸收屏蔽效能SEA大于反射屏蔽效能SER,且反射系數(shù)R只有0.6左右,因此MZFO/SiO2復(fù)合材料是以吸收屏蔽為主的具有相當(dāng)潛力的電磁屏蔽材料.
【文章來源】:福建師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020年02期 第61-69頁 北大核心
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
MZFO和Si O2以及MZFO/Si O2復(fù)合材料粉末的XRD圖
圖4為不同燒結(jié)溫度的MZFO/SiO2復(fù)合樣品的室溫磁滯回線,表1為對(duì)應(yīng)的磁性能參數(shù).隨著燒結(jié)溫度的升高,復(fù)合樣品的矯頑力Hc和剩磁Mr下降,這是由于溫度升高,樣品的晶粒長大,軟磁性能提高.但是飽和磁化強(qiáng)度Ms也隨著燒結(jié)溫度的升高而下降.SPS的特殊燒結(jié)方式能夠使材料在更低的溫度下實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié),因此其過燒溫度也會(huì)比較低.從Ms下降的現(xiàn)象判斷,在1 000℃和1 100℃燒結(jié)的復(fù)合樣品可能已經(jīng)存在過燒.圖3 不同燒結(jié)溫度的MZFO/Si O2復(fù)合材料的XRD圖
不同燒結(jié)溫度的MZFO/Si O2復(fù)合材料的XRD圖
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]納米錳鋅鐵氧體粉體的制備及其性能研究[D]. 郝順利.河北工業(yè)大學(xué) 2007
本文編號(hào):2912958
【文章來源】:福建師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020年02期 第61-69頁 北大核心
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
MZFO和Si O2以及MZFO/Si O2復(fù)合材料粉末的XRD圖
圖4為不同燒結(jié)溫度的MZFO/SiO2復(fù)合樣品的室溫磁滯回線,表1為對(duì)應(yīng)的磁性能參數(shù).隨著燒結(jié)溫度的升高,復(fù)合樣品的矯頑力Hc和剩磁Mr下降,這是由于溫度升高,樣品的晶粒長大,軟磁性能提高.但是飽和磁化強(qiáng)度Ms也隨著燒結(jié)溫度的升高而下降.SPS的特殊燒結(jié)方式能夠使材料在更低的溫度下實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié),因此其過燒溫度也會(huì)比較低.從Ms下降的現(xiàn)象判斷,在1 000℃和1 100℃燒結(jié)的復(fù)合樣品可能已經(jīng)存在過燒.圖3 不同燒結(jié)溫度的MZFO/Si O2復(fù)合材料的XRD圖
不同燒結(jié)溫度的MZFO/Si O2復(fù)合材料的XRD圖
【參考文獻(xiàn)】:
碩士論文
[1]納米錳鋅鐵氧體粉體的制備及其性能研究[D]. 郝順利.河北工業(yè)大學(xué) 2007
本文編號(hào):2912958
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2912958.html
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