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白光LED用Ba 9 Lu 2 Si 6 O 24 :Ce 3+ 青色熒光粉成本優(yōu)化及光譜調(diào)控

發(fā)布時間:2020-12-11 12:38
  白光LED具有節(jié)能、環(huán)保、高效、長壽、穩(wěn)定等優(yōu)點,被廣泛應用于目前照明領(lǐng)域。目前,市場上使用較多的實現(xiàn)白光LED方式是藍光LED芯片加黃色熒光粉,存在色溫偏高、顯色指數(shù)差、發(fā)光受藍光芯片影響產(chǎn)生色彩漂移等問題,而紫外LED加三基色熒光粉的方法因為其光譜成分均勻,顯色指數(shù)高,不受電流影響,可以通過調(diào)節(jié)不同熒光粉的比例調(diào)節(jié)色溫等優(yōu)點成為了目前最好的合成WLED方案。對于紫外激發(fā)WLED,發(fā)射藍色和綠色光的熒光粉是必不可少。而由于目前許多發(fā)藍色和綠色熒光粉的半高寬較窄,會造成藍色和綠色光譜之間的出現(xiàn)光譜空缺,所以開發(fā)出一款能夠填補光譜空缺的青色熒光粉是非常有必要的;其次如果能開發(fā)出一款能覆蓋藍色和綠色的寬帶青色熒光粉,能夠很大程度上避免三色熒光粉混合過程中發(fā)生的重吸收作用。Ba9Lu2Si6O24:Ce3+青色熒光粉目前是一種性能優(yōu)越的紫外激發(fā)熒光粉,具有量子效率高,熱穩(wěn)定性好,半高寬較寬,制備簡單等特點,通過簡單的紅色熒光粉的摻雜就可以得到顯色指數(shù)較高的白色LED熒光粉。但由于稀土... 

【文章來源】:江西理工大學江西省

【文章頁數(shù)】:58 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

白光LED用Ba 9 Lu 2 Si 6 O 24 :Ce 3+ 青色熒光粉成本優(yōu)化及光譜調(diào)控


包含活化劑離子A和敏化離子S的發(fā)光材料

X射線衍射圖,晶體結(jié)構(gòu),X射線衍射圖,強度


第四章Al摻雜Ba9Lu2Si6O24:Ce3+熒光粉制備及性能研究204.2BLASO:Ce3+熒光粉晶體結(jié)構(gòu)分析為了研究Al對BLS:Ce3+發(fā)光的影響,將Ce3+濃度y設為0.1。BLASO:0.1Ce3+,x=0,0.5,1,1.5,1.9的XRD圖譜如圖4.1a所示。對于Al=0,即不摻雜的BLS材料,衍射峰幾乎與Ba9Sc2Si6O24(PDF#82-1119)的圖譜吻合[85,90]。對比標準卡片,可以發(fā)現(xiàn)含有微量的副產(chǎn)品Ba2SiO4(BSO,PDF#77-0150)的衍射分[91]。當Al增加到0.5和1.0時,XRD結(jié)果表明主相仍然是BLS相,主衍射峰移逐漸向大角度區(qū)域移動,這是因為Al3+(rⅥ=0.535)比Lu3+(rⅥ=0.861)小得多[92],用較小的Al3+取代Lu3+導致晶格收縮,晶格參數(shù)減小,衍射角向大角度移動。另一方面,當Al增加到y(tǒng)=1.5時,BSO相逐漸增多,成為主相,此時仍然存在大量的BLS相。當Lu完全被Al(y=1.9)取代時,BLS相減小甚至消失,即Ba9Al2Si6O24(BASO)完全轉(zhuǎn)變?yōu)锽SO相。BLS和BSO相的主要衍射峰強度如圖4.1b所示,可以清楚地看到,隨著Al取代Lu的增加,BLS相衍射峰強度減小,BSO相衍峰射強度逐漸增大。對于無鋁樣品,即BLSO,它結(jié)晶成菱形結(jié)構(gòu)。而對于無Lu的樣品,即BASO,它將變?yōu)锽SO結(jié)構(gòu)。圖4.1Ba9Lu1.9-xAlxCe0.1Si6O24(x=0-1.9)的X射線衍射圖(a)和BLS和BSO相的衍射峰強度(b),BLS(c和d)的晶體結(jié)構(gòu)和Ba(1)(紫球)、Ba(2)(藍球)、Ba(3)(黃球)和Lu/Al(靛藍球)與氧原子的配位環(huán)境

日光,紫外光,圖像


第四章Al摻雜Ba9Lu2Si6O24:Ce3+熒光粉制備及性能研究23一個有趣的現(xiàn)象是,Al=0.5的樣品的發(fā)光并沒有顯著降低。只有當Al>0.5時,發(fā)光才開始迅速下降。圖4.2c更直觀地示出了這種現(xiàn)象。如上所述,在BRS系統(tǒng)材料的研究中,BSO雜質(zhì)經(jīng)常產(chǎn)生[95,96],而BSO:Ce3+在紫外激發(fā)下具有低像質(zhì)和差的熱穩(wěn)定性。因此,雜質(zhì)會對BLS的發(fā)光產(chǎn)生不利影響。當Al摻雜量x<0.5時,發(fā)光性能不明顯下降是一個有趣的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象有兩個原因:一是Al大部分進入BLS晶格,當x<0.5時只產(chǎn)生少量的BSO。二是BLAS結(jié)構(gòu)中仍然可以為Ce3+提供豐富的位點,當少量Lu3+被Al3+取代時,不影響Ce3+在Lu3+位點的取代。只有當大量的Lu3+被Al3+取代時,影響了Ce3+在Lu3+位的取代,然后Ce3+選擇Ba2+位,從而降低了Ce(1)的發(fā)光。圖4.3Ba9Lu1.9-xAlxCe0.1Si6O24(x=0-1.9)在日光、365nm和254nm紫外光下的圖像4.4BLASO:Ce3+熒光粉陰極射線發(fā)光利用SEM-CL系統(tǒng)對Ba9(Lu1.4Al0.5)Si6O24:10%Ce3+的發(fā)光進行了微尺度診斷。如圖4.4a中的CL圖像所示,粒子大小約為3-10μm,并且?guī)缀跛辛W佣硷@示出明亮的發(fā)光,寬CL光譜覆蓋約400nm和500nm處的兩個肩部(圖4.4b)。然而,當監(jiān)測到400nm和500nm的單一發(fā)射波長時,它們的分布是不同的(圖4.4c和e)。在500nm有強烈發(fā)射的區(qū)域在400nm是相當暗的。在400nm有強烈發(fā)射的區(qū)域在500nm也相當暗。也就是說,400nm和500nm的明亮輻射不能出現(xiàn)在同一區(qū)域。對于圖4.4c中明亮區(qū)域中的點(I),CL光譜在約490nm處有一個強峰,在約400nm處有一個肩部(圖4.4d)。通過對不同的兩個點進行EDS元素掃描,結(jié)果發(fā)現(xiàn):在(I)

【參考文獻】:
期刊論文
[1]稀土發(fā)光材料在固體白光LED照明中的應用[J]. 蘇鏘,吳昊,潘躍曉,徐劍,郭崇峰,張新民,張劍輝,王靜,張梅.  中國稀土學報. 2005(05)
[2]LED——新一代照明光源[J]. 王曉明,郭偉玲,高國,沈光地.  現(xiàn)代顯示. 2005(07)
[3]LED-21世紀照明新光源[J]. 周太明,宋賢杰,周偉,周永業(yè).  照明工程學報. 2001(04)



本文編號:2910539

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