發(fā)布時(shí)間：2020-12-11 12:38

　　白光LED具有節(jié)能、環(huán)保、高效、長(zhǎng)壽、穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于目前照明領(lǐng)域。目前,市場(chǎng)上使用較多的實(shí)現(xiàn)白光LED方式是藍(lán)光LED芯片加黃色熒光粉,存在色溫偏高、顯色指數(shù)差、發(fā)光受藍(lán)光芯片影響產(chǎn)生色彩漂移等問(wèn)題,而紫外LED加三基色熒光粉的方法因?yàn)槠涔庾V成分均勻,顯色指數(shù)高,不受電流影響,可以通過(guò)調(diào)節(jié)不同熒光粉的比例調(diào)節(jié)色溫等優(yōu)點(diǎn)成為了目前最好的合成WLED方案。對(duì)于紫外激發(fā)WLED,發(fā)射藍(lán)色和綠色光的熒光粉是必不可少。而由于目前許多發(fā)藍(lán)色和綠色熒光粉的半高寬較窄,會(huì)造成藍(lán)色和綠色光譜之間的出現(xiàn)光譜空缺,所以開(kāi)發(fā)出一款能夠填補(bǔ)光譜空缺的青色熒光粉是非常有必要的;其次如果能開(kāi)發(fā)出一款能覆蓋藍(lán)色和綠色的寬帶青色熒光粉,能夠很大程度上避免三色熒光粉混合過(guò)程中發(fā)生的重吸收作用。Ba₉Lu₂Si₆O₂₄:Ce³⁺青色熒光粉目前是一種性能優(yōu)越的紫外激發(fā)熒光粉,具有量子效率高,熱穩(wěn)定性好,半高寬較寬,制備簡(jiǎn)單等特點(diǎn),通過(guò)簡(jiǎn)單的紅色熒光粉的摻雜就可以得到顯色指數(shù)較高的白色LED熒光粉。但由于稀土... 

【文章來(lái)源】：江西理工大學(xué)江西省

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

包含活化劑離子A和敏化離子S的發(fā)光材料

第四章Al摻雜Ba9Lu2Si6O24:Ce3+熒光粉制備及性能研究204.2BLASO:Ce3+熒光粉晶體結(jié)構(gòu)分析為了研究Al對(duì)BLS:Ce3+發(fā)光的影響，將Ce3+濃度y設(shè)為0.1。BLASO:0.1Ce3+，x=0,0.5,1,1.5,1.9的XRD圖譜如圖4.1a所示。對(duì)于Al=0，即不摻雜的BLS材料，衍射峰幾乎與Ba9Sc2Si6O24(PDF#82-1119)的圖譜吻合[85,90]。對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)卡片，可以發(fā)現(xiàn)含有微量的副產(chǎn)品Ba2SiO4(BSO，PDF#77-0150)的衍射分[91]。當(dāng)Al增加到0.5和1.0時(shí)，XRD結(jié)果表明主相仍然是BLS相，主衍射峰移逐漸向大角度區(qū)域移動(dòng)，這是因?yàn)锳l3+（rⅥ=0.535）比Lu3+（rⅥ=0.861）小得多[92]，用較小的Al3+取代Lu3+導(dǎo)致晶格收縮，晶格參數(shù)減小，衍射角向大角度移動(dòng)。另一方面，當(dāng)Al增加到y(tǒng)=1.5時(shí)，BSO相逐漸增多，成為主相，此時(shí)仍然存在大量的BLS相。當(dāng)Lu完全被Al（y=1.9）取代時(shí)，BLS相減小甚至消失，即Ba9Al2Si6O24（BASO）完全轉(zhuǎn)變?yōu)锽SO相。BLS和BSO相的主要衍射峰強(qiáng)度如圖4.1b所示，可以清楚地看到，隨著Al取代Lu的增加，BLS相衍射峰強(qiáng)度減小，BSO相衍峰射強(qiáng)度逐漸增大。對(duì)于無(wú)鋁樣品，即BLSO，它結(jié)晶成菱形結(jié)構(gòu)。而對(duì)于無(wú)Lu的樣品，即BASO，它將變?yōu)锽SO結(jié)構(gòu)。圖4.1Ba9Lu1.9-xAlxCe0.1Si6O24(x=0-1.9)的X射線衍射圖(a)和BLS和BSO相的衍射峰強(qiáng)度(b)，BLS(c和d)的晶體結(jié)構(gòu)和Ba(1)（紫球）、Ba(2)（藍(lán)球）、Ba(3)（黃球）和Lu/Al（靛藍(lán)球）與氧原子的配位環(huán)境

第四章Al摻雜Ba9Lu2Si6O24:Ce3+熒光粉制備及性能研究23一個(gè)有趣的現(xiàn)象是，Al=0.5的樣品的發(fā)光并沒(méi)有顯著降低。只有當(dāng)Al>0.5時(shí)，發(fā)光才開(kāi)始迅速下降。圖4.2c更直觀地示出了這種現(xiàn)象。如上所述，在BRS系統(tǒng)材料的研究中，BSO雜質(zhì)經(jīng)常產(chǎn)生[95,96]，而B(niǎo)SO:Ce3+在紫外激發(fā)下具有低像質(zhì)和差的熱穩(wěn)定性。因此，雜質(zhì)會(huì)對(duì)BLS的發(fā)光產(chǎn)生不利影響。當(dāng)Al摻雜量x<0.5時(shí)，發(fā)光性能不明顯下降是一個(gè)有趣的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象有兩個(gè)原因：一是Al大部分進(jìn)入BLS晶格，當(dāng)x<0.5時(shí)只產(chǎn)生少量的BSO。二是BLAS結(jié)構(gòu)中仍然可以為Ce3+提供豐富的位點(diǎn)，當(dāng)少量Lu3+被Al3+取代時(shí)，不影響Ce3+在Lu3+位點(diǎn)的取代。只有當(dāng)大量的Lu3+被Al3+取代時(shí)，影響了Ce3+在Lu3+位的取代，然后Ce3+選擇Ba2+位，從而降低了Ce(1)的發(fā)光。圖4.3Ba9Lu1.9-xAlxCe0.1Si6O24(x=0-1.9)在日光、365nm和254nm紫外光下的圖像4.4BLASO:Ce3+熒光粉陰極射線發(fā)光利用SEM-CL系統(tǒng)對(duì)Ba9(Lu1.4Al0.5)Si6O24:10%Ce3+的發(fā)光進(jìn)行了微尺度診斷。如圖4.4a中的CL圖像所示，粒子大小約為3-10μm，并且?guī)缀跛辛Ｗ佣硷@示出明亮的發(fā)光，寬CL光譜覆蓋約400nm和500nm處的兩個(gè)肩部（圖4.4b）。然而，當(dāng)監(jiān)測(cè)到400nm和500nm的單一發(fā)射波長(zhǎng)時(shí)，它們的分布是不同的（圖4.4c和e）。在500nm有強(qiáng)烈發(fā)射的區(qū)域在400nm是相當(dāng)暗的。在400nm有強(qiáng)烈發(fā)射的區(qū)域在500nm也相當(dāng)暗。也就是說(shuō)，400nm和500nm的明亮輻射不能出現(xiàn)在同一區(qū)域。對(duì)于圖4.4c中明亮區(qū)域中的點(diǎn)（I），CL光譜在約490nm處有一個(gè)強(qiáng)峰，在約400nm處有一個(gè)肩部（圖4.4d）。通過(guò)對(duì)不同的兩個(gè)點(diǎn)進(jìn)行EDS元素掃描，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：在（I）

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]LED——新一代照明光源[J]. 王曉明,郭偉玲,高國(guó),沈光地.  現(xiàn)代顯示. 2005(07)
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