隨著信息時(shí)代的快速發(fā)展,對發(fā)光材料和顯示器件的要求越來越高。雖然目前顯示領(lǐng)域有了很多新的突破和進(jìn)展,但仍然面臨一些問題需要解決。自從GaN基藍(lán)光LED問世以后,藍(lán)寶石襯底、SiC襯底以及Si襯底LED相繼被報(bào)道,性能也得到很大提升。但是,Si襯底與GaN之間具有16.7%的晶格失配,同時(shí)Si的熱膨脹系數(shù)與GaN之間也存在很大的差異,所以在Si襯底上外延生長得到的GaN薄膜容易產(chǎn)生缺陷、裂紋、位錯(cuò)或者彎曲等現(xiàn)象。雖然通過引入AlN作為緩沖層能夠從技術(shù)領(lǐng)域基本克服這些問題,但是這會(huì)進(jìn)一步增加制備工藝的難度。在有機(jī)發(fā)光二極管（OLEDs）領(lǐng)域,器件的壽命和有機(jī)材料的穩(wěn)定性制約著OLEDs的發(fā)展。此外,基于量子點(diǎn)具有很好的光穩(wěn)定性、發(fā)光效率高、發(fā)光光譜可調(diào)等優(yōu)點(diǎn),量子點(diǎn)器件也成為新的研究熱點(diǎn)。在量子點(diǎn)的合成材料方面,目前研究成熟的主要是基于Cd。Cd本身的毒性,使得量子點(diǎn)和相關(guān)的量子點(diǎn)發(fā)光器件的應(yīng)用領(lǐng)域受到限制,尤其是生物領(lǐng)域。所以制備出無毒高效的量子點(diǎn)和量子點(diǎn)器件是新的挑戰(zhàn)。找到新的替代材料,制備出穩(wěn)定、無毒、發(fā)光效率高和壽命長的電致發(fā)光器件對于顯示行業(yè)的發(fā)展有著很重要的意義,尤其是藍(lán)色發(fā)光... 

【文章來源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：122 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１－２?ＺｎＳｅ?ＮＣｓ的尺寸與帶隙的相關(guān)性

圖１－５論文框架圖

Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｔｈｅ?ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ?ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ａｎｄ?ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ?ｄｒａｗｉｎｇ?ｏｆ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｂｅａｍ?ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ．??２．２．２磁控濺射??磁控濺射［１（）３］鍍膜也是一種常見的真空鍍膜方法。它的工作原理和設(shè)備如圖２－２??所示：電子在加速電場Ｅ的作用下飛向基片，這個(gè)過程中被加速的電子會(huì)與氬原??子發(fā)生劇烈碰撞，從而電離產(chǎn)生出Ａｒ＋和新的電子；新的電子飛向基片，Ａｒ＋在電??場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶村發(fā)生濺射。在派射出??來的粒子中，帶電中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電??子會(huì)受到電場和磁場作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，被束縛在靠近靶??表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ａｒ來轟擊靶材，從而增大??電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。磁控濺射方法有自身??的優(yōu)點(diǎn)


本文編號(hào)：2907817