發(fā)布時間：2020-12-08 20:10

　　鉭鈮酸鉀（KTa1-xNbx O3,KTN）晶體因為其優(yōu)異的電光性能和對環(huán)境無污染的優(yōu)點受到科研人員的廣泛研究。KTN晶體是一種多功能光電功能材料可用于光學(xué)器件的制備。由于其優(yōu)良的性質(zhì),對KTN鐵電單晶的研究很廣泛,對于四方-立方相變溫度附近的性質(zhì)研究尤為多,對于處于正交相下的KTN晶體的電光性能缺少相關(guān)研究。因此本文從實驗和理論上分別對正交相KTN的電光性能進(jìn)行了研究,并分析了外電場對折射率的影響。對KTN晶體的物理性能進(jìn)行了實驗表征。為了表征其結(jié)構(gòu),通過X射線衍射法對KTN晶體進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征,從而得到了晶體的物相和晶格常數(shù)。通過實驗測量了KTN單晶溫度和相對介電常數(shù)的響應(yīng)關(guān)系,由于介電反�，F(xiàn)象圖譜會出現(xiàn)峰值,進(jìn)而確定了相變溫度,并計算得到不同溫度對應(yīng)的相對介電常數(shù)以及晶體的組分。利用壓電力顯微鏡（PFM）對鐵電單晶的疇結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,得到正交相KTN晶體中存在亞微米量級的疇結(jié)構(gòu),為電光性能的分析提供一定的理論依據(jù)。研究了正交相KTN晶體的電光效應(yīng)。對KTN晶體極化強(qiáng)度隨外場的變化情況進(jìn)行了測量,獲得了相關(guān)參數(shù),為極化實驗和電光性能的理論計算提供依據(jù)。通過改變外加電場、極化時長和極化... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

KTN晶體，制備單位：(a)NTT公司[21]，(b)山東大學(xué)[22]，(c)哈爾濱工業(yè)大學(xué)

哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文4圖1-2x(Nb)為0.14、0.19和0.33的KTN晶體的XRD圖案[23]2008年，田浩等人通過使用自動掃描Mach-Zehnder干涉系統(tǒng)測量了KLTN二次電光性能[24]。在相變溫度附近，在波長632.8nm處R11=7.2×10–16m2/V2和R12=-1.2×10–16m2/V2，如圖1-3所示。計算了g11和g12的值分別為0.083m4/C2和-0.014m4/C2。圖1-3不同溫度下11R、12R變化[24]2011年，李楊等人生長了鐵電-順電相變溫度在室溫附近的鉭鈮酸鉀鋰晶體(K0.95Li0.05Ta0.4Nb0.6O3)，并在室溫下對四方相中KLTN單晶的折射率和頻率與線性電光系數(shù)的關(guān)系進(jìn)行了表征，并且已經(jīng)使用Senamont單光束補償法和自動掃描馬赫曾德爾干涉儀技術(shù)研究了電光特性[25]。在100Hz至100KHz的連續(xù)低頻交流電場下進(jìn)行了電光系數(shù)測量，觀察到較大的電光響應(yīng)。并在1kHz下測量

哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士學(xué)位論文4圖1-2x(Nb)為0.14、0.19和0.33的KTN晶體的XRD圖案[23]2008年，田浩等人通過使用自動掃描Mach-Zehnder干涉系統(tǒng)測量了KLTN二次電光性能[24]。在相變溫度附近，在波長632.8nm處R11=7.2×10–16m2/V2和R12=-1.2×10–16m2/V2，如圖1-3所示。計算了g11和g12的值分別為0.083m4/C2和-0.014m4/C2。圖1-3不同溫度下11R、12R變化[24]2011年，李楊等人生長了鐵電-順電相變溫度在室溫附近的鉭鈮酸鉀鋰晶體(K0.95Li0.05Ta0.4Nb0.6O3)，并在室溫下對四方相中KLTN單晶的折射率和頻率與線性電光系數(shù)的關(guān)系進(jìn)行了表征，并且已經(jīng)使用Senamont單光束補償法和自動掃描馬赫曾德爾干涉儀技術(shù)研究了電光特性[25]。在100Hz至100KHz的連續(xù)低頻交流電場下進(jìn)行了電光系數(shù)測量，觀察到較大的電光響應(yīng)。并在1kHz下測量


本文編號：2905618