隨著時代的進步,電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及電子產(chǎn)品的多元化對電子封裝技術(shù)及材料提出了更高的要求。具備高導(dǎo)熱和低膨脹性能的新型電子封裝復(fù)合材料一直備受關(guān)注。新開發(fā)的Cu/Invar復(fù)合材料在燒結(jié)制備過程中的原子擴散,導(dǎo)致復(fù)合材料中Cu及Invar合金成分變化,對復(fù)合材料的性能產(chǎn)生十分不利的影響。因此,探討有效抑制Cu/Invar界面擴散,改善復(fù)合材料燒結(jié)性能的措施是該復(fù)合材料性能研發(fā)過程的關(guān)鍵。本文采用Invar粉體表面化學(xué)鍍在Cu/Invar界面設(shè)置連續(xù)的Ag層,開展了化學(xué)鍍液pH值及化學(xué)鍍時間對化學(xué)鍍Ag過程的影響及Ag（Invar）復(fù)合粉體的表面及界面結(jié)構(gòu)的研究。以Cu粉及Ag（Invar）復(fù)合粉體為原料,采用粉末冶金及形變熱處理工藝制備Cu/Ag（Invar）復(fù)合材料,并對復(fù)合材料的顯微組織與性能開展系統(tǒng)研究。采用銀氨溶液為化鍍?nèi)芤?以酒石酸鉀鈉溶液作為還原劑,對Invar粉進行化學(xué)鍍Ag,制備出Ag（Invar）復(fù)合粉體。在pH值為11.5左右,反應(yīng)時間為30 min條件下,Ag（Invar）復(fù)合粉體表面Ag鍍層厚度約2-3μm,表面平整、均勻、連續(xù)、致密,與Invar結(jié)合緊密。常壓燒結(jié)... 

【文章來源】：合肥工業(yè)大學(xué)安徽省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

Fe-Ag相圖

10圖 1.2 Ni-Ag 相圖Fig.1.2 Ni-Ag binary phase diagram述研究的基礎(chǔ)上，本論文擬采用化學(xué)鍍的方法在 Invar 合金顆粒表面獲致密的 Ag 涂層，并改善 Invar 與 Ag 的結(jié)合狀態(tài)，最大限度地發(fā)揮 Agu/Invar界面擴散，改善復(fù)合材料燒結(jié)性的目的。同時結(jié)合燒結(jié)態(tài) Cu/Ag(冷軋+退火的形變熱處理工藝實現(xiàn)復(fù)合材料的完全致密致密化，改善復(fù)

布如圖 2.1 所示，顆粒粒徑累計分布為 10%的粒徑 D10=19.730μm，顆粒粒徑累計分布為 50%的粒徑 D50=36.850 μm，顆粒粒徑累計分布為 90%的粒徑 D90=67.166 μm，體積平均粒徑為 D[4,3]=40.565 μm，表面積平均粒徑為 D[3,2]=32.782 μm。長沙天久金屬材料有限公司提供的氣霧化 Invar 合金粉（Fe-32Ni-4Co，粒度為-200 ~ +600 目，純度為99.8 wt%，形貌呈球形），其成分如表 2.2 所示，Invar 合金粉的粒徑分布如圖 2.2 所示，顆粒粒徑累計分布為 10%的粒徑 D10=15.039μm，顆粒粒徑累計分布為 50%的粒徑D50=32.866μm，顆粒粒徑累計分布為 90%的粒徑 D90=66.015μm，體積平均粒徑為D[4,3]=37.150 μm，表面積平均粒徑為 D[3,2]=25.945 μm；國藥集團化學(xué)試劑有限公司提供的 AgNO3粉（純度為 99.8 wt %，無色或白色晶體）和酒石酸鉀鈉（C4H4O6KNa 4H2O，純度為 99.0 wt %，白色結(jié)晶粉末）。表 2.1 Cu 粉的化學(xué)成分(wt%)Tab. 2.1 Chemical composition of the Cu powder (wt%)Cu Fe Al Si Cl O S Ni Zn99.921 0.025 0.010 0.010 0.010 0.008 0.006 0.005 0.005

【參考文獻】：
期刊論文
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博士論文
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碩士論文
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本文編號：2897750