鐵氧體/碳化硅/石墨三層涂層復(fù)合材料介電性能
發(fā)布時間:2020-12-04 06:20
選用柔性滌綸針織物為基材,以鐵氧體、碳化硅和石墨分別作為底層、中層和表層吸波劑,在基材上進(jìn)行三層復(fù)合涂層整理,制備不同厚度的復(fù)合材料。探討了底層、中層、表層厚度對介電常數(shù)實(shí)部、虛部和損耗角正切的影響。結(jié)果表明:該復(fù)合材料在低頻段具備良好的介電性能,涂層厚度對介電常數(shù)實(shí)部、虛部和損耗角正切影響較大;底層鐵氧體涂層厚度為0.5mm,中層碳化硅涂層厚度為0.3mm,表層石墨涂層厚度為0.3mm時,鐵氧體/碳化硅/石墨三層涂層復(fù)合材料的介電常數(shù)實(shí)部、虛部、損耗角正切最大。
【文章來源】:材料工程. 2017年01期 第33-37頁 北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]三層涂層柔性復(fù)合材料介電性能和力學(xué)性能[J]. 劉元軍,趙曉明,拓曉. 材料熱處理學(xué)報(bào). 2016(01)
[2]聚吡咯吸波材料性能探討[J]. 劉元軍,趙曉明,拓曉,趙家琪,李錦芳,郭映雪. 成都紡織高等專科學(xué)校學(xué)報(bào). 2015(04)
[3]吸波材料研究進(jìn)展[J]. 劉元軍,趙曉明,李衛(wèi)斌. 成都紡織高等?茖W(xué)校學(xué)報(bào). 2015(03)
[4]磁響應(yīng)性TiO2/石墨烯納米復(fù)合材料的合成及光催化性能[J]. 張平,莫尊理,張春,韓立娟,李政. 材料工程. 2015(03)
[5]碳納米管吸波材料研究進(jìn)展[J]. 劉顧,汪劉應(yīng),程建良,王煒,吳永發(fā). 材料工程. 2015(01)
[6]PZT薄膜厚度對BMT/PZT復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)及介電性能的影響[J]. 呂純,吳智,周靜,沈杰,陳文. 功能材料. 2014(24)
[7]樹脂基Fe-Si-B復(fù)合材料的制備及其介電性能[J]. 侯晴,王成釗,陳月光,王士嬌,范潤華,張子棟,燕克蘭. 功能材料. 2014(23)
[8]退火對(NiCo)/TiO2納米復(fù)合材料吸波性能的影響[J]. 徐志潔,杜寶盛,杜勝杰,柳峰,趙美星,孫乃坤. 功能材料. 2014(S1)
[9]Ni粉體制備及其環(huán)氧樹脂復(fù)合材料吸波性能[J]. 盧慧芳,朱正吼,徐雪嬌. 功能材料. 2014(10)
[10]Zn2SnO4摻雜對BaTiO3陶瓷介電性能的影響[J]. 周亞鵬,周鋒子,臧國忠,王銀強(qiáng),董元浩,李立本. 功能材料. 2014(07)
本文編號:2897147
【文章來源】:材料工程. 2017年01期 第33-37頁 北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
圖2介電譜儀的測試單元??F%2?TestedUofdietoriespe^Hneter??
?1.1?0.3??200?1?丁?2??1501?十:?1〇〇[^)??8〇\?二含??5:^???A??0?1?2?3?4?5?6?7?2Q,^??■_z)?—-??7,??〇?■??i,?(c)?—■—?1??1?1?1?1?1?1???6?^?+2?0?1?2?3?4?5?6?7??5\?3?'g(^Hz)???:\?=?25〇f?rl??200?二??"101234567?50?■?V??_z)??圖3底層涂層厚度對介電常數(shù)實(shí)部u),??.?.?.?.?.?■——??虛部(b)和損耗角正切(C)的影響?°?1?2?lg(f/Hz)?567??Fig.?3?Effect?of?the?thickness?of?bottom?layer?coating?on?2?〇???permittivity’s?real?part?(a),imaginary?part?(b)?and?loss?tangent?(c)?人()?息?^??25?\?二?3??切由大到小依次是底層涂層厚度為0.?9,0.?7,1.?lmm?^?2'°?'?\?^??的復(fù)合材料;在高頻段,5種不同底層涂層厚度的損耗?i?1_5'?\??角正切曲線近似重合。底層鐵氧體涂層厚度為?H??0.?9mm時,復(fù)合材料介電常數(shù)實(shí)部和虛部值均最大。?0.5?,???綜上所述,在低頻段,底層鐵氧體涂層厚度為〇??5mm?O.oF^、11111?."_4??時,復(fù)合材料的介電常數(shù)實(shí)部、虛部、損耗角正切值均?〇?1?2?5?6?7??最大,其介電
耗角正?K,g.4?Effec,of,helh,k?esS〇fmidd.e,ayercoating〇n??切的提高;另外根據(jù)涂層厚度控制以輕薄為宜的原則,?pe?iuiVhy,s?part?(a),?imaginary?part?(b)?and?loss?tangent?(c)??底層鐵氧體涂層厚度為〇.?5mm較好。??2.2中層涂層厚度對介電常數(shù)和損耗角正切的影響?碳化硅屬于介電損耗型材料,主要是通過介質(zhì)的??為了探究中層碳化硅涂層厚度對介電常數(shù)的影?極化弛豫損耗吸收電磁波。如圖4所示:在低頻段,當(dāng)??響,以漆綸諱編針織物為基材,制備了一系列不同中層?中層碳化桂涂層厚度為〇.?3mm,鐵氧體/碳化桂/石墨??涂層厚度的鐵氧體/碳化硅/石墨三層涂層復(fù)合材料,?三層涂層復(fù)合材料的介電常數(shù)實(shí)部、虛部和損耗角正??
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[4]磁響應(yīng)性TiO2/石墨烯納米復(fù)合材料的合成及光催化性能[J]. 張平,莫尊理,張春,韓立娟,李政. 材料工程. 2015(03)
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[6]PZT薄膜厚度對BMT/PZT復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)及介電性能的影響[J]. 呂純,吳智,周靜,沈杰,陳文. 功能材料. 2014(24)
[7]樹脂基Fe-Si-B復(fù)合材料的制備及其介電性能[J]. 侯晴,王成釗,陳月光,王士嬌,范潤華,張子棟,燕克蘭. 功能材料. 2014(23)
[8]退火對(NiCo)/TiO2納米復(fù)合材料吸波性能的影響[J]. 徐志潔,杜寶盛,杜勝杰,柳峰,趙美星,孫乃坤. 功能材料. 2014(S1)
[9]Ni粉體制備及其環(huán)氧樹脂復(fù)合材料吸波性能[J]. 盧慧芳,朱正吼,徐雪嬌. 功能材料. 2014(10)
[10]Zn2SnO4摻雜對BaTiO3陶瓷介電性能的影響[J]. 周亞鵬,周鋒子,臧國忠,王銀強(qiáng),董元浩,李立本. 功能材料. 2014(07)
本文編號:2897147
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