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幾種層狀硫族化合物的結(jié)構(gòu)與物性研究

發(fā)布時(shí)間:2020-11-01 22:06
   本論文主要對(duì)幾種層狀硫族化物進(jìn)行制備和物性表征。對(duì)過(guò)渡族金屬硫族化物進(jìn)行插層,主要研究對(duì)其結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)電性的影響;探索新型主族金屬層狀硫族化物,得到潛在超導(dǎo)母體。本論文得到的主要研究結(jié)果如下。首先,采用超聲化學(xué)方法,將堿金屬Na分別與乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺和二甲基乙二胺有機(jī)分子共同插層到FeSe層間,得到四種高質(zhì)量純相的新型Fe基超導(dǎo)體。四種超導(dǎo)體具有不同的晶體學(xué)對(duì)稱性,其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(T_c)都在46 K附近,表明插層的有機(jī)分子對(duì)于FeSe基超導(dǎo)體的T_c影響不大。依據(jù)中子粉末衍射數(shù)據(jù)確定Na_(0.39)(C_2N_2H_8)_(0.77)Fe_2Se_2的晶體結(jié)構(gòu),FeSe層被壓縮且插層的有機(jī)分子存在多重取向無(wú)序。不同于NH_3分子和金屬共插層FeSe的化合物,原位X射線衍射和核磁共振的結(jié)果表明,只有堿金屬易從Na_(0.39)(C_2N_2H_8)_(0.77)Fe_2Se_2中發(fā)生脫嵌,得到無(wú)載流子注入的(C_2N_2H_8)Fe_2Se_2插層化合物,并伴隨著超導(dǎo)電性的消失。我們的結(jié)果有助于加深對(duì)于FeSe基超導(dǎo)體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、摻雜水平和溫度驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)相變的理解,而這種有效的合成方法也為探索新型超導(dǎo)體提供了可能。其次,我們發(fā)現(xiàn)在室溫下Na_(0.35)(C_3N_2H_(10))_(0.426)Fe_2Se_2具有較大的正交畸變,并且沒(méi)有磁有序,在FeSe層之間“向列的”有序排列的1,3-丙二胺分子使該化合物的向列相穩(wěn)定存在。即使在低溫下其正交畸變比β-FeSe和大多數(shù)的FeAs基超導(dǎo)體大很多,卻具有46.5 K的T_c。第一性原理計(jì)算表明該“人造的”正交畸變對(duì)于能帶結(jié)構(gòu)具有選擇性的影響,在第一布里淵區(qū)內(nèi)的Г點(diǎn)和M點(diǎn)附近Fe的3d_(xz)和3d_(yz)軌道表現(xiàn)出不同的劈裂情況。我們的結(jié)果強(qiáng)烈支持,至少在高T_c的FeSe基超導(dǎo)體中,向列相與超導(dǎo)電性的出現(xiàn)無(wú)關(guān)。隨后,我們采用固相合成的方法,得到一系列Rb插層NbSe_2化合物的晶體結(jié)構(gòu)和超導(dǎo)電性。結(jié)構(gòu)上,隨著Rb插層量的增加,Rb_xNbSe_2發(fā)生從0≤x≤0.025的2H相(空間群為P6_3/mmc),到x~0.2的6R相(空間群為R-3m),最終到0.375≤x≤0.5的2H相(空間群為P6_3/mmc)的結(jié)構(gòu)演化。此外,將6R相在750K退火,形成另外一個(gè)罕見(jiàn)的6H相(空間群為P6_3/mmc)。值得注意的是,6R和6H相都是首次在金屬插層的NbSe_2中獲得。根據(jù)上述結(jié)果,建立Rb_xNbSe_2(0≤x≤0.5)的相圖。物性上,Rb_xNbSe_2在0-0.025的范圍內(nèi)為超導(dǎo)相,其T_c以一種L型的方式,從x=0的7.2 K下降為x=0.025的4.2 K。其T_c的下降速率類(lèi)似于磁性Fe插層的下降速率,大于Cu、Ga和Li插層的下降速率。建立Rb_x NbSe_2(0≤x≤0.025)的超導(dǎo)相圖,并與Li_x NbSe_2、Cu_xNbSe_2、Fe_xNbSe_2和Ga_x NbSe_2的超導(dǎo)性質(zhì)進(jìn)行比較。經(jīng)過(guò)討論發(fā)現(xiàn),NbSe_2超導(dǎo)電性的抑制與插層元素的離子半徑、價(jià)態(tài)以及磁性有關(guān)。Rb_xNbSe_2在0.2-0.5的成分范圍內(nèi)都表現(xiàn)為順磁性,電學(xué)性質(zhì)都類(lèi)似于金屬,在2 K以上沒(méi)有觀察到超導(dǎo)電性。最后,設(shè)計(jì)并合成兩種新型BiS基層狀化合物:Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl。Bi_5O_4S_3Cl中存在罕見(jiàn)的BiS_3層狀結(jié)構(gòu)單元,Bi與S為六配位。低溫下,Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl的電阻率都存在類(lèi)似超導(dǎo)轉(zhuǎn)變的明顯下降,表明兩者為潛在的超導(dǎo)母體。第一性原理計(jì)算表明,Bi_5O_4S_3Cl具有0.344 eV的帶隙,向其引入一定量的S空位,注入載流子,其從半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘。?duì)Bi_5O_4S_3Cl的Bi位摻Pb,注入載流子,T_c和超導(dǎo)相體積含量都明顯提高。Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl為探索新型BiCh基層狀超導(dǎo)體提供了可能。
【學(xué)位單位】:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院物理研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類(lèi)】:TB303
【部分圖文】:

四探針?lè)?石墨,層狀化合物,金屬元素


1.1(a)典型的兩層扭轉(zhuǎn)石墨烯的示意圖以及四探針?lè)y(cè)量示意圖。(b)兩層1.05 °的“魔角”石墨烯的相圖[4]。 1.1 (a) Schematic diagram of a typical two-layer twisted graphene device and a fousurement. (b) Phase diagram of two layers of "magic angle" graphene with a differe1.05 °[4].狀化合物層狀化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與設(shè)計(jì)方法狀化合物為我們提供了很多新奇和有趣的物理和化學(xué)性質(zhì)。由于其子結(jié)構(gòu)的二維特性,使其具有異常的電子和磁學(xué)性質(zhì)。層狀化合物定層和支撐層(或者載流子庫(kù)層)構(gòu)成。層狀化合物的物性主要由定,而層中的金屬元素起到了至關(guān)重要的作用,包括金屬元素的種

晶體結(jié)構(gòu),插層,超導(dǎo)電性


第 1 章 緒論外,對(duì)于范德瓦爾斯型層狀化合物,可采用插層方式研究其結(jié)構(gòu)與物性。例如,在圖 1.2(c)中,H2O 插層 NaxCoO2得到具有超導(dǎo)電性的 NaxCoO2 yH2O(空間群為 P63/mmc),當(dāng) x = 0.3 時(shí)達(dá)到最佳摻雜,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度(Tc)為 4.3 K[7, 8]。NaxCoO2盡管具有二維的電子結(jié)構(gòu),但卻具有三維的磁結(jié)構(gòu),在面內(nèi) Co 的自旋為鐵磁排列,面間為反鐵磁排列。當(dāng) H2O 插層后,CoO2層相互排斥,導(dǎo)致二維的磁漲落,進(jìn)而誘發(fā)超導(dǎo)電性。H2O 在其中起到重要作用,CoO2層作為傳導(dǎo)電層[9]。

變化曲線,電阻,變化曲線,正常態(tài)


圖 1.3(a)Hg 的電阻隨溫度的變化曲線[12]。(b)超導(dǎo)體的完全抗磁性[13]。(c)第 I 類(lèi)和第II 類(lèi)超導(dǎo)體[13]。Figure 1.3 (a) The temperature dependence of resistance for Hg[12]. (b) The perfect diamagnetismfor superconductor[13]. (c) The type-I and type-II superconductors[13].關(guān)于超導(dǎo)機(jī)理的解釋,從最初的二流體模型[14]、到Ginzburg-Landau方程[15]、以及 BCS(Bardeen、Cooper 和 Schrieffer)理論[16]。Ginzburg-Landau 方程是Ginzburg 和 Landau 基于自由能極小理論,在磁場(chǎng)作用下,利用二級(jí)相變理論得到的兩個(gè)方程。通過(guò)該方程可以得到超導(dǎo)電子濃度的相干長(zhǎng)度以及超導(dǎo)磁通量子化[17]。對(duì)于 BCS 理論,能用 BCS 理論解釋的為傳統(tǒng)超導(dǎo)體,其他為非傳統(tǒng)超導(dǎo)體。在傳統(tǒng)超導(dǎo)體中,電子在正常態(tài)形成費(fèi)米球分布,從正常態(tài)進(jìn)入超導(dǎo)態(tài)時(shí),在正常態(tài)處于費(fèi)米面附近動(dòng)量和自旋相反的兩個(gè)電子通過(guò)電聲耦合相互作用,產(chǎn)生相互吸引,兩兩配對(duì),形成 Cooper 對(duì),其能量低于正常態(tài)費(fèi)米面能量,形成
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