近年來,隨著社會和科技的進(jìn)步,平板顯示逐漸成為人們生活中不可替代的一部分,TFT作為平板顯示技術(shù)驅(qū)動面板的核心器件,具備了巨大的研究價值和發(fā)展?jié)摿�。陽極氧化法制備的Al_2O_3薄膜作為TFT的柵絕緣層,具有穩(wěn)定性高、均勻性強(qiáng)、性能優(yōu)良、成本低廉等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為當(dāng)下研究的熱點(diǎn)。本研究通過陽極氧化法制備Al_2O_3薄膜并對其進(jìn)行性能表征,探究其最佳的制備條件。在此基礎(chǔ)上以Al_2O_3薄膜為柵絕緣層制備底柵交錯型TFT器件,完成TFT的電性能測試,探究不同實(shí)驗(yàn)條件下對陽極氧化鋁TFT性能的影響,具體分析內(nèi)容包括以下三個部分:首先,采用陽極氧化法制備Al_2O_3薄膜,改變電解液的種類和濃度,并制備MIM結(jié)構(gòu)測量其擊穿電壓。結(jié)果表明使用酒石酸銨乙二醇溶液制備的Al_2O_3薄膜擊穿電壓要高于其他電解液(草酸、稀硫酸、檸檬酸),達(dá)到38V。其次,以Al_2O_3薄膜為柵絕緣層,玻璃基片作為襯底,Al作為柵極,ZnON作為有源層,金屬M(fèi)o作為源漏電極制備TFT。先采用射頻磁控濺射法制備Al膜,在通過陽極氧化形成Al_2O_3柵絕緣層,再以O(shè)_2、N_2作為反應(yīng)氣體進(jìn)行磁控濺射制備有源層ZnON,最后采用直流磁控濺射的方法制備Mo薄膜,并且經(jīng)過光刻、刻蝕等工藝完成TFT的制備。最后,對不同陽極氧化條件下的陽極氧化鋁TFT進(jìn)行電學(xué)性能測試,使用半導(dǎo)體測試儀測出TFT的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線,并用Oringin軟件對數(shù)據(jù)進(jìn)行可視化處理,通過轉(zhuǎn)移特性曲線提取TFT的重要特性參數(shù)。結(jié)果表明,采用酒石酸銨乙二醇溶液進(jìn)行陽極氧化制備氧化鋁柵絕緣層的TFT,其載流子遷移率和開關(guān)比均要明顯高于其他溶液(草酸、稀硫酸、檸檬酸)制備的TFT;當(dāng)使用酒石酸銨乙二醇溶液為電解液時,溶液中酒石酸銨和乙二醇的濃度越高,TFT的載流子濃度和開關(guān)比越高,而酒石酸銨濃度不變的情況下,增大乙二醇的占比,TFT的載流子遷移率和開關(guān)比也都會有所增加。因此得到最佳的制備參數(shù)為“酒石酸銨:乙二醇:水=2:70:35”,此時陽極氧化鋁TFT的特性參數(shù)分別為:載流子遷移率3.63 cm~2/V·s、開關(guān)比為5.1×10~4、閾值電壓3.57 V、亞閾值擺幅3.95 V/dec。閾值電壓值為正數(shù)說明制備的TFT為n溝道增強(qiáng)型TFT器件。
【學(xué)位單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2018
【中圖分類】：TB383.2
【部分圖文】：

磁控濺射原理

磁控濺射鍍膜過程

磁控濺射鍍膜機(jī)實(shí)物圖
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3 盧峻峰;;陽極氧化鋁膜孔徑的測量[J];微納電子技術(shù);2008年12期

4 王延民;李華基;薛寒松;蔡國文;;多孔有序陽極氧化鋁膜的制備及其機(jī)理分析[J];重慶科技學(xué)院學(xué)報;2005年04期

5 杜志云,郭元超,鄧兵,陳京才;影響陽極氧化鋁膜的因素[J];綿陽師范學(xué)院學(xué)報;2005年02期

6 李淑英,赫榮暉;納米孔洞陽極氧化鋁膜的制備及應(yīng)用[J];全面腐蝕控制;2001年02期

7 黃常金;陽極氧化鋁著色[J];防腐與包裝;1985年04期

8 黃常金;;陽極氧化鋁著色[J];防腐與包裝;1985年04期

9 ;國外電鍍文摘摘譯[J];電鍍與環(huán)保;1988年05期

10 周健,叢松林,馮景偉,李云鵬;干涉著色陽極氧化鋁[J];無機(jī)材料學(xué)報;1989年04期

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3 陳偉;陽極氧化鋁鈉米陣列通道的制備、性質(zhì)及應(yīng)用[D];南京大學(xué);2010年

4 李民;金屬氧化物薄膜晶體管器件的穩(wěn)定性研究[D];華南理工大學(xué);2014年

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1 陳贊;用于TFT的陽極氧化鋁絕緣層的研究[D];電子科技大學(xué);2018年

2 彭蓉;陽極氧化鋁膜形貌的調(diào)控及其相關(guān)性能研究[D];湖南大學(xué);2017年

3 吳少華;陽極氧化鋁膜新型制備工藝及其過濾性能研究[D];大連理工大學(xué);2010年

4 常曉仆;以鋁為支撐體的新型陽極氧化鋁膜的研究[D];大連理工大學(xué);2007年

5 王華;陽極氧化鋁膜的制備與性能測試[D];大連理工大學(xué);2000年

6 謝品品;納米孔陽極氧化鋁膜的制備及分離特性研究[D];大連理工大學(xué);2009年

7 董春曉;添加劑對陽極氧化鋁膜性能的影響研究[D];大連理工大學(xué);2009年

8 劉金會;孔間距小于10nm陽極氧化鋁模板制備的研究[D];內(nèi)蒙古科技大學(xué);2014年

9 李丹;高品質(zhì)硅基多孔陽極氧化鋁膜的制備及影響表面形貌因素的分析[D];西北大學(xué);2012年

10 陶玲;陽極氧化鋁膜過濾牛血清蛋白溶液的研究[D];南京工業(yè)大學(xué);2006年

本文編號：2858644