聚酰亞胺基二維納米材料是近年研究的熱點。二維納米銀,具備優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)及力學(xué)性能,其剛性的特性,可有效避免與高分子材料復(fù)合過程中出現(xiàn)的變形卷曲問題。本文采用原位聚合法制備不同組分聚酰亞胺基二維納米銀復(fù)合薄膜(PI/Ag),研究PI/Ag復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能。研究熱亞胺化工藝對PI/Ag復(fù)合薄膜的影響,確定最佳工藝,制備不同組分PI/Ag復(fù)合薄膜。利用SEM觀察復(fù)合薄膜中銀片分布情況,采用FTIR與XRD表征復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)特征,采用SAXS表征復(fù)合薄膜的界面及分形特征。通過介電頻譜、AC電導(dǎo)率、耐電暈、擊穿強度測試,研究復(fù)合薄膜的電學(xué)性能。通過TGA和DSC研究復(fù)合薄膜的熱穩(wěn)定性、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度及熔融焓情況。采用電子萬能試驗機測試復(fù)合薄膜的拉伸強度、斷裂伸長率、彈性模量等力學(xué)性能。實驗結(jié)果表明,320℃下恒溫30min的PI/Ag復(fù)合薄膜亞胺化最好;摻雜組分在0-10%內(nèi),復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)無明顯變化,摻雜10%及以上組分,PI基體明顯變得密集而緊湊,在10%組分時,納米銀與PI基體間形成明顯界面層,隨組分增加,界面層厚度逐漸增大;10%組分PI/Ag復(fù)合薄膜的介電常數(shù)最大,摻雜納米銀片對復(fù)合薄膜電導(dǎo)率及介質(zhì)損耗影響較小,隨組分增加,復(fù)合薄膜擊穿強度、耐電暈老化壽命明顯下降;摻雜納米銀片組分為0-0.75%時,復(fù)合薄膜熱分解溫度較純PI薄膜提升明顯,納米銀片組分2%時,復(fù)合薄膜熱分解溫度較純PI薄膜明顯降低,復(fù)合薄膜熱分解速率均高于純PI薄膜,納米銀片組分影響PI基體分子量分布,組分增加,復(fù)合薄膜熔程變短,分子量分布小,熔融焓增大;納米銀片組分為0-0.75%時,復(fù)合薄膜拉伸強度、彈性模量增大,斷裂伸長率減小,薄膜剛性增強,納米銀片組分2%時,復(fù)合薄膜斷裂伸長率和柔性明顯增大。
【學(xué)位單位】：哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位年份】：2018
【中圖分類】：TB383
【部分圖文】：

容范圍：1fF-1F；相位精度：2×10-3；損耗精度：小于 10-5。樣品測試頻率為 100Hz-106Hz。測試前在樣品兩側(cè)蒸鍍鋁電極。.3.2 直流擊穿場強按照 IEC243 標準測試不同組分 PI/Ag 復(fù)合薄膜及純 PI 薄膜的直流擊穿，實驗電壓范圍為 0-50kV。升壓速率為 0.5kV/s，測試時，測試樣品被平整泡在硅油中，每次測試后，需更換測試位置。測量結(jié)果中偏差太大的數(shù)據(jù)剔除，不同組分樣品至少被記錄 9 個有效值。.3.3 耐電暈老化壽命耐電暈老化測試被用以研究絕緣材料電暈老化壽命及電暈老化機理。實搭建測試平臺，采用標準為 GB/T22689(IEC60343)，如圖 2-1 所示。

11圖 2-2 電子萬能試驗機ig.2.2 The electronic universal testing mach熱重分析儀測試不同組分PI/Ag復(fù)合細小，避免實驗過程中較大樣品隨氣g。升溫速率為 10℃ / min，升溫范。測試的 STAR.SW 14 型號 DSC 差式掃描璃化轉(zhuǎn)變溫度及熔融焓，測試氣氛室溫至 700℃。純 PI 薄膜、0.3%、樣品測試量分別為 1.4239mg、1

第3章 PI/Ag 復(fù)合薄膜制備及結(jié)構(gòu)表征要介紹采用原位聚合法的均苯型聚酰亞胺合成原理及 P藝流程；利用 SEM、EDS、FTIR、XRD、SAXS 測試表薄膜及納米銀片微觀結(jié)構(gòu)；研究納米銀片及其組分對 P片結(jié)構(gòu)與特性種過渡金屬，原子間作用力為金屬鍵。納米銀片是厚度材料。銀在自然界有單質(zhì)存在，絕大部分存在于礦石中定，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能很好，質(zhì)軟，富延展性，納米銀粉為幾個納米的銀顆粒熔點低于 100℃，但當(dāng)納米銀尺寸增常規(guī)熔點。納米銀片被作為電子電氣材料、感光材料以用，其制備方法主要包括機械球磨法、光誘導(dǎo)法、熱處原沉積法等。銀單質(zhì)為面心立方結(jié)晶，其晶格結(jié)構(gòu)如圖44 pm，晶格常數(shù) 0.4 nm。
【參考文獻】

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本文編號：2849976